半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：移除第一电介质层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第一凹槽；在第一凹槽中形成第一导电层；移除第一导电层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第二凹槽；在第二凹槽中形成第二导电层，其中，第二导电层与第一导电层接触；在第二导电层上方形成第二电介质层；移除第二电介质层的一部分以形成由第二电介质层的侧壁限定的第三凹槽，其中，第二导电层通过第三凹槽被暴露；以及在第三凹槽中形成第三导电层，其中，第三导电层与第二导电层接触。

Semiconductor devices and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
在半导体制造期间，不同导电层彼此连接以建立半导体结构。用于连接不同导电层的一种技术是使用将两个或多个导电层彼此连接的一个或多个金属接触。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：移除第一电介质层的一部分以形成由所述第一电介质层的第一侧壁和所述第一电介质层的第二侧壁限定的第一凹槽；在所述第一凹槽中形成第一导电层；移除所述第一导电层的一部分以形成由所述第一电介质层的第一侧壁和所述第一电介质层的第二侧壁限定的第二凹槽；在所述第二凹槽中形成第二导电层，其中，所述第二导电层与所述第一导电层接触；在所述第二导电层上方形成第二电介质层；移除所述第二电介质层的一部分以形成由所述第二电介质层的第一侧壁和所述第二电介质层的第二侧壁限定的第三凹槽，其中，所述第二导电层通过所述第三凹槽被暴露；以及在所述第三凹槽中形成第三导电层，其中，所述第三导电层与所述第二导电层接触。根据本公开的另一实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：/n移除第一电介质层的一部分以形成由所述第一电介质层的第一侧壁和所述第一电介质层的第二侧壁限定的第一凹槽；/n在所述第一凹槽中形成第一导电层；/n移除所述第一导电层的一部分以形成由所述第一电介质层的第一侧壁和所述第一电介质层的第二侧壁限定的第二凹槽；/n在所述第二凹槽中形成第二导电层，其中，所述第二导电层与所述第一导电层接触；/n在所述第二导电层上方形成第二电介质层；/n移除所述第二电介质层的一部分以形成由所述第二电介质层的第一侧壁和所述第二电介质层的第二侧壁限定的第三凹槽，其中，所述第二导电层通过所述第三凹槽被暴露；以及/n在所述第三凹槽中形成第三导电...

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,312;20191113 US 16/681,9521.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
移除第一电介质层的一部分以形成由所述第一电介质层的第一侧壁和所述第一电介质层的第二侧壁限定的第一凹槽；
在所述第一凹槽中形成第一导电层；
移除所述第一导电层的一部分以形成由所述第一电介质层的第一侧壁和所述第一电介质层的第二侧壁限定的第二凹槽；
在所述第二凹槽中形成第二导电层，其中，所述第二导电层与所述第一导电层接触；
在所述第二导电层上方形成第二电介质层；
移除所述第二电介质层的一部分以形成由所述第二电介质层的第一侧壁和所述第二电介质层的第二侧壁限定的第三凹槽，其中，所述第二导电层通过所述第三凹槽被暴露；以及
在所述第三凹槽中形成第三导电层，其中，所述第三导电层与所述第二导电层接触。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层包括钴。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电层包括钨。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电介质层覆盖所述第二导电层。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电介质层与所述第一电介质层接触以限定界面。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述移除所述第一电介质层的一部分、所述移除所述第一导电层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈品彣，傅美惠，李弘贸，林威戎，张志维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71