微型半导体元件结构制造技术

本发明专利技术实施例揭示微型半导体元件结构。在一些实施例中，微型半导体元件结构可包括基板、设置于基板上方的多个微型半导体元件以及设置于基板及微型半导体元件之间的多个第一支撑层。微型半导体元件各自具有一第一电极及一第二电极，其设置于该些微型半导体元件的下表面上，其中该下表面包含一区域，其中该区域在该第一电极与该第二电极之间。第一支撑层于该基板上的正投影至少与该区域于该基板上的正投影部分重叠。第一支撑层与区域直接接触。

Micro semiconductor component structure

【技术实现步骤摘要】
微型半导体元件结构
本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及微型半导体元件结构。
技术介绍
随着光电科技的进步，许多光电元件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(LightEmittingDiode，LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以阵列排列制作的微型发光二极管(MicroLED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式微型半导体元件显示器，其除了相较于有机发光二极管(OrganicMicrosemiconductorDiode，OLED)显示器而言更为省电以外，也具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更佳优良的可靠性以及更长的使用寿命。然而，微型发光二极管仍然具有一些缺点。例如在后续进行高温制程(例如共晶接合)时，微型发光二极管的一对电极可能变成熔融态而互相接触导致短路。此外，发光二极管经常透过支撑层来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并转移至接收基板上，且通过支撑层来巩固微型发光二极管，使微型发光二极管于转移时不会受到其他外因而影响品质。然而，在微型发光二极管转移至接收基板后，支撑层可能会残留在微型发光二极管上而影响后续制程，使微型发光二极管的效能降低。因此，虽然现有的微型发光二极管已大致符合需求，但仍然存在许多问题，因此如何改善现有的微型发光二极管已成为目前业界相当重视的课题之一。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供微型半导体元件结构，其中微型半导体元件结构可包括基板；设置于基板上方的多个微型半导体元件，微型半导体元件各自具有一第一电极及一第二电极，其设置于该些微型半导体元件的一下表面上，其中该下表面包含一区域；以及设置于基板及微型半导体元件之间的多个第一支撑层，其中第一支撑层于基板上的正投影至少与区域于基板上的正投影部分重叠，其中第一支撑层与区域直接接触。本专利技术实施例的微型半导体元件结构具有设置于基板及微型半导体元件之间的第一支撑层，其可架高微型半导体元件以利拾取微型半导体元件。微型半导体元件结构可还包括设置于基板与第一支撑层之间的第二支撑层，以更稳固地支撑微型半导体元件。另外，第一支撑层及第二支撑层皆不占据微型半导体元件的侧壁旁的空间，使微型半导体元件能密集地排列在基板上。在一些实施例中，第一支撑层于基板上的正投影完全位于区域于基板上的正投影内。在一些实施例中，第一支撑层的正投影由区域的正投影内朝第一方向延伸至区域的正投影外。在一些实施例中，第一支撑层于基板上的正投影由区域的正投影内朝第一方向向外延伸至相邻的微型半导体元件的区域的正投影内。在一些实施例中，在区域的正投影内，相邻的第一支撑层的正投影彼此不接触，形成多条不连续的第一支撑层。在一些实施例中，在区域的正投影内，相邻的第一支撑层的正投影彼此接触，形成连续结构。在一实施例中，微型半导体元件结构，还包括：设置于基板与第一支撑层之间的多个第二支撑层。在一实施例中，第二支撑层于基板上的正投影位于区域的正投影内。在一实施例中，第二支撑层的正投影由区域的正投影内朝第二方向向外延伸，并横跨相邻的微型半导体元件的正投影，其中第二方向相异于第一方向。举例来说，第二方向垂直于第一方向。在一实施例中，第二支撑层的正投影位于相邻的微型半导体元件的正投影之间。在一实施例中，第一支撑层于基板上的正投影与电极于基板上的正投影不重叠。在一实施例中，第一支撑层与电极不接触。在一实施例中，第一支撑层的宽度与第一区域的宽度的比值为小于或等于1且大于或等于0.1。在一实施例中，第二支撑层与电极不接触。在一实施例中，第一支撑层包括有机材料。在一实施例中，有机材料包括苯并环丁烯、酚醛树脂、环氧树脂、聚异戊二烯橡胶或其组合。在一实施例中，第二支撑层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。在一实施例中，第一支撑层或第二支撑层包括热变质材料。在一实施例中，热变质材料包括冷脆材料、热熔性材料、热挥发性材料或其组合。在一实施例中，第一支撑层的杨氏模量小于第二支撑层的杨氏模量。在一实施例中，任一个第一支撑层的厚度大于电极的厚度。在一实施例中，任一个第一支撑层的厚度加上任一个第二支撑层的厚度大于电极的厚度。在一实施例中，任一个第一支撑层的宽度大于任一个第二支撑层的宽度。在一实施例中，第一支撑层或第二支撑层具有上宽下窄的形状。附图说明通过以下的详细描述配合附图，可以更加理解本专利技术实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。