阵列基板及其制造方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制造方法，阵列基板的图案化金属构件包括依次层叠设置于基板上的图案化第一金属层、图案化第二金属层以及图案化铜层，蚀刻液蚀刻第二金属层的速率小于蚀刻液蚀刻第一金属层的速率，图案化第二金属层和图案化第一金属层的结构，可以避免蚀刻第二金属层出现金属残留的问题的同时，可以避免图案化第二金属层被腐蚀而导致铜掏空问题，且图案化第一金属层与基板的附着力大于图案化铜层与基板的附着力，提高图案化金属构件在基板上的附着力的同时，且能阻挡铜扩散。

Array substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
在高世代液晶面板中，铜材料作为金属线因其阻抗低、抗电迁移能力强等优点使得代替传统的铝材料称为趋势。但铜金属与玻璃附着性差，易发生金属剥离，且铜金属易发生扩散，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)器件性能产生恶化。通常会增加一层金属层来改善铜金属层的附着性及阻挡铜扩散，传统显示面板的制造工艺中，通常使用增加的金属层选择有钼/钛/钼钛合金等。在使用钼金属作为双金属层的工艺中，因铜/钼结构在金属图案化过程中易发生双金属腐蚀，在后续光阻剥离过程中会发生铜金属的腐蚀，形成铜掏空的现象，铜掏空的发生会形成金属尖端，在后续制造工艺中不同层别的金属易发生静电击穿现象，对产品良率造成极大影响。使用钼钛合金作为增加的金属层能明显改善铜金属腐蚀的现象，但由于钼钛合金中钛金属的存在，在金属的图案化制程中必须使用含氟元素的湿蚀刻液进行蚀刻，且蚀刻速率较低，易发生钼钛金属残留的问题。因此，有必要提出一种技术方案提升铜层的附着性以及阻挡铜扩散的同时，避免增加一层金属层导致的铜腐蚀以及金属残留问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，以提高阵列基板上的铜的附着性并阻挡铜扩散的同时，避免增加一层金属层导致的铜腐蚀以及金属残留问题。为实现上述目的，本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：于基板上形成整面的第一金属层；于所述第一金属层远离所述基板的表面上形成整面的第二金属层；于所述第二金属层远离所述第一金属层的表面上形成整面的铜层；于所述铜层表面形成光阻层，所述光阻层经光罩曝光以及显影液显影后，剩余部分所述光阻层覆盖所述铜层的区域为保留区，显影液去除所述光阻层的区域为蚀刻区；采用蚀刻液蚀刻所述蚀刻区的铜层、第二金属层以及第一金属层，去除剩余所述光阻层，得所述阵列基板的图案化金属构件；其中，所述蚀刻液蚀刻所述第一金属层的蚀刻速率大于所述蚀刻液蚀刻所述第二金属层的蚀刻速率，所述第一金属层与所述基板的附着力大于所述铜层与所述基板的附着力。在上述阵列基板的制造方法中，所述第一金属层的制备材料包括钼，所述第二金属层的制备材料包括钛以及钒中的至少一种。在上述阵列基板的制造方法中，所述第一金属层为钼层，所述第二金属层为钼钛合金层。在上述阵列基板的制造方法中，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和大于或等于5纳米且小于或等于100纳米，所述蚀刻液中氟离子的含量大于0wt％且小于0.1wt％。在上述阵列基板的制造方法中，所述第一金属层的厚度的取值范围为大于或等于5纳米且小于或等于100纳米，所述第二金属层的厚度的取值范围为大于或等于5纳米且小于或等于100纳米。在上述阵列基板的制造方法中，所述图案化金属构件包括源漏电极以及数据线，和/或，所述图案化金属构件包括栅极以及扫描线。一种阵列基板，所述阵列基板包括基板以及图案化金属构件，所述图案化金属构件包括依次层叠设置于所述基板上的图案化第一金属层、图案化第二金属层以及图案化铜层，其中，所述图案化第一金属层与所述基板的附着力大于所述图案化铜层与所述基板的附着力，所述图案化金属构件是经过蚀刻液蚀刻依次层叠设置于所述基板上的第一金属层、第二金属层以及铜层得到，所述蚀刻液蚀刻所述第二金属层的蚀刻速率小于所述蚀刻液蚀刻所述第一金属层的蚀刻速率。在上述阵列基板中，所述第一金属层为钼层，所述第二金属层为钼钛合金层。在上述阵列基板中，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和大于或等于5纳米且小于或等于100纳米。在上述阵列基板中，所述图案化金属构件包括源漏电极以及数据线，和/或，所述图案化金属构件包括栅极以及扫描线。有益效果：本申请提供一种阵列基板及其制造方法，阵列基板的图案化金属构件包括依次层叠设置于基板上的图案化第一金属层、图案化第二金属层以及图案化铜层，蚀刻液蚀刻第二金属层的速率小于蚀刻液蚀刻第一金属层的速率，图案化第二金属层和图案化第一金属层的结构，可以避免第二金属层出现金属残留的问题的同时，可以避免图案化第二金属层被腐蚀而导致铜掏空问题，且图案化第一金属层与基板的附着力大于图案化铜层与基板的附着力，提高图案化金属构件在基板上的附着力，且能阻挡铜扩散。