一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板技术

本申请揭露一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板，通过在TFT的源/漏极制程之后，进一步将源/漏极两侧的无机层全部蚀刻掉，之后直接在源/漏极上方及无机层被挖掉的区域采用有机材料进行填充形成平坦化层，提升了面板的弯折性能，减少了Mask费用，并减少一道制程工艺，降低了产品的开发费用，提高了产品的竞争力。

A preparation method of flexible array substrate and flexible array substrate

【技术实现步骤摘要】
一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板。
技术介绍
随着科技的不断发展，人们对显示器件的要求越来越高。窄边框甚至无边框屏成为当前市场柔性显示器件(FlexibleDisplay)的主流方向，为了尽可能的增大屏占比，实现窄边框甚至无边框化，需要将左右边沿以及上下边沿区域尽可能缩小。有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，以下简称OLED)显示技术相比液晶显示技术(LiquidCrystalDisplay，以下简称LCD)有很多的优点，其中最主要的一个特征在于OLED可以实现显示形态的自由化，使得显示画面不再局限于平面。比如说OLED显示屏边框窄，制成重量轻，可实现弯曲、折叠、甚至是卷曲等。OLED显示面板开发制程一般分为阵列基板(Array)段、EL(OLED材料蒸镀)段、封装段、模组段等。由于对屏幕要求越高，屏幕的制作成本也会相应加大。比如窄边框设计，伴随而来的是减小电源信号金属线的宽度，此措施对电学性能方面的主要的影响是增大了IRdrop(IR压降)，会导致面板均匀性较差，因此需要通过增加金属制程来降低IRdrop增大的影响。对于卷曲屏设计，需要通过增加有机填充制程，来增强屏幕的抗弯折性能；常见的实现面板卷曲方式是在阵列基板段的栅极制程之后，源/漏极制程之前，先将走线之间的无机层挖掉，再通过填充有机层来提升面板的可弯折性能，这通常需要增加两道光罩掩膜板(Mask)制程。而增加Mask、增加工艺制程，无疑会增加产品的开发费用，增加成本，影响产品的竞争力。因此，如何提升面板的弯折性能，同时节省Mask、减少工艺制程，成为现有阵列基板技术发展急需解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板，可以提升面板的弯折性能，同时节省Mask、减少工艺制程，提高产品的竞争力。为实现上述目的，本申请提供了一种柔性阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供一阵列基板，所述阵列基板包括一柔性衬底和形成在所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层；对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，形成填充孔；在所述填充孔内以及所述源/漏极上沉积有机材料，形成一平坦化层。为实现上述目的，本申请还提供了一种柔性阵列基板，包括：一柔性衬底；设置于所述所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层；设置于所述源/漏极两侧的填充孔；设置于所述填充孔内以及所述源/漏极上的一平坦化层，所述平坦化层所采用的材料为有机材料。本申请的优点在于：本申请提供的柔性阵列基板的制备方法，在TFT的源/漏极制程之前，无需进行填充孔的蚀刻及有机材料的填充制程，通过在TFT的源/漏极制程之后，进一步将源/漏极两侧的无机层全部蚀刻掉，之后直接在源/漏极上方及无机层被挖掉的区域采用有机材料进行填充形成平坦化层，有机材料填充面积变大，可大幅提升面板的弯折性能，实现卷曲屏或折叠屏功能；且用于生成源/漏极的Mask与用于蚀刻源/漏极两侧的无机层的Mask，可以采用同一Mask，减少了Mask费用，并减少一道制程工艺，降低了产品的开发费用及产品生产周期，提高了产能，进而提高了产品的竞争力。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1A-图1F，本申请柔性阵列基板的制备方法第一实施例的制备流程图；图2A-图2J，本申请柔性阵列基板的制备方法第二实施例的制备流程图；图3A-图3J，现有技术中阵列基板的制备方法的制备流程图。具体实施方式下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本申请的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”“第二”“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排它的包含。本申请所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。以下通过参考附图描述的实施方式及使用的方向用语是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用。本申请主要针对面板开发中阵列基板(Array)段的工艺制程，Array段是在衬底基板上通过各膜层之间的沉积，形成可驱动整个面板正常工作的电路架构。