阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法，阵列基板的制作方法通过采用多段式掩膜板对位于源漏极金属层上的光刻胶层进行曝光显影，以使对应显示区的第一薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度等于对应GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度，从而经过灰化处理后完全去除光刻胶层，使得后续第一薄膜晶体管沟道区域和第二薄膜晶体管沟道区域能够刻蚀完全，避免第一薄膜晶体管的源漏极、以及第二薄膜晶体管源漏极之间出现短路情况发生，从而弥补因显示区和GOA区薄膜晶体管密度差异等原因造成的显影液作用效率不同的缺陷。

Array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)的发展趋势为超窄边框、超低成本以及提升良率，为了实现这样的目的，引入阵列基板行驱动技术(GatedriverOnArray，GOA)技术，即直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，来代替外接驱动芯片。在GOA产品中，除了在阵列基板显示区设置有薄膜晶体管以外，位于阵列基板外围GOA区也存在大量的薄膜晶体管，即阵列基板存在至少两种类型的薄膜晶体管。而在实际的生产过程中，由于显示区和GOA区的薄膜晶体管密度的差异，导致显影液的作用速率存在差异，具体表现为，显示区所占面积大，薄膜晶体管密度小，显影速率则较快；而GOA区所占面积小，薄膜晶体管密度较大，显影速率则较慢，从而使得阵列基板在曝光显影后，显示区和GOA区残留的光刻胶具有厚度段差，可能造成GOA区薄膜晶体管沟道区域未刻蚀完全以至于源极和漏极发生短路，而显示区薄膜晶体管沟道区域也无法达到期望的设计长度。综上所述，需要提供一种新的阵列基板及其制作方法来解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供的阵列基板及其制作方法，解决了现有的阵列基板由于位于显示区和GOA区的薄膜晶体管的密度不同，导致显影液在显示区和GOA区作用速率不同，进而导致GOA区薄膜晶体管沟道区域未刻蚀完全，而引起源极和漏极短路的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：S10：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和GOA区，在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏极金属层；S20：在所述源漏极金属层上形成光刻胶层；S30：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以使对应所述显示区的第一薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度等于对应所述GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度；S40：对剩余所述光刻胶层进行灰化处理，完全去除对应位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管沟道区域和对应位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管沟道区域的所述光刻胶层；以及S50：对对应所述显示区和所述GOA区域的所述源漏极金属层进行刻蚀处理，以在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管的源漏极和沟道区域，在所述GOA区形成所述第二薄膜晶体管的源漏极和沟道区域。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管的密度小于位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管的密度。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，所述光刻胶层为正性光刻胶层，所述掩膜板对应所述GOA区的透光率小于所述掩膜板对应所述显示区的透光率。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，所述掩膜板对应所述显示区的透光率为所述掩膜板对应所述GOA区的透光率的20％～60％。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，所述掩膜板对应所述显示区的厚度大于所述掩膜板对应所述GOA区的厚度。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，所述第一薄膜晶体管沟道区域的长度等于所述第二薄膜晶体管沟道区域的长度，每相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的距离大于每相邻两个所述第二薄膜晶体管之间的距离。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，所述第一薄膜晶体管沟道区域的长度大于所述第二薄膜晶体管沟道区域的长度，每相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的距离等于每相邻两个所述第二薄膜晶体管之间的距离。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰阶掩膜板或两者的组合。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和GOA区；第一薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的所述显示区，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、所述栅绝缘层、所述有源层以及位于所述有源层上的源漏极和沟道区域；以及第二薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的所述GOA区，所述第二薄膜晶体管包括位于第二栅极、所述栅绝缘层、所述有源层以及位于所述有源层上的源漏极和沟道区域；其中，所述第一薄膜晶体管沟道区域在垂直于所述衬底基板上表面的方向的深度与所述第二薄膜晶体管沟道区域在垂直于所述衬底基板上表面的方向的深度相等。根据本专利技术实施例提供的阵列基板，位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管的密度小于位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管的密度。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的阵列基板及其制作方法，通过采用多段式掩膜板对位于源漏极金属层上的光刻胶层进行曝光显影，以使对应显示区的第一薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度等于对应GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度，从而经过灰化处理后完全去除光刻胶层，使得后续第一薄膜晶体管沟道区域和第二薄膜晶体管沟道区域能够刻蚀完全，避免第一薄膜晶体管的源漏极、以及第二薄膜晶体管源漏极之间出现短路情况发生，从而弥补因显示区和GOA区薄膜晶体管密度差异等原因造成的显影液作用效率不同的缺陷。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；图2～图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的平面结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有技术的阵列基板及其制作方法，由于位于显示区和GOA区的薄膜晶体管的密度不同，导致显影液在显示区和GOA区作用速率不同，进而导致GOA区薄膜晶体管沟道区域未刻蚀完全，而引起源极和漏极短路，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本专利技术实施例提供的阵列基板1的制作方法，需要说明的是，本专利技术实施例是以底栅型阵列基板的制作方法为例进行阐述说明的，顶栅型阵列基板的制作方法同样也在本申请的保护范围内，所述阵列基板1的制作方法包括以下步骤：S10：提供衬底基板10，所述衬底基板10包括显示区100a和GOA区100b，在所述衬底基板10上依次形成栅极、栅绝缘层30、有源层40以及源漏极金属层50。需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和GOA区，在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏极金属层；/nS20：在所述源漏极金属层上形成光刻胶层；/nS30：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以使对应所述显示区的第一薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度等于对应所述GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度；/nS40：对剩余所述光刻胶层进行灰化处理，完全去除对应位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管沟道区域和对应位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管沟道区域的所述光刻胶层；以及/nS50：对对应所述显示区和所述GOA区域的所述源漏极金属层进行刻蚀处理，以在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管的源漏极和沟道区域，在所述GOA区形成所述第二薄膜晶体管的源漏极和沟道区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和GOA区，在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏极金属层；
S20：在所述源漏极金属层上形成光刻胶层；
S30：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以使对应所述显示区的第一薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度等于对应所述GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度；
S40：对剩余所述光刻胶层进行灰化处理，完全去除对应位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管沟道区域和对应位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管沟道区域的所述光刻胶层；以及
S50：对对应所述显示区和所述GOA区域的所述源漏极金属层进行刻蚀处理，以在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管的源漏极和沟道区域，在所述GOA区形成所述第二薄膜晶体管的源漏极和沟道区域。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管的密度小于位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管的密度。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层为正性光刻胶层，所述掩膜板对应所述GOA区的透光率小于所述掩膜板对应所述显示区的透光率。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板对应所述显示区的透光率为所述掩膜板对应所述GOA区的透光率的20％～60％。


5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍玮娜，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44