薄膜晶体管阵列面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，包括：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；剥离所述光刻胶层的第二部分。本发明专利技术提供的薄膜晶体管阵列面板及其制作方法可以提高显示面板中薄膜晶体管的稳定性。

Thin film transistor array panel and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。
技术介绍
显示面板分为液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)两大类。有机发光二极管和液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)根据栅极的制作工序不同，分为底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管；其中，底栅型薄膜晶体管又分为背沟道刻蚀型薄膜晶体管和沟道保护膜型薄膜晶体管。目前，常用四道掩模(Mask)以形成背沟道型薄膜晶体管的制作工艺，在该工艺中，采用刻蚀工艺对沟道区的光刻胶进行处理，以便于后续沟道(Channel)的形成，但是，使用刻蚀工艺对沟道区的光刻胶进行处理的同时往往会造成沟道区外的光刻胶的厚度减薄，在进行后续刻蚀时光刻胶不能有效阻挡刻蚀液，从而影响显示面板中薄膜晶体管的稳定性。故，有必要提出一种新的技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，包括：/n步骤A：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；/n步骤B：在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；/n步骤C：利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；/n步骤D：对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；/n步骤E：剥离所述光刻胶层的第二部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤A：形成一器件板，所述器件板依次层叠有基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和金属层；
步骤B：在所述金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶层的第一部分和光刻胶层的第二部分；
步骤C：利用掩模板和激光束的组合对所述光刻胶层的第一部分进行处理，以除去所述光刻胶层的第一部分；
步骤D：对所述金属层进行处理，以形成源极图案、漏极图案和沟道区；
步骤E：剥离所述光刻胶层的第二部分。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤C包括：
步骤c1：将所述掩模板架设于所述光刻胶层上；
步骤c2：向所述掩模板照射激光，使得透过所述掩模板的所述激光对所述光刻胶层的第一部分进行激光刻蚀，以除去所述光刻胶层的第一部分。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤c2包括：
沿所述器件板的水平方向平移所述掩模板至预定距离，使得所述光刻胶层的第一部分被刻蚀。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤D包括：
步骤d1：利用所述掩模板和所述激光束的组合对所述金属层与所述光刻胶层的第一部分对应的位置进行激光刻蚀，以形成所述源极图案、所述漏极图案和所述沟道区。


5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑立彬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44