薄膜晶体管基板的制作方法技术

一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括如下步骤：S1、提供基板并形成栅极；S2、依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及第二金属层；S3、涂覆光阻层，并通过第二光罩形成凹槽且移除非薄膜晶体管区域的光阻层；S4、以光阻层为遮挡，通过第一次蚀刻制程移除非薄膜晶体管区域的第二金属层；S5、通过第二次蚀刻制程移除非薄膜晶体管区域的半导体层；S6、对光阻层进行灰化处理，移除光阻层凹槽的底部；S7、以光阻层为遮挡，通过第三次蚀刻制程形成源极及漏极且曝露出半导体层；S8、剥离光阻层；S9、沉积钝化层并通过第三光罩与光刻制程图案化钝化层；以及S10、沉积透明电极层并通过第四光罩与光刻制程图案化透明电极层以形成像素电极。

Fabrication of thin film transistor substrate

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管基板的制作方法。
技术介绍
随着电子技术的快速发展，显示屏的屏幕做得越来越大、分辨率要求越来越高。由于需要高穿透，降低生产成本,薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)基板采用4道光罩工艺制作已越来越普遍。然而高端产品像素设计的金属线宽间距越来越窄，制程良率及显示屏质量遇到了些问题。请参考图1，TFT基板制造过程中，在提供基板10后，接着形成栅极20、栅极绝缘层30、半导体层40、第二金属层50(用以备制源极50a和漏极50b)，以及光阻层60。之后，会进行光刻制程移除非TFT区域的光阻层60。接着采用湿蚀刻或干蚀刻移除非TFT区域的半导体层40和第二金属层50，并在第二金属层50形成通道将源极50a和漏极50b区隔。此时，用做形成源极50a与漏极50b的第二层金50属与半导体层40之间，会有半导体拖尾40a产生。半导体拖尾40a除了受到光照影响时，半导体层40跟后续制程形成的像素电极层(未显示)之间会产生金属之间信号耦合效应而产生串扰。没有光照时，漏极50b跟像素电极层之间也会产生信号耦合效应而产生串扰,影响产品良率,甚至影响可靠度。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)基板的制作方法，不会有半导体拖尾产生，以解决现有的半导体拖尾产生的产品良率与可靠度问题。本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供基板，所述基板上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板上沉积第一金属层，并通过第一光罩与光刻制程图案化所述第一金属层，得到栅极；步骤S2、在所述栅极及所述基板上依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及第二金属层；步骤S3、在所述第二金属层上涂覆光阻层，并通过第二光罩对所述光阻层进行曝光、显影，所述光阻层上对应所述栅极上方形成凹槽，且所述基板上对应所述非TFT区域的所述光阻层被移除；步骤S4、以所述光阻层为遮挡，通过第一次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非TFT区域的所述第二金属层被移除；步骤S5、以所述光阻层为遮挡，通过第二次蚀刻制程对所述半导体层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非TFT区域的所述半导体层被移除；步骤S6、对所述光阻层进行灰化处理，使得所述光阻层对应所述栅极上方的所述凹槽的底部被穿透、移除所述凹槽的底部；步骤S7、以所述光阻层为遮挡，通过第三次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述光阻层凹槽部份对应的所述第二金属层被移除，形成源极及漏极，且曝露出所述半导体层；步骤S8、剥离所述光阻层；步骤S9、沉积钝化层覆盖所述TFT区域和所述非TFT区域的上方，并通过第三光罩与光刻制程图案化所述钝化层，曝露出所述漏极部份表面；以及步骤S10、沉积透明电极层覆盖所述TFT区域和所述非TFT区域的上方、以及所述漏极部份表面，并通过第四光罩与光刻制程图案化所述透明电极层以形成像素电极。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，所述第一次蚀刻制程是湿蚀刻制程。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，所述第二次蚀刻制程是干蚀刻制程，所述干蚀刻制程采用的气体选自六氟化硫、氯、氧、氢、三氟化氮其中之一、或其中两种以上的混合气体。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，所述第三次蚀刻制程是干蚀刻制程，所述干蚀刻制程采用的气体选自六氟化硫、氯、氧、氢、三氟化氮其中之一、或其中两种以上的混合气体。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，所述第三次蚀刻制程采用的气体为所述氯和所述三氟化氮的混合气体。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，所述第三次蚀刻制程中所述三氟化氮的流量大于第二次蚀刻制程中所述三氟化氮的流量，或所述第三次蚀刻制程中所述三氟化氮的总量大于第二次蚀刻制程中所述三氟化氮的总量。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，所述第二光罩为灰阶曝光光罩，所述灰阶曝光光罩是狭缝光罩或半色调光罩。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，在进行所述步骤S7之前，更包括采用干蚀刻制程移除所述非TFT区域的所述栅极绝缘层。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，当所述栅极绝缘层的材料为氧化硅时，所述干蚀刻制程采用四氟化碳和氧。