薄膜晶体管阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，通过沉积第一透明导电薄膜后，形成覆盖第一透明导电薄膜的第二绝缘层，并依次对第二绝缘层和第一透明导电薄膜进行图案化，在对应每个TFT的接触孔的位置去除第二绝缘层和第一透明导电薄膜，以形成公共电极和叠置于公共电极上方的绝缘保护层，再形成覆盖第二绝缘层的第三绝缘层并打开接触孔时，只需将接触孔上的位置蚀刻掉，即去除第三绝缘层和第一绝缘层对应接触孔的位置，后续完成像素电极的图形时能保证像素电极填入每个TFT的接触孔不发生断线的现象，改善了薄膜晶体管阵列基板的质量。

Thin film transistor array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)和薄膜晶体管阵列基板(TFTarray)以及夹置在两者之间的液晶层(LClayer)。在传统的薄膜晶体管阵列基板制造流程中，公共电极图形化后，形成覆盖公共电极的绝缘层，在绝缘层上进行像素电极的图形化，以形成条状的像素电极，为了争取进一步超低能耗属性的高竞争力产品和提高制程Margin，需要将条状像素电极之间的绝缘层挖空，为了达到将条状像素电极之间的绝缘层挖空，需增加绝缘层的蚀刻时间，会出现下方公共电极裸露的问题，所以为了避免这个问题，在公共电极上增加了氧化硅的保护。可是在形成像素电极与薄膜晶体管(TFT)导电连接的接触孔时，需要在对应接触孔的位置挖掉像素电极下方的绝缘层、氧化硅层和氧化硅层下方的绝缘层，由于普通绝缘层材料的蚀刻速率会比氧化硅的蚀刻速率快，所以会造成氧化硅层下方的绝缘层被蚀刻掉太多而出现底部切角(undercut)的情况，导致后续层别(例如形成像素电极层)爬坡断线，而引起薄膜晶体管阵列基板出现质量问题；而且由于制作氧化硅时所需温度很高，制作公共电极一般又采用氧化铟锡(ITO)材料，容易出现氧化铟锡提前结晶的问题，以及两者材料属性不兼容等一系列劣化效应。专利技术内容本专利技术的目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，能够解决像素电极爬坡断线的问题，改善了薄膜晶体管阵列基板的质量。一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成呈阵列排布的多个TFT；形成覆盖多个所述TFT的第一绝缘层；形成覆盖所述第一绝缘层的平坦层，并对所述平坦层进行图案化，在对应于每个接触孔的位置处去除所述平坦层而露出下方的所述第一绝缘层；在所述平坦层上沉积导电层，并对所述导电层进行蚀刻图案化，以形成导电条；在所述平坦层和所述导电条上沉积第一透明导电薄膜；形成覆盖所述第一透明导电薄膜的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行图案化，在对应每个接触孔的位置去除所述第二绝缘层，并在所述第二绝缘层的去除位置露出下方的所述第一透明导电薄膜；对所述第一透明导电薄膜进行图案化，在对应于每个接触孔的位置去除所述第一透明导电薄膜而露出下方的所述平坦层和所述第一绝缘层，所述第一透明导电薄膜在图案化之后形成公共电极，所述公共电极与所述第二绝缘层上下重叠；形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层，所述第三绝缘层还同时覆盖露出的所述平坦层和所述第一绝缘层；在显示区内对所述第三绝缘层和所述第一绝缘层进行图案化，对应于每个接触孔的位置去除所述第三绝缘层和所述第一绝缘层，以在每个接触孔的位置处露出每个所述TFT的一个导电极；在所述第三绝缘层上沉积第二透明导电薄膜，所述第二透明导电薄膜填入每个所述TFT的接触孔中并与每个所述TFT露出的导电极接触；在所述第二透明导电薄膜上涂布光阻，并利用光罩对所述光阻进行曝光显影，然后以留下的所述光阻为遮罩对所述第二透明导电薄膜进行图案化，所述第二透明导电薄膜在图案化之后形成多个像素电极，其中每个所述像素电极为具有像素电极条与第一狭缝的图案化结构，且每个所述像素电极通过接触孔与对应的TFT的一个导电极连接；在所述第二透明导电薄膜被图案化形成所述多个像素电极之后，继续以留下的所述光阻为遮罩对所述第三绝缘层进行蚀刻工艺，使所述第三绝缘层被蚀刻而形成相互间隔的多个绝缘层图案，每个所述绝缘层图案与一个像素电极相对应，所述绝缘层图案与所述像素电极上下重叠；去除所述光阻。