附图说明图1为本申请实施例阵列基板的结构示意图；图2为图1所示阵列基板中源漏电极的结构示意图；图3为制造本申请实施例阵列基板的流程示意图；图4A-4E为按图3所示流程制造阵列基板的过程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1以及图2，图1为本申请实施例阵列基板的结构示意图，图2为图1所示阵列基板中源漏电极的结构示意图。阵列基板100为薄膜晶体管阵列基板，阵列基板100可以用于液晶显示面板，也可以应用于有机发光二极管显示面板。阵列基板100包括基板10以及设置于基板10上多个阵列排布的薄膜晶体管11、数据线(未示出)以及扫描线(未示出)等。薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管。在本实施例中，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。薄膜晶体管包括有源层111、栅极112、源漏电极113、栅极绝缘层114以及层间绝缘层115，栅极绝缘层114形成于栅极112以及有源层111之间，层间绝缘层115形成于源漏电极113和栅极112之间，源漏电极113包括源电极1131以及漏电极1132，源电极1131和漏电极1132均通过层间绝缘层115和栅极绝缘层114上的过孔与有源层111接触。在本实施例中，图案化金属构件包括同层设置的源漏电极113、数据线以及其他金属导线等。图案化金属构件是通过蚀刻液蚀刻依次层叠设置于基板10上的第一金属层、第二金属层以及铜层得到。其中，图案化第一金属层与基板10的附着力大于图案化铜层与基板10的附着力，提高图案化金属构件在基板10上的附着力的同时，能避免铜层中的铜扩散至有源层111中，避免铜扩散影响薄膜晶体管的电性能，蚀刻液蚀刻第二金属层的速率小于蚀刻液蚀刻第一金属层的蚀刻速率，以使得需要完全蚀刻掉第二金属层才能蚀刻第一金属层，避免第二金属层残留，且图案化第二金属层不会出现腐蚀，也避免图案化第二金属层腐蚀导致图案化铜层出现掏空问题。以下结合源漏电极对图案化金属构件进行描述。图案化金属构件包括依次层叠设置于基板10上的图案化第一金属层11311、图案化第二金属层1312以及图案化铜层11313。图案化第一金属层11311用于提高图案化金属构件在基板上的附着力以及阻挡铜扩散的同时，还用于避免第二金属层蚀刻出现残留的问题。第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：/n于基板上形成整面的第一金属层；/n于所述第一金属层远离所述基板的表面上形成整面的第二金属层；/n于所述第二金属层远离所述第一金属层的表面上形成整面的铜层；/n于所述铜层表面形成光阻层，所述光阻层经光罩曝光以及显影液显影后，剩余部分所述光阻层覆盖所述铜层的区域为保留区，显影液去除所述光阻层的区域为蚀刻区；/n采用蚀刻液蚀刻所述蚀刻区的铜层、第二金属层以及第一金属层，去除剩余所述光阻层，得所述阵列基板的图案化金属构件；/n其中，所述蚀刻液蚀刻所述第一金属层的蚀刻速率大于所述蚀刻液蚀刻所述第二金属层的蚀刻速率，所述第一金属层与所述基板的附着力大于所述铜层与所述基板的附着力。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
于基板上形成整面的第一金属层；
于所述第一金属层远离所述基板的表面上形成整面的第二金属层；
于所述第二金属层远离所述第一金属层的表面上形成整面的铜层；
于所述铜层表面形成光阻层，所述光阻层经光罩曝光以及显影液显影后，剩余部分所述光阻层覆盖所述铜层的区域为保留区，显影液去除所述光阻层的区域为蚀刻区；
采用蚀刻液蚀刻所述蚀刻区的铜层、第二金属层以及第一金属层，去除剩余所述光阻层，得所述阵列基板的图案化金属构件；
其中，所述蚀刻液蚀刻所述第一金属层的蚀刻速率大于所述蚀刻液蚀刻所述第二金属层的蚀刻速率，所述第一金属层与所述基板的附着力大于所述铜层与所述基板的附着力。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的制备材料包括钼，所述第二金属层的制备材料包括钛以及钒中的至少一种。


3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为钼层，所述第二金属层为钼钛合金层。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和大于或等于5纳米且小于或等于100纳米，所述蚀刻液中氟离子的含量大于0wt％且小于0.1wt％。


5.根据权利要求1所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈梦，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44