刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其包括：在衬底上制备栅极层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；在刻蚀阻挡膜上形成光阻图案，光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，第一光阻包括中间部和与中间部相连的侧部，侧部的厚度小于中间部的厚度；分别采用湿法刻蚀，将未被光阻保护的刻蚀阻挡膜和金属氧化物半导体膜去除；采用干法刻蚀，去除侧部，减薄中间部和第二光阻；采用湿法刻蚀，去除未被中间部保护的刻蚀阻挡膜；剥离掉剩余的光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；依次制备源漏极层、钝化层、像素电极层。节约了一道光罩制程，同时保护了有源层沟道区不受侵蚀及破坏。

Fabrication of etched barrier array substrate

【技术实现步骤摘要】
刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法。
技术介绍
刻蚀阻挡型薄膜晶体管由于有刻蚀阻挡层的保护，避免了源漏极背沟道刻蚀对有源层的损伤，而呈现出良好的稳定性，在阵列基板中被广泛应用。然而，在刻蚀阻挡型阵列基板的制程中，光阻剥离液会对有源层产生侵蚀，造成有源层表面粗糙度的增加；同时，光阻黄光和剥离过程也会使得有源层氧空位缺陷态的增加，导致器件性能的下降；另外，刻蚀型阵列基板的制程中光罩工艺较多，成本较高。因此，现有刻蚀阻挡型阵列基板的制备工艺存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，以缓解现有刻蚀阻挡型阵列基板的制备工艺存在缺陷。为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其包括：在衬底上依次制备栅极层、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；在所述刻蚀阻挡膜上涂布一层光阻；采用半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；所述光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，所述第一光阻包括中间部和位于所述中间部侧边与所述中间部相连的侧部，所述侧部的厚度小于所述中间部的厚度；采用氢氟酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述第一光阻和所述第二光阻保护的所述刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述第一光阻和所述第二光阻保护的金属氧化物半导体膜进行刻蚀去除；采用干法刻蚀工艺，对所述侧部进行刻蚀去除，对所述中间部和所述第二光阻进行刻蚀减薄；采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述中间部的保护的所述刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；剥离掉剩余的所述光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上依次制备源漏极层、钝化层、以及像素电极层。在本专利技术提供的制备方法中，所述中间部的厚度为1.4～2.5um，所述侧部的厚度为0.5～0.8um。在本专利技术提供的制备方法中，所述在所述栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜的步骤包括：采用物理气相溅射法，在所述栅极绝缘层上沉积一层所述金属氧化物半导体膜；采用等离子体化学气相法，在所述金属氧化物半导体膜上沉积一层蚀刻阻挡膜。在本专利技术提供的制备方法中，所述金属氧化物半导体膜的材料为氧化铟镓锌、氧化铟锌、铟镓锌锡氧化物中的任意一种。在本专利技术提供的制备方法中，所述蚀刻阻挡膜为氧化硅薄膜、氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的叠层结构中的任意一种。在本专利技术提供的制备方法中，在所述刻蚀阻挡膜上涂布的光阻为正性光阻和负性光阻中的任意一种。在本专利技术提供的制备方法中，所述采用半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案的步骤包括：采用第一半色调光罩为掩膜版，对所述正性光阻进行曝光；采用碱性的显影液对曝光后的正性光阻进行显影，去除被曝光的光阻，保留未被曝光的光阻。在本专利技术提供的制备方法中，所述采用半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案的步骤包括：采用第二半色调光罩为掩膜版，对所述负性光阻进行曝光；采用碱性的显影液对曝光后的负性光阻进行显影，去除未被曝光的光阻，保留被曝光的光阻。在本专利技术提供的制备方法中，所述在衬底上依次制备栅极层、栅极绝缘层的步骤包括：采用物理气相溅射法，在所述衬底上沉积一层金属导电薄膜；采用一次光刻工艺，对所述金属导电薄膜进行图案化处理，形成栅极层；采用等离子化学气相法，在所述栅极层上沉积一层绝缘膜层，作为栅极绝缘层。在本专利技术提供的制备方法中，所述在所述刻蚀阻挡层上依次制备源漏极层、钝化层、以及像素电极层的步骤包括：采用物理气相溅射法，在所述刻蚀阻挡层上沉积一层金属导电薄膜；并采用一次光刻工艺，对所述金属导电薄膜进行图案化处理，形成源漏极层；采用等离子化学气相法，在所述源漏极层上沉积一层绝缘膜层；并采用一次光刻工艺，对所述绝缘膜层的预定区域进行刻蚀，形成钝化层；采用物理气相溅射法，在所述钝化层上沉积一层金属导电薄膜；采用一次光刻工艺，对所述金属导电薄膜进行图案化处理，形成像素电极层。