重布线层结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种重布线层结构，包括：基底、接垫、介电层、自对准结构、导电层以及导电连接件。接垫配置在基底上。介电层配置在基底上，且暴露出部分接垫。自对准结构配置在介电层上。导电层自接垫延伸且共形覆盖自对准结构的表面。导电连接件配置在自对准结构上。还提供一种重布线层结构的制造方法。

Rewiring layer structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
重布线层结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种重布线层结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，由于各种电子构件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积集度不断提升，半导体工业因而快速成长。这种积集度的提升，大多是因为最小特征尺寸的持续缩小，使得更多的构件整合在一特定的区域中。相较于传统的封装结构，这些尺寸较小的电子构件具有较小的面积，因而需要较小的封装结构。举例来说，半导体芯片或晶粒具有越来越多的输入/输出(I/O)焊垫，重布线层(redistributionlayer，RDL)可将半导体芯片或晶粒的原始I/O焊垫的位置重新布局于半导体芯片或晶粒的周围，以增加I/O数量。然而，在传统晶片级封装工艺中，球下金属(under-ballmetallurgy，UBM)层近乎平面的结构，使得UBM层与焊球之间的接触面积较少且结合力较弱，进而导致焊球剥离或是产生金属间化合物(intermetalliccompound，IMC)问题。另外，焊球的球高异常也容易导致封装过程中产生冷焊点(coldjoint)或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重布线层结构，包括：/n接垫，配置在基底上；/n介电层，配置在所述基底上，且暴露出部分所述接垫；/n自对准结构，配置在所述介电层上；/n导电层，自所述接垫延伸且共形覆盖所述自对准结构的表面；以及/n导电连接件，配置在所述自对准结构上。/n

【技术特征摘要】
1.一种重布线层结构，包括：
接垫，配置在基底上；
介电层，配置在所述基底上，且暴露出部分所述接垫；
自对准结构，配置在所述介电层上；
导电层，自所述接垫延伸且共形覆盖所述自对准结构的表面；以及
导电连接件，配置在所述自对准结构上。


2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其中所述自对准结构包括相对的顶面与底面，所述顶面具有凹陷部。


3.根据权利要求2所述的重布线层结构，其中所述自对准结构包括延伸连接所述顶面与所述底面的侧壁，所述侧壁与所述底面之间具有小于90度的夹角。


4.根据权利要求2所述的重布线层结构，其中所述导电连接件的一部分嵌合于所述自对准结构的所述凹陷部中，且所述导电层的一部分位于所述自对准结构的所述凹陷部与所述导电连接件之间。


5.根据权利要求2所述的重布线层结构，其中所述自对准结构的所述凹陷部的深度介于所述导电连接件的高度的三分之一至四分之一之间。


6.根据权利要求1所述的重布线层结构，其中所述导电层由彼此接触的多个导电颗粒所构成，所述多个导电颗粒包括多个金属纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱彦瑞，吴金能，周信宏，林俊宏，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71