面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造一面板的方法，包括下述步骤：提供一基板；在该基板上形成一第一透明导电层；以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层来制得一面板，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本发明专利技术还提供由本发明专利技术的上述方法制造的一面板。

Panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
面板及其制造方法
本专利技术涉及一种面板及其制造方法领域，更具体地，本专利技术涉及具有高穿透度的一面板及其制造方法。
技术介绍
现在，多数电子装置具有一或以上个面板。至少一透明导电层被使用在这些面板中，其通常包括一透明导电氧化物，例如一金属氧化物。然而，在金属氧化物中的金属经常被还原，导致面板的穿透度下降。因此，希望提供一面板及其制造方法来降低上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于制造一面板的方法，包括下述步骤：提供一基板；在基板上形成一第一透明导电层；以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理第一透明导电层；及在第一透明导电层上形成一第一绝缘层来制得一面板，其中面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本专利技术也提供由本专利技术的上述方法制造的一面板，其中面板包括：一基板；一第一透明导电层，设置于基板上；及一第一绝缘层，设置于第一透明导电层上，其中以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理第一透明导电层，而面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。本专利技术还提供一电子装置，其包括上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造一面板的方法，其特征在于，包括下述步骤：/n提供一基板；/n在该基板上形成一第一透明导电层；/n以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及/n在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。/n

【技术特征摘要】
20181123 US 16/199,0061.一种用于制造一面板的方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供一基板；
在该基板上形成一第一透明导电层；
以具有低还原能力的一气体的一等离子体处理该第一透明导电层；及
在该第一透明导电层上形成一第一绝缘层，其中该面板的一穿透度大于或等于90％且小于100％。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该面板的该穿透度大于或等于93％且小于或等于97％。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该气体的还原能力较H2的还原能力弱。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该气体包括N2O、Ar、O2、N2、He、或其组合。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一透明导电层的厚度小于该第一绝缘层的厚度。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈少宏，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71