【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体结构及其形成方法，特别是关于可降低寄生电容和改善电性表现的半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、目前半导体制造技术朝向元件尺寸的微缩化而努力，同时伴随许多挑战。例如，在闪存的工艺中，为了使叠层结构相互分离以形成字线，须执行图案化工艺。然而，若待刻蚀的材料层具有高度差，需进行过刻蚀以完整移除待刻蚀的材料层，却也导致侧向刻蚀效应的发生而对叠层结构的侧壁产生侧向刻蚀，损伤叠层结构的廓形。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提供一种半导体结构，包括衬底以及衬底上方的字线。衬底具有多个有源区和多个非有源区，有源区和非有源区在第一方向上交替设置且沿着第二方向延伸。字线跨设于有源区和非有源区上，且字线包括多个第一导电部，位于对应的有源区上；多个隔离柱，位于对应的非有源区上，且多个第一导电部和多个隔离柱在第一方向上交替设置；一栅介电层，位于多个第一导电部上以及多个隔离柱上；以及一第二导电部，位于栅介电层上且沿着第一方向延伸，第二导电部的突出件对应多个非有源区，其中在多个非有源区上沿着第二方向的剖面，隔离柱位于对应的突出件的相对侧。
2、本专利技术的一些实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括提供一衬底，其具有多个有源区和多个非有源区，多个有源区和多个非有源区在第一方向上交替设置，且沿着第二方向延伸：以及形成一字线于前述衬底上方，且此字线并跨设于前述有源区和前述非有源区上。在一些实施例中，字线包括多个第一导电部，位于对应的多个有源区上；多个隔离柱，位于对应的多个
3、本专利技术中，在各个有源区中，字线的整体叠层具有完整且良好的廓形，并且第一导电部与下方的有源区和上方的第二导电部皆具有充分且完整的重叠面积，因此后续制得的半导体结构具有良好的电性表现。且字线的第一导电部与下方的有源区以及第一导电部与上方的第二导电部皆具有充分且完整的叠对面积，没有侧壁下凹的问题。因此，依实施例所制得的字线具有良好廓形，使应用的半导体结构具有良好的电性表现。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一导电部的顶表面和所述多个隔离柱的顶表面共平面。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介电层覆盖各所述隔离柱的一顶表面和一内侧壁，以及覆盖各所述多个第一导电部的一顶表面和内侧壁。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介电层包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述字线在所述多个非有源区处分别具有一凹陷，所述栅介电层更包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电部包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括一介电堆叠包围所述多个突出件的侧壁和所述多个下表面，所述介电堆叠包括所述多个隔离柱及所述栅介电层，其中所述字线在沿着所述第二方向的一剖面中，对应于各所述多个非有源区的所述介电堆叠具有一U型剖面。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，对应于各所述多个非有源区的所述第二导电部的部分，在沿着所述第二方向的一剖面中具
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线在所述多个非有源区处分别具有一凹陷，所述多个凹陷在所述第一方向上相隔开来，所述栅介电层共形的位于所述多个凹陷中，所述第二导电部的部分填满所述多个凹陷的留下空间，其中，所述多个凹陷在所述第二方向上的宽度小于所述字线在所述第二方向上的宽度。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在提供所述衬底后，还包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述多个隔离材料的部分包括：
13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述多个隔离岛之后，还包括：
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二导电层之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一导电部的顶表面和所述多个隔离柱的顶表面共平面。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介电层覆盖各所述隔离柱的一顶表面和一内侧壁，以及覆盖各所述多个第一导电部的一顶表面和内侧壁。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介电层包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述字线在所述多个非有源区处分别具有一凹陷，所述栅介电层更包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电部包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括一介电堆叠包围所述多个突出件的侧壁和所述多个下表面，所述介电堆叠包括所述多个隔离柱及所述栅介电层，其中所述字线在沿着所述第二方向的一剖面中，对应于各所述多个非有源区的所述介电堆叠具有一u型剖面。
8.如权利要求1所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：李政帅，蔡孟弦，吕岳峰，蔡高财，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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