面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造一面板的方法，包括下述步骤：提供一基板；在该基板上形成一第一透明导电层；以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层来制得一面板，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本发明专利技术还提供由本发明专利技术的上述方法制造的一面板。

Panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
面板及其制造方法
本专利技术涉及一种面板及其制造方法领域，更具体地，本专利技术涉及具有高穿透度的一面板及其制造方法。
技术介绍
现在，多数电子装置具有一或以上个面板。至少一透明导电层被使用在这些面板中，其通常包括一透明导电氧化物，例如一金属氧化物。然而，在金属氧化物中的金属经常被还原，导致面板的穿透度下降。因此，希望提供一面板及其制造方法来降低上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于制造一面板的方法，包括下述步骤：提供一基板；在基板上形成一第一透明导电层；以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理第一透明导电层；及在第一透明导电层上形成一第一绝缘层来制得一面板，其中面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本专利技术也提供由本专利技术的上述方法制造的一面板，其中面板包括：一基板；一第一透明导电层，设置于基板上；及一第一绝缘层，设置于第一透明导电层上，其中以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理第一透明导电层，而面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本专利技术还提供一电子装置，其包括上述面板。从下列的详细描述并结合附图，本专利技术的其他的新颖特征将变得更为清楚。附图说明图1A-1D为本专利技术一实施例揭示用于形成面板的过程的剖面图；图2A-2C为本专利技术另一实施例揭示用于形成面板的过程的剖面图。符号说明：11基板12栅极13第二绝缘层15半导体层16第一透明导电层>17第一绝缘层18第二透明导电层141第一电极142第二电极151底层152顶层T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8厚度TFT电晶体具体实施方式当结合附图阅读时，下列实施例用于清楚地展示本专利技术的上述及其他
技术实现思路
、特征及/或效果。通过具体实施方式的阐述，人们将进一步了解本专利技术所采用的技术手段及效果，以达到上述的目的。此外，由于本专利技术所揭示的内容应易于理解且可为本领域技术人员所实施，因此，所有不脱离本专利技术的概念的相等置换或修改应包含在权利要求中。此外，说明书及权利要求中例如“第一”或“第二”等序数仅为描述所请求的元件，而不代表或不表示所请求的元件具有任何顺序的序数，且不是所请求的元件及另一所请求的元件之间或制造方法的步骤之间的顺序。这些序数的使用仅是为了将具有特定名称的一个请求元件与具有相同名称的另一请求元件区分开来。此外，说明书及权利要求中例如“上方”、“上面”或“之上”不仅指与另一元件直接接触，也可指与另一元件间接接触。相同地，说明书及权利要求中例如“下方”、或“下面”不仅指与另一元件直接接触，也可指与另一元件间接接触。此外，说明书及权利要求中例如“连接”一词不仅指与另一元件直接连接，也可指与另一元件间接连接及电性连接。此外，当值在第一值到第二值的范围内时，该值可以为第一值、第二值、或第一值及第二值之间的另一个值。此外，“约”、“接近”、“几乎”、“大约”、或“基本上”一词通常表示在给定值或范围的20％、10％、5％、3％、2％、1％、或在0.5％内。在此处给出的数量为近似数量，即，在缺少“约”、“接近”、“几乎”、“大约”、或“基本上”的具体描述的情况下，“约”、“接近”、“几乎”、“大约”、或“基本上”的含义仍然可以被暗示。另外，本专利技术所揭示的不同实施例的技术特征可结合形成另一实施例。图1A-1D为本专利技术一实施例揭示用于形成面板的过程的剖面图。如图1A所揭示，提供一基板11。基板11可为一石英基板、一玻璃基板、一晶圆、或一蓝宝石基板等。基板11也可为一可挠性基板或一膜，而其材料可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，PET)、其他塑料或聚合物材料、或其组合。然而，本专利技术不限于此。接着，一栅极12形成于基板11上。栅极12的材料可包括金属(例如铜、铝、钛、铬、或钼)、其合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他电极材料，但本专利技术不限于此。另外，栅极12可具有一单层结构或一多层结构。在本专利技术一实施例中，栅极12可具有一双层结构，其中栅极12的一底层可为一钼层，而栅极12的一顶层可为一氮化钼层，但本专利技术不限于此。此外，在本专利技术一实施例中，栅极12的一厚度T1可为0.2μm至1μm的范围内(0.2μm≤T1≤1μm)，但本专利技术不限于此。应注意在说明书及权利要求中的“一特定层的一厚度”一词语是指沿基板的一法线方向在一相对平坦的区域中测量的最大厚度。然后，一第二绝缘层13形成于基板11上。第二绝缘层13的材料可包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、树脂、聚合物、光阻或其组合，但本专利技术不限于此。在本专利技术一实施例中，第二绝缘层13的材料可包括氮化硅，但本专利技术不限于此。在本专利技术一实施例中，第二绝缘层13的一厚度T2可为0.3μm至1μm的范围内(0.3μm≤T2≤1μm)，但本专利技术不限于此。在第二绝缘层13形成之后，一半导体层15形成于第二绝缘层13上。半导体层15的材料可包括非晶硅、多晶硅、或金属氧化物，例如IGZO(铟镓锌氧化物)、AIZO(铝铟锌氧化物)、HIZO(铪铟锌氧化物)、ITZO(铟锡锌氧化物)、IGZTO(铟镓锌锡氧化物)、或IGTO(铟镓锡氧化物)，但本专利技术不限于此。另外，半导体层15可具有一单层结构或一多层结构。在本专利技术一实施例中，半导体层15可具有一双层结构，其中一底层151可为一非晶硅层，而一顶层152可为一掺杂非晶硅层。在本专利技术另一实施例中，半导体层15可具有一单层结构，而半导体层15可为一非晶硅层或一掺杂非晶硅层。然而，本专利技术不限于此。此外，在本专利技术一实施例中，底层151的一厚度T3可为0.1μm至0.3μm的范围内(0.1μm≤T3≤0.3μm)，而顶层152的一厚度T4可为0.02μm至0.05μm的范围内(0.02μm≤T4≤0.05μm)，但本专利技术不限于此。然后，一第一电极141及一第二电极142形成于半导体层15上，其中第一电极141及第二电极142与半导体层15电性连接(尤其是半导体层15的顶层152)。因此，可制得一电晶体TFT，其包括：栅极12、对应栅极12而设置的半导体层15、及与半导体层15电性连接的第一电极141和第二电极142。在本专利技术一些实施例中，第一电极为一源极，而第二电极为一漏极。在本专利技术其他实施例中，第一电极为一漏极，而第二电极为一源极，但本专利技术不限于此。第一电极141及第二电极142的材料可包括金属(例如铜、铝、钛、铬、或钼)、其合金、金属氧化物、金属氮氧化物、其他电极材料、或其组合，但本专利技术不限于此。另外，第一电极141及第二电极142可具有一单层结构或一多层结构，且相似的使用上述材料。在本专利技术另一实施例中，第一电极141及第二电极142可具有一三层结构，但本专利技术不限于此。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造一面板的方法，其特征在于，包括下述步骤：/n提供一基板；/n在该基板上形成一第一透明导电层；/n以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及/n在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。/n

【技术特征摘要】
20181123 US 16/199,0061.一种用于制造一面板的方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供一基板；
在该基板上形成一第一透明导电层；
以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及
在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该面板的该穿透度大于或等于93％且小于或等于97％。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该气体的还原能力较H2的还原能力弱。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该气体包括N2O、Ar、O2、N2、He、或其组合。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一透明导电层的厚度小于该第一绝缘层的厚度。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈少宏，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71