【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示器装置和微型发光二极管驱动电路
本专利技术是有关于一种低功率微型发光二极管显示器装置和低功率微型发光二极管驱动电路。
技术介绍
此处的陈述仅提供与本专利技术有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。近年来，微型装置在各种应用领域逐渐流行。微型发光二极管装置为具有前瞻性的子领域之一，其中的一个重要议题为微型发光二极管驱动电路的功耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，而提出一种改进的微型发光二极管显示器装置和微型发光二极管驱动电路，具有低功率驱动的效果。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术的一些实施方法公开了一种微型发光二极管显示器装置，其包含驱动晶体管和微型发光二极管。驱动晶体管包含基板、底栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、汲极电极、源极电极和绝缘层。底栅极设置在基板上。栅极绝缘层设置在底栅极上。半导体层设置在栅极绝缘层上。蚀刻阻挡层设置在半导体层上，且蚀刻阻挡层为环形。汲极电极设置在蚀刻阻挡层上并接触半导...
【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示器装置，其特征在于，包含：/n驱动晶体管，包含：/n基板；/n底栅极，设置在所述基板上；/n栅极绝缘层，设置在所述底栅极上；/n半导体层，设置在所述栅极绝缘层上；/n蚀刻阻挡层，设置在所述半导体层上，其中所述蚀刻阻挡层为环形；/n汲极电极，设置在所述蚀刻阻挡层上并接触所述半导体层，其中所述汲极电极为环形且所述汲极电极和所述半导体层之间的接触部分围绕所述半导体层；/n源极电极，设置在所述蚀刻阻挡层上并接触所述半导体层，其中所述汲极电极包围所述源极电极，所述汲极电极和所述源极电极形成环形开口，且至少一部分的所述蚀刻阻挡层通过所述环形开口而露出；以及/n...
【技术特征摘要】
20181115 US 16/191,4701.一种微型发光二极管显示器装置，其特征在于，包含：
驱动晶体管，包含：
基板；
底栅极，设置在所述基板上；
栅极绝缘层，设置在所述底栅极上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层上；
蚀刻阻挡层，设置在所述半导体层上，其中所述蚀刻阻挡层为环形；
汲极电极，设置在所述蚀刻阻挡层上并接触所述半导体层，其中所述汲极电极为环形且所述汲极电极和所述半导体层之间的接触部分围绕所述半导体层；
源极电极，设置在所述蚀刻阻挡层上并接触所述半导体层，其中所述汲极电极包围所述源极电极，所述汲极电极和所述源极电极形成环形开口，且至少一部分的所述蚀刻阻挡层通过所述环形开口而露出；以及
绝缘层，设置在所述汲极电极、所述源极电极、和所述蚀刻阻挡层上，其中所述绝缘层具有至少一个通孔于其内，用以露出一部分的所述源极电极和一部分的所述汲极电极两者其中之一，或用以露出一部分的所述源极电极和一部分的所述汲极电极；以及
微型发光二极管，其横向长度小于或等于50微米，并电性连接至所述源极电极和所述汲极电极两者其中之一，所述微型发光二极管包含：
第一型半导体层；
主动层，在所述第一型半导体层上且接合所述第一型半导体层；以及
第二型半导体层，在所述主动层上且接合所述主动层，其中电流注入通道在所述微型发光二极管的所述第一型半导体层和所述第二型半导体层两者其中之一内延伸，且所述电流注入通道与所述微型发光二极管的侧表面分开。
2.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述微型发光二极管接触所述源极电极和所述汲极电极两者其中之一。
3.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，更包含连接电极，设置在所述绝缘层上并经由所述通孔接触所述源极电极和所述汲极电极两者其中之一。
4.如权利要求3所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，更包含底电极，设置在所述基板上并接触所述连接电极，其中所述发光二极管接触所述底电极。
5.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述底栅极为环形。
6.如权利要求5所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述底栅极包围一部分的所述源极电极。
7.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述半导体层为环形。
8.如权利要求7所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述源极电极接触所述栅极绝缘层。
9.如权利要求7所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述半导体层包围一部分的所述源极电极。
10.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述汲极电极和所述半导体层之间的所述接触部分的内缘在所述基板上的垂直投影形状为八边形。
11.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述汲极电极和所述半导体层之间的所述接触部分的内缘在所述基板上的垂直投影形状为圆形。
12.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述汲极电极的外缘在所述基板上的垂直投影形状为八边形。
13.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述汲极电极的外缘在所述基板上的垂直投影形状为圆形。
14.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，更包含顶栅极，其中至少一部分的所述顶栅极设置在所述绝缘层上。
15.如权利要求14所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，更包含钝化层，设置在所述顶栅极的所述部分上。
16.如权利要求14所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述顶栅极在所述基板上的垂直投影和至少一部分的所述底栅极在所述基板上的垂直投影重叠。
17.一种微型发光二极管显示器装置，其特征在于，包含：
驱动晶体管，包含：
基板；
半导体层，设置在所述基板上；
汲极电极，设置在所述基板上并接触所述半导体层，其中所述汲极电极为环形且所述汲极电极和所述半导体层之间的接触部分围绕所述半导体层；
源极电极，设置在所述半导体层上并接触所述半导体层，其中所述汲极电极包围所述源极电极，所述汲极电极和所述源极电极形成环形开口，且至少一部分的所述半导体层通过所述环形开口而露出；
栅极绝缘层，设置在所述汲极电极、所述源极电极和所述半导体层上，其中所述栅极绝缘层具有至少一个通孔于其内，用以露出一部分的所述源极电极和一部分的所述汲极电极两者其中之一，或用以露出一部分的所述源极电极和一部分的所述汲极电极；以及
顶栅极设置在所述栅极绝缘层上，其中所述半导体层在所述顶栅极和所述基板之间；以及
微型发光二极管，其横向长度小于或等于50微米，并电性连接至所述源极电极和所述汲极电极两者其中之一，所述微型发光二极管包含：
第一型半导体层；
主动层，在所述第一型半导体层上且接合所述第一型半导体层；以及
第二型半导体层，在所述主动层上且接合所述主动层，其中电流注入通道在所述微型发光二极管的所述第一型半导体层和所述第二型半导体层两者其中之一内延伸，且所述电流注入通道与所述微型发光二极管的侧表面分开。
18.如权利要求17所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，所述微型发光二极管接触所述源极电极和所述汲极电极两者其中之一。
19.如权利要求17所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，更包含连接电极，设置在所述栅极绝缘层上并经由所述通孔接触所述源极电极和所述汲极电极两者其中之一，且所述顶栅极与所述连接电极、所述源极电极、和所述汲极电极电性分离。
20.如权利要求19所述的微型发光二极管显示器装置，其特征在于，更包含底电极，设置在所述基板上并接触所述连接电极，其中所述发光二极管接触所述底电极。
21.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立宜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚;WS
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