【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种薄膜晶体管器件及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、在高刷新率、低能耗、解复用驱动产品中，薄膜晶体管器件需要具有较大的开态电流以满足充电率需求，或降低薄膜晶体管器件的尺寸实现窄边框、高穿透率，短沟道技术可以大幅提升器件开态电流、缩小器件尺寸，若将沟道缩小至1微米内，相对于常规薄膜晶体管器件，开态电流可提升4倍以上。
2、垂直沟道可以大幅缩小沟道尺寸，提高单位面积内薄膜晶体管器件的电流通过能力。但对绝缘层刻蚀开孔，会对背沟道界面造成损伤，如形貌不均、大量断键，造成电性下降。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种薄膜晶体管器件及其制备方法、显示面板，可以降低薄膜晶体管器件的背沟道膜面损伤的风险。
2、本申请实施例提供一种薄膜晶体管器件，其包括：
3、衬底；
4、第一电极，设置在所述衬底上；
5、层间介质层，覆盖所述第一电极和所述衬底，所述层间介质层上开设有过孔，所述过孔暴露所述第一电极；
6、第二电极，设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧；
7、无机绝缘层，覆盖所述过孔的孔壁；
8、有源层，设置在所述第一电极、所述无机绝缘层和所述第二电极上，所述有源层连接于所述第一电极和所述第二电极；
9、栅极绝缘层，覆盖所述有源层；以及
10、栅极，设置在所述栅极绝缘层远离所述过孔的孔壁的一侧；
11、其中，所述第一电极、所述第二电极和
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述导电性元素包括硅元素和铝元素。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机绝缘层的一侧与所述第一电极相连，所述无机绝缘层的另一侧与所述第二电极相连，所述第一电极的至少部分为金属硅化物，所述第二电极的至少部分为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
14、或，所述第一电极的至少部分为铝合金，所述第二电极的至少部分为铝合金，所述无机绝缘层为氧化铝。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第一部的电阻值小于所述第二部的电阻值；所述无机绝缘层的一侧与所述第二电极相连，所述无机绝缘层的另一侧与所述第二部相连；所述第二部为金属硅化物，所述第二电极为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
16、或，所述第二部为铝合金，所述第二电极为铝合金，所述无机绝缘层为氧化铝。
17、可选的，在本申请的一些实施例中，第二金属层和设置在所述第二金属层远离所述衬底一侧的第二导电层，所述第二导电层为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
18、或，所述第二导电层为铝合金，所述无机绝缘层为氧化铝。
19、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第一部为单层金属层，所述第二部包括第一金属层和设置在所述第一金属层远离所述衬底一侧的第一导电层，所述第一部和所述第一金属层的材料相同；
20、所述第一导电层为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
21、或，所述第一导电层为铝合金，所述无机绝缘层为氧化铝。
22、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第二部包括第一金属层和设置在所述第一金属层远离所述衬底一侧的第一导电层，所述第一部包括所述第一金属层和设置在所述第一金属层远离所述衬底一侧的第三金属层；
23、所述第一导电层为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
24、或，所述第一导电层为铝合金，所述无机绝缘层为氧化铝。
25、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属硅化物或所述铝合金包括镍、铜和钛中的至少一种。
26、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机绝缘层接触于所述有源层的表面的平整度优于所述过孔的孔壁的平整度。
27、相应的，本申请实施例还提供一种薄膜晶体管器件的制备方法，其包括以下步骤：
28、在衬底上依次形成第一基底电极、层间介质层和第二基底电极；
29、图案化所述层间介质层以形成过孔，所述过孔暴露所述第一基底电极的至少部分；
30、在所述层间介质层上形成导电材料层，所述导电材料层包括依次相连的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分覆盖所述第二基底电极，所述第二部分覆盖所述过孔的侧壁，所述第三部分覆盖裸露的所述第一基底电极；
31、在不低于300摄氏度下氧化或氮化处理所述导电材料层使得所述第三部分与所述第一基底电极形成第一电极、所述第二部分转变为无机绝缘层、所述第一部分与所述第二基底电极形成第二电极；
32、在所述无机绝缘层上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极，所述有源层连接于所述第一电极和所述第二电极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述过孔的孔壁的一侧。
33、可选的，在本申请的一些实施例中，所述导电材料层厚度介于5纳米至50纳米之间。
34、相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括如上述任意一项实施例所述的薄膜晶体管器件。
35、本申请实施例的薄膜晶体管器件包括衬底、第一电极、层间介质层、第二电极、无机绝缘层、有源层、栅极绝缘层和栅极，第一电极设置在衬底上；层间介质层覆盖第一电极和衬底，层间介质层上开设有过孔，过孔暴露第一电极的至少部分；第二电极设置在层间介质层远离衬底的一侧；无机绝缘层覆盖过孔的孔壁；有源层设置在第一电极、无机绝缘层和第二电极上，有源层连接于第一电极和第二电极；栅极绝缘层覆盖有源层；栅极设置在栅极绝缘层远离过孔的孔壁的一侧；其中，第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素。
36、其中，本申请实施例采用无机绝缘层覆盖过孔的孔壁，以弥补过孔孔壁因刻蚀造成的损伤，为有源层的形成提高良好背沟道膜面，从而提高薄膜晶体管器件的性能；另外，第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素，可使得无机绝缘层、第一电极的至少部分、第二电极的至少部分采用同种材料经过高温氧化或氮化一次形成，节省光罩制程。
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1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述导电性元素包括硅元素和铝元素。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述无机绝缘层的一侧与所述第一电极相连，所述无机绝缘层的另一侧与所述第二电极相连；
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第一部的电阻值小于所述第二部的电阻值；所述无机绝缘层的一侧与所述第二电极相连，所述无机绝缘层的另一侧与所述第二部相连；
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第二电极包括第二金属层和设置在所述第二金属层远离所述衬底一侧的第二导电层，所述第二导电层为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管器件，其特征在于， 所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第一部为单层金属
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第二部包括第一金属层和设置在所述第一金属层远离所述衬底一侧的第一导电层，所述第一部包括所述第一金属层和设置在所述第一金属层远离所述衬底一侧的第三金属层；
8.根据权利要求3-7任意一项所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述金属硅化物或所述铝合金包括镍、铜和钛中的至少一种。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述无机绝缘层接触于所述有源层的表面的平整度优于所述过孔的孔壁的平整度。
10.一种薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，所述导电材料层厚度介于5纳米至50纳米之间。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的薄膜晶体管器件。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述导电性元素包括硅元素和铝元素。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述无机绝缘层的一侧与所述第一电极相连，所述无机绝缘层的另一侧与所述第二电极相连；
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第一部的电阻值小于所述第二部的电阻值；所述无机绝缘层的一侧与所述第二电极相连，所述无机绝缘层的另一侧与所述第二部相连；
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第二电极包括第二金属层和设置在所述第二金属层远离所述衬底一侧的第二导电层，所述第二导电层为金属硅化物，所述无机绝缘层为硅化物；
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管器件，其特征在于， 所述第一电极包括相连的第一部和第二部，所述第一部远离所述衬底的一侧覆盖有所述层间介质层，所述第二部连接于所述有源层，所述第一部为单层金属层，所述第二部包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘念，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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