常规膜层主要包括：有源层(Poly)、栅极(GE)、源/漏极(S/D)、平坦化层(PLN)、阳极(ANO)、像素定义层(PDL)以及支撑层(PS)，其中，Poly与GE之间、GE与SD之间都通过无机绝缘层支撑。本申请提供的柔性阵列基板的制备方法，通过在包括一柔性衬底和形成在所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层的阵列基板上，对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，形成填充孔，在所述填充孔内以及所述源/漏极上沉积有机材料，形成一平坦化层。即，在TFT的源/漏极(S/D)制程之后，进一步将S/D两侧的无机层全部蚀刻掉，之后直接在S/D上方及无机层被挖掉的区域采用有机材料进行填充，形成平坦化层，可大幅提升面板的弯折性能，实现卷曲屏或折叠屏功能。同时，用于生成S/D的光罩掩膜板(Mask)与用于蚀刻S/D两侧的无机层的Mask，可以采用同一Mask，即采用同一Mask通过同一道光刻制程工艺实现，减少了Mask费用，并减少一道制程工艺，降低了产品的开发费用及产品生产周期，提高了产能，进而提高了产品的竞争。请参阅图1A-图1F，本申请柔性阵列基板的制备方法第一实施例的制备流程图。所述制备方法包括如下步骤：步骤11：在一柔性衬底上通过一第一光罩掩膜板图案化一有源层，形成TFT(薄膜晶体管)的沟道区，请参阅图1A。如图1A所示，通过在所述柔性衬底100上沉积一有源层，并采用一第一光罩掩膜板(未图示)对所述有源层进行图案化，形成TFT的沟道区111。所述有源层可以为多晶硅(poly-Si)；所述柔性衬底100可以包括聚亚酰胺(PI)层101，以及形成在PI层101上的缓冲(Buffer)层102，以利于提升面板的弯折性能。步骤12：在所述柔性衬底上形成一栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上通过一第二光罩掩膜板图案化一栅极层，形成所述TFT的栅极，请参阅图1B。如图1B所示，通过在所述柔性衬底100上沉积一栅极绝缘(GI)层112，所述GI层112覆盖所述柔性衬底100以及所述沟道区111；之后在所述G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一阵列基板，所述阵列基板包括一柔性衬底和形成在所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层；/n对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，形成填充孔；/n在所述填充孔内以及所述源/漏极上沉积有机材料，形成一平坦化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种柔性阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一阵列基板，所述阵列基板包括一柔性衬底和形成在所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层；
对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，形成填充孔；
在所述填充孔内以及所述源/漏极上沉积有机材料，形成一平坦化层。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充孔暴露出所述柔性衬底以及所述栅极。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻的步骤进一步包括：
形成所述源/漏极之后，以用来形成所述源/漏极的光罩掩膜板作为掩模，进一步对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，以去除所述无机层未被所述源/漏极覆盖的部分并保留被所述源/漏极覆盖的部分，从而形成所述填充孔。


4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻的步骤进一步包括：
形成所述源/漏极之后，直接以所述源/漏极作为掩模，进一步对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，以去除所述无机层未被所述源/漏极覆盖的部分并保留被所述源/漏极覆盖的部分，从而形成所述填充孔。


5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板进一步采用如下步骤制成：
在所述柔性衬底上通过一第一光罩掩膜板图案化一有源层，形成所述沟道区；
在所述柔性衬底上形成一栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上通过一第二光罩掩膜板图案化一栅极层，形成所述栅极；
在所述栅极绝缘层上形成一层间绝缘层，并通过一第三光罩掩膜板对所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层进行蚀刻，形成源/漏极接触孔；
在所述层间绝缘层上通过一第四光罩掩膜板图案化一源/漏极层，形成所述源/漏极，其中，所述源/漏极通过所述源/漏极接触孔与所述沟道区相接触。


6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板进一步采用如下步骤制成：

【专利技术属性】
技术研发人员：郑园，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42