在本专利技术的至少一种实施例中，其特征在于，当所述栅极绝缘层的材料为氮化硅时，所述干蚀刻制程采用六氟化硫和氯。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)基板结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的TFT基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的TFT基板的制作方法流程图；图4A-4H为示意图,显示本专利技术实施例的TFT基板在不同制作阶段的不同结构。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有的半导体拖尾问题及其产生的串扰现象，提出改变制程工序与相关制程参数，从而有利于改善串扰。下面结合具体实施例，对本专利技术进行详细说明。如图2-4H所示，本专利技术提供一种TFT(薄膜晶体管，ThinFilmTransistor)基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供基板10并形成栅极20(图4A)。基板10上界定有TFT区域63和非TFT区域64；步骤S2、依次沉积栅极绝缘层30、半导体层40、及第二金属层50(图4B)；步骤S3、涂覆光阻层60，并通过第二光罩形成凹槽62且使在非TFT区域64的光阻层60被移除(图4C)；步骤S4、以光阻层60为遮挡，通过第一次蚀刻制程移除非TFT区域64的第二金属层50(图4D)；步骤S5、通过第二次蚀刻制程移除非TFT区域64的半导体层40(图4E)；步骤S6、对光阻层60进行灰化处理，使得光阻层凹槽62的底部被移除(图4F)；步骤S7、以光阻层60为遮挡，通过第三次蚀刻制程形成源极50a及漏极50b，且曝露出半导体层40(图4G)；步骤S8、剥离光阻层60；步骤S9、沉积钝化层70并通过第三光罩与光刻制程图案化钝化层70(图4H)；以及步骤S10、沉积透明电极层80a并通过第四光罩与光刻制程图案化透明电极层80以形成像素电极(图2)。每个步骤的详细说明如下。同时参考图4A,步骤S1:提供基板10，基板10上设有T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1、提供基板，所述基板上设有薄膜晶体管区域与非薄膜晶体管区域，在所述基板上沉积第一金属层，并通过第一光罩与光刻制程图案化所述第一金属层，得到栅极；/n步骤S2、在所述栅极及所述基板上依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及第二金属层；/n步骤S3、在所述第二金属层上涂覆光阻层，并通过第二光罩对所述光阻层进行曝光、显影，所述光阻层上对应所述栅极上方形成凹槽，且所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述光阻层被移除；/n步骤S4、以所述光阻层为遮挡，通过第一次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述第二金属层被移除；/n步骤S5、以所述光阻层为遮挡，通过第二次蚀刻制程对所述半导体层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述半导体层被移除；/n步骤S6、对所述光阻层进行灰化处理，使得所述光阻层对应所述栅极上方的所述凹槽的底部被穿透、移除所述凹槽的底部；/n步骤S7、以所述光阻层为遮挡，通过第三次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述光阻层凹槽部份对应的所述第二金属层被移除，形成源极及漏极，且曝露出所述半导体层；/n步骤S8、剥离所述光阻层；/n步骤S9、沉积钝化层覆盖所述薄膜晶体管区域和所述非薄膜晶体管区域的上方，并通过第三光罩与光刻制程图案化所述钝化层，曝露出所述漏极部份表面；以及/n步骤S10、沉积透明电极层覆盖所述薄膜晶体管区域和所述非薄膜晶体管区域的上方、以及所述漏极部份表面，并通过第四光罩与光刻制程图案化所述透明电极层以形成像素电极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供基板，所述基板上设有薄膜晶体管区域与非薄膜晶体管区域，在所述基板上沉积第一金属层，并通过第一光罩与光刻制程图案化所述第一金属层，得到栅极；
步骤S2、在所述栅极及所述基板上依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及第二金属层；
步骤S3、在所述第二金属层上涂覆光阻层，并通过第二光罩对所述光阻层进行曝光、显影，所述光阻层上对应所述栅极上方形成凹槽，且所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述光阻层被移除；
步骤S4、以所述光阻层为遮挡，通过第一次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述第二金属层被移除；
步骤S5、以所述光阻层为遮挡，通过第二次蚀刻制程对所述半导体层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述半导体层被移除；
步骤S6、对所述光阻层进行灰化处理，使得所述光阻层对应所述栅极上方的所述凹槽的底部被穿透、移除所述凹槽的底部；
步骤S7、以所述光阻层为遮挡，通过第三次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述光阻层凹槽部份对应的所述第二金属层被移除，形成源极及漏极，且曝露出所述半导体层；
步骤S8、剥离所述光阻层；
步骤S9、沉积钝化层覆盖所述薄膜晶体管区域和所述非薄膜晶体管区域的上方，并通过第三光罩与光刻制程图案化所述钝化层，曝露出所述漏极部份表面；以及
步骤S10、沉积透明电极层覆盖所述薄膜晶体管区域和所述非薄膜晶体管区域的上方、以及所述漏极部份表面，并通过第四光罩与光刻制程图案化所述透明电极层以形成像素电极。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊梅，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44