半导体结构制造技术

技术编号:24328891 阅读:27 留言:0更新日期:2020-05-29 18:57
本公开涉及半导体技术领域,提出了一种半导体结构,半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、金属阻绝层以及焊料层,金属焊盘设置于半导体基底上;凸块设置于金属焊盘上;金属阻绝层设置于凸块远离金属焊盘的一侧,金属阻绝层具有容纳腔,金属阻绝层的侧壁上设置有开口,开口与容纳腔相连通;焊料层设置于容纳腔内,且焊料层远离凸块的一端凸出容纳腔设置。由于开口的存在,在倒装芯片焊接过程中,受热而溢流出去的焊料会随着开口流出,即开口起到了导流的作用,从而通过控制开口的方向即可实现对焊料的导流作用,以此改善凸块间焊料桥接的问题。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本公开涉及半导体
,尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高,以及新型的集成电路出现,封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色,在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。凸点互连技术,以其良好的电学性能、抗电迁移能力,正成为下一代芯片窄间距互连的关键技术。现有技术中,芯片倒装焊接过程中,封装基板受热会出现变形,芯片和基板会出现高度差,某些半导体结构造成压缩,导致焊料溢出,导致凸块间焊料桥接的问题。
技术实现思路
本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种半导体结构。本技术提供了一种半导体结构,包括:半导体基底;金属焊盘,设置于半导体基底上;凸块,设置于金属焊盘上;金属阻绝层,设置于凸块远离金属焊盘的一侧,金属阻绝层具有容纳腔,金属阻绝层的侧壁上设置有开口,开口与容纳腔相连通;焊料层,设置于容纳腔内,且焊料层远离凸块的一端凸出容纳腔设置。在本技术的一个实施例中,容纳腔为通孔,以使焊料层与凸块相接触。在本技术的一个实施例中,开口沿金属阻绝层的长度方向延伸,并与金属阻绝层的两端均相交。在本技术的一个实施例中,开口为多个,多个开口间隔设置。在本技术的一个实施例中,金属阻绝层包括:侧壁段,侧壁段成对设置,成对的两个侧壁段间隔地于凸块上,相对的两个侧壁段之间形成两个开口;连接段,连接段的两端分别连接两个侧壁段。r>在本技术的一个实施例中,连接段连接于两个侧壁段的中部。在本技术的一个实施例中,焊料层包括:第一焊料层,第一焊料层设置在凸块上,且位于连接段的下方;第二焊料层,第二焊料层设置在第一焊料层上,且第二焊料层远离第一焊料层的一端凸出容纳腔设置;其中,第二焊料层与第一焊料层相接触,连接段位于第一焊料层和第二焊料层之间。在本技术的一个实施例中,开口内设置有焊料层。在本技术的一个实施例中,凸块为铜柱,半导体结构还包括:凸块下金属层,凸块下金属层的至少部分夹设于金属焊盘与凸块之间。在本技术的一个实施例中,半导体结构还包括:第一保护层,设置于半导体基底上,第一保护层具有第一开口,第一开口裸露部分金属焊盘。在本技术的一个实施例中,半导体结构还包括:第二保护层,设置于第一保护层上,第二保护层具有第二开口,第二开口的口径小于或等于第一开口的口径;其中,凸块下金属层至少覆盖第二开口的底面及侧壁面,凸块下金属层的至少部分设置于第二开口内。本技术的半导体结构由半导体基底、金属焊盘、凸块、焊料层以及金属阻绝层组成,焊料层设置于容纳腔内,且金属阻绝层的侧壁上设置有开口,由于开口的存在,在倒装芯片焊接过程中,受热而溢流出去的焊料会随着开口流出,即开口起到了导流的作用,从而通过控制开口的方向即可实现对焊料的导流作用,以此改善凸块间焊料桥接的问题。附图说明通过结合附图考虑以下对本公开的优选实施方式的详细说明,本公开的各种目标,特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本公开的示范性图解,并非一定是按比例绘制。在附图中,同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中:图1是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的第一形式的俯视图;图2是图1中的一种半导体结构的一示例性实施方式的剖面结构示意图;图3是图1中的一种半导体结构的另一示例性实施方式的剖面结构示意图;图4是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的第二形式的俯视图;图5是图4中的一种半导体结构的一示例性实施方式的剖面结构示意图;图6是图4中的一种半导体结构的另一示例性实施方式的剖面结构示意图;图7是根据一示例性实施方式示出的相邻半导体结构的排布结构示意图;图8是根据另一示例性实施方式示出的相邻半导体结构的排布结构示意图;图9是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法形成凸块下金属层后的结构示意图;图10是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法形成第一焊料层后的结构示意图;图11是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