薄膜晶体管阵列面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，包括：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；剥离所述光刻胶层的第二部分。本发明专利技术提供的薄膜晶体管阵列面板及其制作方法可以提高显示面板中薄膜晶体管的稳定性。

Thin film transistor array panel and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。
技术介绍
显示面板分为液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)两大类。有机发光二极管和液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)根据栅极的制作工序不同，分为底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管；其中，底栅型薄膜晶体管又分为背沟道刻蚀型薄膜晶体管和沟道保护膜型薄膜晶体管。目前，常用四道掩模(Mask)以形成背沟道型薄膜晶体管的制作工艺，在该工艺中，采用刻蚀工艺对沟道区的光刻胶进行处理，以便于后续沟道(Channel)的形成，但是，使用刻蚀工艺对沟道区的光刻胶进行处理的同时往往会造成沟道区外的光刻胶的厚度减薄，在进行后续刻蚀时光刻胶不能有效阻挡刻蚀液，从而影响显示面板中薄膜晶体管的稳定性。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，用于提高显示面板中薄膜晶体管的稳定性。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，包括：步骤A：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；步骤B：在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；步骤C：利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；步骤D：对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；步骤E：剥离所述光刻胶层的第二部分。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤C包括：步骤c1：将所述掩模板架设于所述光刻胶层上；步骤c2：向所述掩模板照射激光，使得透过所述掩模板的所述激光对所述光刻胶层的第一部分进行激光刻蚀，以除去所述光刻胶层的第一部分。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤c2包括：沿所述器件板的水平方向平移所述掩模板至预定距离，使得所述光刻胶层的第一部分被刻蚀。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤D包括：步骤d1：利用所述掩模板和所述激光束的组合对所述金属层与所述光刻胶层的第一部分对应的位置进行激光刻蚀，以形成所述源极图案、所述漏极图案和所述沟道区。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤d1包括：步骤d11：将所述掩模板架设于所述光刻胶层上；步骤d12：向所述掩模板照射所述激光，使得透过所述掩模板的所述激光对所述金属层与所述光刻胶层的第一部分对应的位置进行激光刻蚀，以形成所述源极图案、所述漏极图案和所述沟道区。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述掩模板包括透光区和遮光区，其中，所述掩模板的透光区架设于与所述光刻胶层的第一部分对应的位置，所述掩模板的遮光区架设于与所述光刻胶层的第二部分对应的位置。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述掩模板的透光区包括第一透光部和第二透光部，所述第二透光部位于所述第一透光部的两侧，并且所述第一透光部的透光率小于所述第二透光部的透光率。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤D还包括：步骤d2：采用刻蚀工艺对所述金属层与所述光刻胶层的第一部分对应的位置进行刻蚀，以形成所述源极图案、所述漏极图案和所述沟道区。在本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，包括：形成所述沟道区保护层。本专利技术实施例还包括一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板由根据上述任一项所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法制成。与现有技术相比，在本专利技术实施例中的薄膜晶体管及其制作方法中，利用掩模板和激光束的组合对沟道区的光刻胶进行刻蚀，防止沟道区外的光刻胶的厚度被减薄，在进行后续刻蚀时光刻胶能够有效阻挡刻蚀液，保护金属层不被刻蚀，从而提高显示面板中薄膜晶体管的稳定性。另外，利用掩模板和激光束的组合对光刻胶进行刻蚀可大大缩短生产时间，提高产能。同时，通过设置掩模板不同区域的透光率不同，可以有效改善曝光的光刻胶以及后续形成沟道区的平整度，从而提高薄膜晶体管沟道的充电特性。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管阵列面板的制作方法的流程图；图2至图6为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管阵列面板的制作方法的示意图；图7为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管阵列面板的示意图；图8为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中掩模板的示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本专利技术具体实施例，其不应被视为限制本专利技术未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。需要说明的是，在本专利技术实施例中，所述薄膜晶体管阵列面板的制作方法包括有源矩阵有机发光二极管中薄膜晶体管阵列面板的制作方法以及液晶显示器中薄膜晶体管阵列面板的制作方法，所述薄膜晶体管阵列面板包括有源矩阵有机发光二极管中薄膜晶体管阵列面板以及液晶显示器中薄膜晶体管阵列面板。如图1所示，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，包括：步骤S1：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板100、栅极110、栅极绝缘层120、有源层130和金属层140；具体地，如图2所示，首先，对基板100洗净之后，利用溅射镀膜法在基板100表面沉积形成一金属膜层，利用光刻技术形成栅极110，栅极110的材料包括钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)中的一种或两种及两种以上的组合，其中，所述基板100包括玻璃基板和柔性衬底；然后，利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)技术在栅极110上依次形成栅极绝缘层120和有源层130，所述栅极绝缘层120的材料包括氧化硅化合物(SiOx)和氮化硅化合物(SiNx)氧化铝(Al2O3)五氧化二钽(Ta2O5)等，有源层130的材料包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)和多晶硅材料，例如，有源层130为多晶硅材料时，首先利用化学气相沉积技术在栅极绝缘层120上形成半导体活性层，为了降低金属电极和非晶硅之间的接触电阻，利用准分子激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，包括：/n步骤A：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；/n步骤B：在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；/n步骤C：利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；/n步骤D：对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；/n步骤E：剥离所述光刻胶层的第二部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤A：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；
步骤B：在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；
步骤C：利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；
步骤D：对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；
步骤E：剥离所述光刻胶层的第二部分。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤C包括：
步骤c1：将所述掩模板架设于所述光刻胶层上；
步骤c2：向所述掩模板照射激光，使得透过所述掩模板的所述激光对所述光刻胶层的第一部分进行激光刻蚀，以除去所述光刻胶层的第一部分。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤c2包括：
沿所述器件板的水平方向平移所述掩模板至预定距离，使得所述光刻胶层的第一部分被刻蚀。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤D包括：
步骤d1：利用所述掩模板和所述激光束的组合对所述金属层与所述光刻胶层的第一部分对应的位置进行激光刻蚀，以形成所述源极图案、所述漏极图案和所述沟道区。


5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑立彬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44