半导体器件及其制备方法技术

提供一种半导体器件，包括：衬底，一表面上具有结合垫；导电体，凸出于所述结合垫且与所述结合垫连接；及所述导电体顶面设有焊料层以及环绕所述焊料层的环形第一阻挡层，所述焊料层凸出于所述环形第一阻挡层。还提供该半导体器件的制备方法。本发明专利技术通过在焊料的外表面包覆环状阻挡层，减少了回焊工艺中由于焊料会出现爬锡造成锡量不足而导致的不沾锡的缺陷或焊料量太多导致焊桥缺陷，从而提高产品的良率。

Semiconductor device and its preparation

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术一般涉及半导体器件领域，且更具体地涉及一种半导体器件的封装结构及其制备方法。
技术介绍
在制作晶片的过程中，会先在半导体晶片中的半导体基底的表面形成集成电路元件(例如晶体管)。之后，在集成电路元件上形成内连线结构(interconnectstructure)。在半导体晶片的表面上形成导电元件，且这些导电元件电性耦接至集成电路元件。将半导体晶片切割成多个半导体芯片，也就是俗称的裸片(dies)。在半导体芯片的封装工艺中，半导体芯片时常使用倒装芯片接合与封装基板相连。焊料用以使半导体芯片中的导电元件连结至封装基底中的结合垫(bondpads)。在接合两个半导体芯片(或是一个半导体芯片与一个封装基底)时，可以将焊料预先形成在前述两个半导体芯片其中之一的导电元件/结合垫上、或者是同时形成在前述两个半导体芯片的导电元件/结合垫上。之后，进行一回焊(re-flow)工艺以使焊料连接半导体芯片。在回焊工艺中，焊料会出现爬锡(soldercreeping)现象，造成锡量不足导致不沾锡(non-wetting)的问题或焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底，一表面上具有结合垫；/n导电体，凸出于所述结合垫且与所述结合垫连接；及/n所述导电体顶面设有焊料层以及环绕所述焊料层的第一阻挡层，所述焊料层凸出于所述第一阻挡层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，一表面上具有结合垫；
导电体，凸出于所述结合垫且与所述结合垫连接；及
所述导电体顶面设有焊料层以及环绕所述焊料层的第一阻挡层，所述焊料层凸出于所述第一阻挡层。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊料层的凸出高度大于等于所述第一阻挡层高度的10％。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体和所述结合垫通过凸块下金属化层连接。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凸块下金属化层呈U型包覆所述导电体并露出所述导电体的顶面。


5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凸块下金属化层与所述第一阻挡层接触连接。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体和所述焊料层之间还包括第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖所述导电体顶面并与所述第一阻挡层接触连接。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体包括铜、钨、金中的一种或多种。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻挡层包括Ni。


9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34