TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置，通过将LTPO和FOD两种工艺在一次阵列制程中制作，利用LTPO驱动OLED发光，在LTPO基板上同时制作薄膜光学指纹传感器实现屏下指纹识别，其中氧化物TFT的栅极和LTPS TFT的栅极或源/漏极同时制作，在制作LTPS TFT的源/漏极或栅极的同时，在氧化物TFT的两侧制作遮蔽层，可以节省光罩成本，并降低光照对氧化物TFT的影响。

TFT array substrate and its preparation method, OLED touch display device

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，以下简称OLED)显示技术与传统的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，以下简称LCD)不同，OLED无需背光灯，而是采用有机发光材料，当有电流通过时，这些有机发光材料就会发光。通过采用非常薄的有机材料涂层，使得OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，且OLED显示屏幕可视角度更大，并且能够显著节省电能。低温多晶氧化物薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-OxideTFT，以下简称LTPOTFT)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术。从理论上讲，LTPOTFT相比传统的低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiliconTFT，以下简称LTPSTFT)技术而言，可以节省5-15％的电量，让整块显示屏幕的功耗更低。随着全面屏的发展，屏下指纹(FingerprintsensorOnDisplay，以下简称FOD)得到市场的追捧。FOD主要有光学屏下指纹，超声波屏下指纹和薄膜光学指纹传感器技术(即采用TFT方案)。TFT方案技术原理为：指纹信息经由盖板玻璃反射后被像素的光敏器件获取，光子转换为电信号后通过设计的16位模拟/数字电路进行数据分析，再由图像处理技术处理后输出清晰完整的指纹图像。随着人们对显示器件的要求越来越高，集成了LTPO和FOD的氧化物薄膜晶体管的设计及应用越来越搜到重视，其可以同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别。但是，研究中发现，虽然氧化物半导体对可见光透过率较高，但是在光照条件下氧化物TFT器件特性将发生退化。因此，如何同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别，提高屏幕的屏占比，且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响，成为现有显示器件技术发展需要改进的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置，可以同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别，提高屏幕的屏占比，且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响。为实现上述目的，本申请提供了一种TFT阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管、一第一氧化物薄膜晶体管及一遮蔽层，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成，所述遮蔽层形成于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧；以及在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管；其中，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光，所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。为实现上述目的，本申请还提供了一种TFT阵列基板，包括：一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；一第一低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述像素驱动区，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光；一第一氧化物薄膜晶体管，设置于所述像素驱动区，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极同层；一遮蔽层，设置于所述像素驱动区，且对应于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧，所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光；以及一第三薄膜晶体管，设置于所述屏下指纹区，所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。为实现上述目的，本申请还提供了一种OLED触控显示装置，包括：一薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板采用本申请所述的薄膜晶体管阵列基板；一有机发光层，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上；一阴极层，设置于所述有机发光层上；一薄膜封装层，设置于所述阴极层上；一触控层，设置于所述薄膜封装层上；一偏光片，设置于所述触控层上；以及一盖板，设置于所述偏光片上。本申请的优点在于：本申请将LTPO和FOD两种工艺在一次阵列制程中制作，节省了制程时间，降低了成本。利用反应速度更快、但功耗更低的LTPO驱动OLED发光，在LTPO基板上同时制作薄膜光学指纹传感器实现屏下指纹识别，其中氧化物TFT的栅极和LTPSTFT的栅极或源/漏极同时制作，并在制作LTPSTFT的源/漏极或栅极的同时，在氧化物TFT的两侧制作遮蔽层，可以节省光罩成本，并降低光照对氧化物TFT的影响。选用黑色吸光材料制成像素定义层，进一步降低了光照影响。采用氧化物TFT或LTPSTFT作为屏下指纹的传感器实现光传感，有机发光层发出的光经过显示器件的盖板反射后进入传感器，传感器感应光强的变化从而产生光电流的变化，最终实现指纹识别。本申请在实现能耗降低的同时，节省工艺成本，且可以实现屏下指纹，提高屏幕的屏占比，且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本申请TFT阵列基板的制备方法的流程图；图2A-图2D为本申请TFT阵列基板的制备方法一实施例的制备流程图；图3为本申请OLED触控显示装置第一实施例的膜层结构示意图；图4为本申请指纹传感器分布示意图；图5为本申请OLED触控显示装置第二实施例的膜层结构示意图；图6为本申请OLED触控显示装置第三实施例的膜层结构示意图；图7为本申请OLED触控显示装置第四实施例的膜层结构示意图。具体实施方式下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本申请的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”“第二”“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排它的包含。本申请所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。以下通过参考附图描述的实施方式及使用的方向用语是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用。本申请提出一种TFT阵列基板设计，将LTPO和FOD两种工艺在一次阵列制程中制作，节省了制程时间，降低了成本。基板集成了LTPO和FOD技术，利用反应速度更快、但功耗更低的LTPO驱动OLED发光，在LTPO基板上同时制作薄膜光学指纹传感器实现屏下指纹识别本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；/n在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管、一第一氧化物薄膜晶体管及一遮蔽层，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成，所述遮蔽层形成于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧；以及/n在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管；/n其中，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光，所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；
在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管、一第一氧化物薄膜晶体管及一遮蔽层，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成，所述遮蔽层形成于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧；以及
在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管；
其中，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光，所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三薄膜晶体管为一第三低温多晶硅薄膜晶体管；所述第三低温多晶硅薄膜晶体管与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的结构相同，且所述第三低温多晶硅薄膜晶体管的多晶硅有源层与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的多晶硅有源层通过一次构图工艺形成。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述第三薄膜晶体管为一第三氧化物薄膜晶体管，所述第三氧化物薄膜晶体管与所述第一氧化物薄膜晶体管的结构相同，且所述第三氧化物薄膜晶体管的栅极、所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极、所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成；
所述遮蔽层进一步形成于所述屏下指纹区，并对应于所述第三氧化物薄膜晶体管的两侧，用于对所述第三氧化物薄膜晶体管进行遮光。


4.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：
一衬底，所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区；
一第一低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述像素驱动区，所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光；
一第一氧化物薄膜晶体管，设置于所述像素驱动区，所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制，其中，所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极同层；
一遮蔽层，设置于所述像素驱动区，且对应于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧，所述遮蔽...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳齐，金武谦，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42