图1A显示本专利技术的一实施例的微型半导体元件结构100a的俯视示意图；图1B是沿图1A的A-A’剖线所示出的微型半导体元件结构100a的剖面示意图；图1C是沿图1A的B-B’剖线所示出的微型半导体元件结构100a的剖面示意图；图1D是图1A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图1E为图1A至图1D的微型半导体元件20的一具体范例；图2显示本专利技术的另一实施例的微型半导体元件结构100b的剖面示意图；图3显示本专利技术的另一实施例的微型半导体元件结构100c的剖面示意图；图4显示本专利技术的另一实施例的微型半导体元件结构100d的微型半导体元件20的仰视示意图；图5A显示本专利技术的一实施例的微型半导体元件结构100e的俯视示意图；图5B是沿图5A的B-B’剖线所示出的微型半导体元件结构100e的剖面示意图；图5C是图5A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图6A显示本专利技术的一实施例的微型半导体元件结构100f的俯视示意图；图6B是图6A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图7A显示本专利技术的一实施例的微型半导体元件结构100g的俯视示意图；图7B是沿图7A的A-A’剖线所示出的微型半导体元件结构100g的剖面示意图；图7C是图7A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图8A显示本专利技术的一些实施例的微型半导体元件结构100h的俯视示意图；图8B是沿图8A的B-B’剖线所示出的微型半导体元件结构100h的剖面示意图；图8C是图8A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图9显示本专利技术的一实施例的微型半导体元件结构100i的俯视示意图；图10A显示本专利技术的一些实施例的微型半导体元件结构100j的俯视示意图；图10B是沿图10A的A-A’剖线所示出的微型半导体元件结构100j的剖面示意图；图10C是图10A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图11A显示本专利技术的一些实施例的微型半导体元件结构100k的俯视示意图；图11B是沿图11A的B-B’剖线所示出的微型半导体元件结构100k的剖面示意图；图11C是图11A中的任一个微型半导体元件20的仰视示意图；图12显示本专利技术的一些本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型半导体元件结构，包括：/n基板；/n多个微型半导体元件，设置于所述基板上方，所述多个微型半导体元件各自具有第一电极及第二电极，其设置于所述多个微型半导体元件的下表面上，其中所述下表面包含区域，其中所述区域在所述第一电极与所述第二电极之间；以及/n多个第一支撑层，设置于所述基板及所述多个微型半导体元件之间，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影至少与所述区域于所述基板上的正投影部分重叠，其中所述多个第一支撑层与所述区域直接接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型半导体元件结构，包括：
基板；
多个微型半导体元件，设置于所述基板上方，所述多个微型半导体元件各自具有第一电极及第二电极，其设置于所述多个微型半导体元件的下表面上，其中所述下表面包含区域，其中所述区域在所述第一电极与所述第二电极之间；以及
多个第一支撑层，设置于所述基板及所述多个微型半导体元件之间，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影至少与所述区域于所述基板上的正投影部分重叠，其中所述多个第一支撑层与所述区域直接接触。


2.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影位于所述区域于所述基板上的正投影内。


3.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层的正投影由所述区域的正投影内朝第一方向延伸至所述区域的正投影外。


4.根据权利要求3所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影由所述区域的正投影内朝所述第一方向向外延伸至相邻的所述多个微型半导体元件的所述区域的正投影内。


5.根据权利要求4所述的微型半导体元件结构，其中在所述区域的正投影内，相邻的所述多个第一支撑层的正投影彼此不接触，形成多条不连续的所述多个第一支撑层。


6.根据权利要求4所述的微型半导体元件结构，其中在所述区域的正投影内，相邻的所述多个第一支撑层的正投影彼此接触，形成连续结构。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的微型半导体元件结构，还包括：
多个第二支撑层，设置于所述基板与所述多个第一支撑层之间。


8.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第二支撑层于所述基板上的正投影位于所述区域的正投影内。


9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志凌，刘应苍，陈培欣，史诒君，陈奕静，李玉柱，张桓仆，罗玉云，苏义闵，林子旸，赖育弘，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71