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本发明提供了一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其包括：在衬底上制备栅极层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；在刻蚀阻挡膜上形成光阻图案，光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，第一光阻包括中间...
该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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