显示面板的制备方法及显示面板技术

本申请公开了一种显示面板的制备方法及显示面板，所述制备方法通过半色调光罩对基板上的光阻层进行曝光处理，以在显示面板的显示区形成制备第一孔的第一区，在显示面板的非显示区形成制备第二孔的第二区；在去除第一区的部分光阻及第二区的全部光阻后，利用蚀刻工艺同时蚀刻第一区的第一剩余光阻及第二区，对应获得第二剩余光阻及第二主孔；在去除第二剩余光阻后；同时蚀刻第一区及第二区，对应获得第一孔及第二从孔。其中，第二孔包括第二主孔与第二从孔，第二孔的深度大于第一孔的深度，以简化制程，减少设备投入，在降低生产成本的同时可满足位于显示面板不同区域的孔在具有不同深度时的制备要求，提高了设备稼动率及产品的竞争力。

Preparation method and display panel of display panel

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制备方法及显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
技术介绍
多晶硅因具有较好的电子迁移速率，被显示技术开发者应用于显示
，在采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)技术制成的背板中，薄膜晶体管的体积更小，相应得到的面板的分辨率更高。但LTPS制程中制作显示区的源漏极通孔及非显示区的深孔通常需要借助多道光罩形成图案，使得显示面板在制备过程中所使用光罩的数量繁多。
技术实现思路
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，可以减少显示面板在制备过程所使用的光罩。本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：S10：提供一待形成第一孔与第二孔的基板，所述基板包括与所述第一孔对应的第一区和与所述第二孔对应的第二区，所述第一区位于所述显示面板的显示区，所述第二区位于所述显示面板的非显示区；S20：形成覆盖所述基板的光阻层；S30：提供一半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述基板上的所述光阻层进行曝光处理；S40：对所述基板进行显影处理，去除对应所述第一区的部分光阻以获得对应于所述第一区的第一剩余光阻，去除对应所述第二区的全部光阻；S50：去除所述第一剩余光阻的部分光阻以获得对应于所述第一区的第二剩余光阻，蚀刻所述第二区以在所述第二区得到蚀刻深度为第一深度的第二主孔；S60：去除所述第二剩余光阻；S70：蚀刻所述第一区及所述第二区，在所述第一区得到所述第一孔，在所述第二区得到蚀刻深度为第二深度的第二从孔；其中，所述第二孔包括所述第二主孔与所述第二从孔，所述第二孔的深度大于所述第一孔的深度。在一些实施例中，所述半色调光罩包括透光区、半透光区及遮光区，在所述步骤S30中，所述透光区对准所述非显示区内的部分区域形成所述第二区，所述半透光区对准所述显示区内的部分区域形成所述第一区，所述遮光区对准所述显示区上除所述第一区之外的区域及所述非显示区上除所述第二区之外的区域。在一些实施例中，所述基板包括：衬底；有源层，形成于所述显示区且位于所述衬底的至少一侧；第一金属层，至少位于所述有源层的一侧，所述第一金属层包括对应所述有源层设置的栅极；栅极绝缘层，形成于所述显示区及所述非显示区，且位于所述有源层与所述第一金属层之间；层间介电层，覆盖所述栅极及所述栅极绝缘层；其中，所述第一孔贯穿所述层间介电层和所述栅极绝缘层且连通所述有源层，所述第二孔贯穿所述层间介电层和所述栅极绝缘层且连通所述衬底。在一些实施例中，所述有源层包括沟道区及位于所述沟道区两侧的掺杂区；所述沟道区与所述栅极对位设置，所述第一孔连通所述有源层的所述掺杂区，所述第一孔在所述掺杂区的深度为大于或等于0nm且小于或等于50nm。在一些实施例中，所述第二孔在所述衬底的深度为大于或等于0nm且小于或等于500nm。在一些实施例中，所述第二主孔的深度小于或等于所述层间介电层与所述栅极绝缘层的厚度之和。在一些实施例中，所述第二主孔的宽度与所述第二从孔的宽度之差小于或等于4μm。在一些实施例中，所述第二主孔包括主底壁和连接于所述主底壁的主侧壁，所述主底壁与所述主侧壁之间的夹角为大于或等于30°且小于或等于70°。在一些实施例中，所述第二从孔包括从底壁和连接于所述从底壁的从侧壁，所述从底壁与所述从侧壁之间的夹角为大于或等于30°且小于或等于70°。本申请实施例还提供一种采用所述显示面板的制备方法制得的显示面板。