法去除第一光阻层后的结构示意图;图12是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法形成第一掩模层后的结构示意图;图13是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法光刻第一掩模层后的结构示意图;图14是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法酸蚀第一掩模层后的结构示意图;图15是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法去除第一掩模层后的结构示意图;图16是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法形成金属阻绝层后的结构示意图;图17是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法形成第二光阻层后的结构示意图;图18是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法蚀刻金属阻绝层后的结构示意图;图19是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法去除第二光阻层后的结构示意图;图20是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法形成第二焊料层后的结构示意图;图21是根据一示例性实施方式示出的一种利用半导体结构的制备方法蚀刻第二掩模层后的结构示意图。附图标记说明如下:1、焊料层;10、金属焊盘;11、第一光阻层;12、第一掩模层;13、第二掩模层;14、第二光阻层;20、半导体基底;30、凸块;40、第一焊料层;41、去除空间;50、金属阻绝层;51、容纳腔;52、开口;53、侧壁段;54、连接段;60、第二焊料层;70、凸块下金属层;80、第一保护层;90、第二保护层。具体实施方式体现本公开特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本公开能够在不同的实施例上具有各种的变化,其皆不脱离本公开的范围,且其中的说明及附图在本质上是作说明之用,而非用以限制本公开。在对本公开的不同示例性实施方式的下面描述中,参照附图进行,附图形成本公开的一部分,并且其中以示例方式显示了可实现本公开的多个方面的不同示例性结构,系统和步骤。应理解的是,可以使用部件,结构,示例性装置,系统和步骤的其他特定方案,并且可在不偏离本公开范围的情况下进行结构和功能性修改。而且,虽然本说明书中可使用术语“之上”,“之间”,“之内”等来描述本公开的不同示例性特征和元件,但是这些术语用于本文中仅出于方便,例如根据附图中的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本公开的范围内。本技术的一个实施例提供了一种半导体结构,请参考图1至图6,半导体结构包括:半导体基底20;金属焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:/n半导体基底;/n金属焊盘,设置于所述半导体基底上;/n凸块,设置于所述金属焊盘上;/n金属阻绝层,设置于所述凸块远离所述金属焊盘的一侧,所述金属阻绝层具有容纳腔,所述金属阻绝层的侧壁上设置有开口,所述开口与所述容纳腔相连通;/n焊料层,设置于所述容纳腔内,且所述焊料层远离所述凸块的一端凸出所述容纳腔设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
半导体基底;
金属焊盘,设置于所述半导体基底上;
凸块,设置于所述金属焊盘上;
金属阻绝层,设置于所述凸块远离所述金属焊盘的一侧,所述金属阻绝层具有容纳腔,所述金属阻绝层的侧壁上设置有开口,所述开口与所述容纳腔相连通;
焊料层,设置于所述容纳腔内,且所述焊料层远离所述凸块的一端凸出所述容纳腔设置。


2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述容纳腔为通孔,以使所述焊料层与所述凸块相接触。


3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述开口沿所述金属阻绝层的长度方向延伸,并与所述金属阻绝层的两端均相交。


4.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述开口为多个,多个所述开口间隔设置。


5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述金属阻绝层包括:
侧壁段,所述侧壁段成对设置,成对的两个所述侧壁段间隔地于所述凸块上,相对的两个所述侧壁段之间形成两个所述开口;
连接段,所述连接段的两端分别连接两个所述侧壁段。


6.根据权利要求5所述的半导体结构,其特征在于,所述连接段连接于两个所述侧壁段的中部。


7.根据权利要求6所述的半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员:庄凌艺
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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