进一步地，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化制作形成扫描线和所述TFT的栅极，所述扫描线与所述栅极连接，在所述扫描线和所述TFT的栅极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述第一绝缘层下方，在非显示区内对应第一桥接孔的位置去除所述第三绝缘层、所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层，以露出所述扫描线。进一步地，在所述非显示区内对所述第三绝缘层和所述第二绝缘层进行图案化，在对应所述第二桥接孔的位置去除所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以露出所述公共电极；在所述非显示区内形成设置在第三绝缘层上的桥接电极，所述桥接电极通过所述第一桥接孔与所述扫描线电性连接，所述桥接电极通过所述第二桥接孔与所述公共电极电性连接。进一步地，所述桥接电极与所述像素电极同层设置，且由所述第二透明导电薄膜蚀刻形成。进一步地，所述第三绝缘层在与每个像素电极的电极条相对应的位置之外的其余区域被蚀刻掉而露出下方的所述第二绝缘层后，在所述像素电极上涂布所述光阻，并利用光罩对所述光阻进行曝光显影，然后以留下的所述光阻为遮罩对所述像素电极进行图案化，使所述像素电极的投影小于或等于所述第三绝缘层。进一步地，所述导电层沉积在所述非显示区的第一绝缘层上，并对所述导电层进行蚀刻图案化，以形成导电线，所述导电线与所述导电条连接，所述第三绝缘层覆盖于所述导电线上，在所述第三绝缘层上沉积第二透明导电薄膜，对所述第二透明导电薄膜和第三绝缘层上涂布光阻进行图案化，形成与所述导电线上下重叠的所述第三绝缘层和所述第二透明导电薄膜。进一步地，所述第三绝缘层和所述第二绝缘层选用不同的材料，所述第三绝缘层的蚀刻速率大于所述第二绝缘层。进一步地，所述第二绝缘层采用氧化硅，所述第三绝缘层采用氮化硅或氮氧化硅。进一步地，在所述平坦层上镀膜形成导电条前，对所述平坦层靠近所述导电条的表面进行等离子体轰击。本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板，由上述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法制作形成。本专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，通过沉积第一透明导电薄膜后，形成覆盖第一透明导电薄膜的第二绝缘层，并依次对第二绝缘层和第一透明导电薄膜进行图案化，在对应每个TFT的接触孔的位置去除第二绝缘层和第一透明导电薄膜，以形成公共电极和叠置于公共电极上方的绝缘保护层，再形成覆盖第二绝缘层的第三绝缘层并打开接触孔时，只需将接触孔上的位置蚀刻掉，即去除第三绝缘层和第一绝缘层对应接触孔的位置，后续完成像素电极的图形时能保证像素电极填入每个TFT的接触孔不发生断线的现象，改善了薄膜晶体管阵列基板的质量。附图说明图1为本专利技术实施例中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图2a-2o为本专利技术实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图；图3为本专利技术实施例中薄膜晶体管阵列基板的桥接电极的位置示意图；图4为本专利技术实施例中薄膜晶体管阵列基板的导电线的位置示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在基板上形成呈阵列排布的多个TFT；/n形成覆盖多个所述TFT的第一绝缘层；/n形成覆盖所述第一绝缘层的平坦层，并对所述平坦层进行图案化，在对应于每个接触孔的位置处去除所述平坦层而露出下方的所述第一绝缘层；/n在所述平坦层上沉积导电层，并对所述导电层进行蚀刻图案化，以形成导电条；/n在所述平坦层和所述导电条上沉积第一透明导电薄膜；/n形成覆盖所述第一透明导电薄膜的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行图案化，在对应每