本申请实施例提供的显示面板的制备方法及显示面板，所述制备方法包括以下步骤：提供一待形成第一孔与第二孔的基板，所述基板包括与所述第一孔对应的第一区和与所述第二孔对应的第二区，所述第一区位于所述显示面板的显示区，所述第二区位于所述显示面板的非显示区；形成覆盖所述基板的光阻层；提供一半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述基板上的所述光阻层进行曝光处理；对所述基板进行显影处理，去除对应所述第一区的部分光阻以获得对应于所述第一区的第一剩余光阻，去除对应所述第二区的全部光阻；去除所述第一剩余光阻的部分光阻以获得对应于所述第一区的第二剩余光阻，蚀刻所述第二区以在所述第二区得到蚀刻深度为第一深度的第二主孔；去除所述第二剩余光阻；蚀刻所述第一区及所述第二区，在所述第一区得到所述第一孔，在所述第二区得到蚀刻深度为第二深度的第二从孔。其中，所述第二孔包括所述第二主孔与所述第二从孔，所述第二孔的深度大于所述第一孔的深度。采用所述制备方法可以通过1道光罩制备位于显示区的第一孔和位于非显示区的第二孔，减少了显示面板在制备过程中所使用的光罩。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1A为本申请的实施例提供的显示面板的制备流程图；图1B～图1H为采用图1A所示的制备方法制备显示面板的过程示意图；图1I为图1H中A处的局部放大图；图1J～图1K为光阻层出现后退现象时制备第二从孔的过程示意图；图2为本申请的实施例提供的基板的结构示意图；图3为本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10：提供一待形成第一孔与第二孔的基板，所述基板包括与所述第一孔对应的第一区和与所述第二孔对应的第二区，所述第一区位于所述显示面板的显示区，所述第二区位于所述显示面板的非显示区；/nS20：形成覆盖所述基板的光阻层；/nS30：提供一半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述基板上的所述光阻层进行曝光处理；/nS40：对所述基板进行显影处理，去除对应所述第一区的部分光阻以获得对应于所述第一区的第一剩余光阻，去除对应所述第二区的全部光阻；/nS50：去除所述第一剩余光阻的部分光阻以获得对应于所述第一区的第二剩余光阻，蚀刻所述第二区以在所述第二区得到蚀刻深度为第一深度的第二主孔；/nS60：去除所述第二剩余光阻；/nS70：蚀刻所述第一区及所述第二区，在所述第一区得到所述第一孔，在所述第二区得到蚀刻深度为第二深度的第二从孔；/n其中，所述第二孔包括所述第二主孔与所述第二从孔，所述第二孔的深度大于所述第一孔的深度。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：提供一待形成第一孔与第二孔的基板，所述基板包括与所述第一孔对应的第一区和与所述第二孔对应的第二区，所述第一区位于所述显示面板的显示区，所述第二区位于所述显示面板的非显示区；
S20：形成覆盖所述基板的光阻层；
S30：提供一半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述基板上的所述光阻层进行曝光处理；
S40：对所述基板进行显影处理，去除对应所述第一区的部分光阻以获得对应于所述第一区的第一剩余光阻，去除对应所述第二区的全部光阻；
S50：去除所述第一剩余光阻的部分光阻以获得对应于所述第一区的第二剩余光阻，蚀刻所述第二区以在所述第二区得到蚀刻深度为第一深度的第二主孔；
S60：去除所述第二剩余光阻；
S70：蚀刻所述第一区及所述第二区，在所述第一区得到所述第一孔，在所述第二区得到蚀刻深度为第二深度的第二从孔；
其中，所述第二孔包括所述第二主孔与所述第二从孔，所述第二孔的深度大于所述第一孔的深度。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半色调光罩包括透光区、半透光区及遮光区，在所述步骤S30中，所述透光区对准所述非显示区内的部分区域形成所述第二区，所述半透光区对准所述显示区内的部分区域形成所述第一区，所述遮光区对准所述显示区上除所述第一区之外的区域及所述非显示区上除所述第二区之外的区域。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基板包括：
衬底；
有源层，形成于所述显示区且位于所述衬底的至少一侧；
第一金属层，至少位于所述有源层的一侧，所述第一金...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅先，龚吉祥，鲜于文旭，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42