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，该制备方法包括：在衬底上依次制备栅极层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；在刻蚀阻挡膜上涂布一层光阻；采用半色调光罩对光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，第一光阻包括中间部和位于中间部侧边与中间部相连的侧部，侧部的厚度小于中间部的厚度；采用氢氟酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被第一光阻和第二光阻保护的刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被第一光阻和第二光阻保护的金属氧化物半导体膜进行刻蚀去除；采用干法刻蚀工艺，对侧部进行刻蚀去除，对中间部和第二光阻进行刻蚀减薄；采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被中间部的保护的刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；剥离掉剩余的光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；在刻蚀阻挡层上依次制备源漏极层、钝化层、以及像素电极层。该方法既节约一道光罩制程，节约了制作成本，又保护了有源层沟道区不受黄光、及刻蚀制程中药液的侵蚀及破坏，降低了沟道区与蚀刻阻挡层界面缺陷的风险，提高了刻蚀阻挡型阵列基板的性能。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的刻蚀阻挡型阵列基板的制备流程图。图2(a)至图2(j)为本专利技术实施例提供的刻蚀阻挡型阵列基板的制备示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。针对现有刻蚀阻挡型阵列基板的制备工艺存在缺陷的问题，本专利技术提供一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，可以缓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上依次制备栅极层、栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；/n在所述刻蚀阻挡膜上涂布一层光阻；/n采用半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；所述光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，所述第一光阻包括中间部和位于所述中间部侧边与所述中间部相连的侧部，所述侧部的厚度小于所述中间部的厚度；/n采用氢氟酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述第一光阻和所述第二光阻保护的所述刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；/n采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述第一光阻和所述第二光阻保护的金属氧化物半导体膜进行刻蚀去除；/n采用等离子体干法刻蚀工艺，对所述侧部进行刻蚀去除，对所述中间部和所述第二光阻进行刻蚀减薄；/n采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述中间部保护的所述刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；/n剥离掉剩余的所述光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；/n在所述刻蚀阻挡层上依次制备源漏极层、钝化层、以及像素电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次制备栅极层、栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；
在所述刻蚀阻挡膜上涂布一层光阻；
采用半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；所述光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，所述第一光阻包括中间部和位于所述中间部侧边与所述中间部相连的侧部，所述侧部的厚度小于所述中间部的厚度；
采用氢氟酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述第一光阻和所述第二光阻保护的所述刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；
采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述第一光阻和所述第二光阻保护的金属氧化物半导体膜进行刻蚀去除；
采用等离子体干法刻蚀工艺，对所述侧部进行刻蚀去除，对所述中间部和所述第二光阻进行刻蚀减薄；
采用草酸系药剂湿法刻蚀工艺，对未被所述中间部保护的所述刻蚀阻挡膜进行刻蚀去除；
剥离掉剩余的所述光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上依次制备源漏极层、钝化层、以及像素电极层。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中间部的厚度为1.4～2.5um，所述侧部的厚度为0.5～0.8um。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜的步骤包括：
采用物理气相溅射法，在所述栅极绝缘层上沉积一层所述金属氧化物半导体膜；
采用等离子体化学气相法，在所述金属氧化物半导体膜上沉积一层蚀刻阻挡膜。


4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体膜的材料为氧化铟镓锌、氧化铟锌、铟镓锌锡氧化物中的任意一种。


5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡膜为氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44