个接触孔的位置去除所述第二绝缘层，并在所述第二绝缘层的去除位置露出下方的所述第一透明导电薄膜；/n对所述第一透明导电薄膜进行图案化，在对应于每个接触孔的位置去除所述第一透明导电薄膜而露出下方的所述平坦层和所述第一绝缘层，所述第一透明导电薄膜在图案化之后形成公共电极，所述公共电极与所述第二绝缘层上下重叠；/n形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层，所述第三绝缘层还同时覆盖露出的所述平坦层和所述第一绝缘层；/n在显示区内对所述第三绝缘层和所述第一绝缘层进行图案化，对应于每个接触孔的位置去除所述第三绝缘层和所述第一绝缘层，以在每个接触孔的位置处露出每个所述TFT的一个导电极；/n在所述第三绝缘层上沉积第二透明导电薄膜，所述第二透明导电薄膜填入每个所述TFT的接触孔中并与每个所述TFT露出的导电极接触；/n在所述第二透明导电薄膜上涂布光阻，并利用光罩对所述光阻进行曝光显影，然后以留下的所述光阻为遮罩对所述第二透明导电薄膜进行图案化，所述第二透明导电薄膜在图案化之后形成多个像素电极，其中每个所述像素电极为具有像素电极条与第一狭缝的图案化结构，且每个所述像素电极通过接触孔与对应的TFT的一个导电极连接；/n在所述第二透明导电薄膜被图案化形成所述多个像素电极之后，继续以留下的所述光阻为遮罩对所述第三绝缘层进行蚀刻工艺，使所述第三绝缘层被蚀刻而形成相互间隔的多个绝缘层图案，每个所述绝缘层图案与一个像素电极相对应，所述绝缘层图案与所述像素电极上下重叠；/n去除所述光阻。/n...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成呈阵列排布的多个TFT；
形成覆盖多个所述TFT的第一绝缘层；
形成覆盖所述第一绝缘层的平坦层，并对所述平坦层进行图案化，在对应于每个接触孔的位置处去除所述平坦层而露出下方的所述第一绝缘层；
在所述平坦层上沉积导电层，并对所述导电层进行蚀刻图案化，以形成导电条；
在所述平坦层和所述导电条上沉积第一透明导电薄膜；
形成覆盖所述第一透明导电薄膜的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行图案化，在对应每个接触孔的位置去除所述第二绝缘层，并在所述第二绝缘层的去除位置露出下方的所述第一透明导电薄膜；
对所述第一透明导电薄膜进行图案化，在对应于每个接触孔的位置去除所述第一透明导电薄膜而露出下方的所述平坦层和所述第一绝缘层，所述第一透明导电薄膜在图案化之后形成公共电极，所述公共电极与所述第二绝缘层上下重叠；
形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层，所述第三绝缘层还同时覆盖露出的所述平坦层和所述第一绝缘层；
在显示区内对所述第三绝缘层和所述第一绝缘层进行图案化，对应于每个接触孔的位置去除所述第三绝缘层和所述第一绝缘层，以在每个接触孔的位置处露出每个所述TFT的一个导电极；
在所述第三绝缘层上沉积第二透明导电薄膜，所述第二透明导电薄膜填入每个所述TFT的接触孔中并与每个所述TFT露出的导电极接触；
在所述第二透明导电薄膜上涂布光阻，并利用光罩对所述光阻进行曝光显影，然后以留下的所述光阻为遮罩对所述第二透明导电薄膜进行图案化，所述第二透明导电薄膜在图案化之后形成多个像素电极，其中每个所述像素电极为具有像素电极条与第一狭缝的图案化结构，且每个所述像素电极通过接触孔与对应的TFT的一个导电极连接；
在所述第二透明导电薄膜被图案化形成所述多个像素电极之后，继续以留下的所述光阻为遮罩对所述第三绝缘层进行蚀刻工艺，使所述第三绝缘层被蚀刻而形成相互间隔的多个绝缘层图案，每个所述绝缘层图案与一个像素电极相对应，所述绝缘层图案与所述像素电极上下重叠；
去除所述光阻。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化制作形成扫描线和所述TFT的栅极，所述扫描线与所述栅极连接，在所述扫描线和所述TFT的栅极上形成栅极绝缘层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李治朝，郑玮玮，马晓旭，张伟，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32