存储器系统及其操作方法技术方案

存储器系统及其操作方法。一种存储器系统包括：半导体存储器装置，其包括存储器块；以及加扰器和ECC块，其被配置为在写入操作期间使用从主机接收的数据生成编程数据，使用编程数据和页信息数据生成一个或更多个数据集，并输出一个或更多个数据集；以及存储器控制器，其被配置为将一个或更多个数据集输出给半导体存储器装置并控制半导体存储器装置，其中，半导体存储器装置被配置为在引导操作期间读取多个页中的每一个页中所存储的页信息数据并从多个页当中检测擦除页或其中已发生突然断电(SPO)的编程中断页。

Memory system and its operation method

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法
本公开的各种实施方式总体涉及存储器系统及操作存储器系统的方法，更具体地，涉及被配置为当存储器系统执行引导(boot)操作时搜索和识别擦除页或其中已发生突然断电(SPO)的页的存储器系统及其操作方法。
技术介绍
最近，计算机环境的范例已经转变为无处不在的计算，使得可以随时随地使用计算机系统。由此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机之类的便携式电子装置的使用已经迅速增加。通常，这种便携式电子装置使用采用存储器装置的存储器系统，即，数据储存装置。数据储存装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅存储器装置。用作存储器装置的数据储存装置的优点在于，由于没有机械驱动部件，所以稳定性和耐用性优异，信息访问速度非常高，并且功耗低。在具有这些优点的存储器系统中采用的数据储存装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、以及固态驱动器(SSD)。
技术实现思路
各种实施方式涉及一种能够在存储器系统执行引导操作时快速搜索擦除页或已发生突然断电(SPO)的页的存储器系统以及操作存储器系统的方法。本公开的实施方式可以提供一种存储器系统。该存储器系统可以包括：半导体存储器装置，其包括存储器块；以及加扰器和ECC块，其被配置为在写入操作期间使用从主机接收的数据生成编程数据，使用编程数据和页信息数据生成一个或更多个数据集，并输出一个或更多个数据集；以及存储器控制器，其被配置为将一个或更多个数据集输出给半导体存储器装置并控制半导体存储器装置以使得半导体存储器装置执行写入操作，其中半导体存储器装置被配置为在写入操作期间将从存储器控制器接收的一个或更多个数据集编程到存储器块中的多个页，并且被配置为在引导操作期间读取多个页中的每一个页中所存储的页信息数据并从多个页当中检测擦除页或其中已发生突然断电(SPO)的编程中断页。本公开的实施方式可以提供一种操作存储器系统的方法。该方法可以包括：在引导操作期间对用于控制擦除页搜索操作的命令进行排队，以及响应于该命令对多个页执行擦除页搜索操作。擦除页搜索操作可以包括读取从多个页当中选择的页中所存储的多条状态检查数据；以及基于状态检查数据确定被选页的状态信息，然后确定被选页是编程完成页、擦除页还是已发生突然断电(SPO)的编程中断页。本公开的实施方式可以提供一种存储器系统。该存储器系统可以包括：主机，其被配置为输出写入请求和要编程的数据；存储器控制器，其被配置为响应于写入请求使用从主机接收的数据生成编程数据，使用编程数据和页信息数据生成一个或更多个数据集，并输出一个或更多个数据集；以及半导体存储器装置，其包括存储器块并且被配置为接收一个或更多个数据集，并将一个或更多个数据集存储在存储器块中，其中，半导体存储器装置被配置为在写入操作期间将从存储器控制器接收的一个或更多个数据集编程到存储器块中的多个页，并且被配置为在引导操作期间读取多个页中的每一个页中所存储的页信息数据并从多个页当中检测擦除页或已发生突然断电(SPO)的编程中断页。附图说明图1是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的框图。图2是例示半导体存储器装置(诸如图1的半导体存储器装置)的框图。图3是例示图2的存储器单元阵列的实施方式的框图。图4是例示存储器块(诸如图3的存储器块)的电路图。图5是例示页信息检测电路(诸如图2的页信息检测电路)的电路图。图6是例示从存储器控制器发送给半导体存储器装置的数据集的配置的图。图7是例示存储器单元的编程状态的阈值电压分布图。图8是例示存储器块中的存储有页信息的区域的图。图9是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的操作的流程图。图10是示出对应于各个编程状态的数据值的图。图11是示出不同页状态的页信息值的图。图12是例示存储器系统的实施方式的图。图13是例示存储器系统的实施方式的图。图14是例示存储器系统的实施方式的图。图15是例示存储器系统的实施方式的图。具体实施方式本文呈现的具体结构性描述和功能性描述涉及本公开的实施方式。然而，本专利技术既不限于所提供的具体描述也不限于本文描述的任何实施方式。虽然详细描述了各种实施方式，但是本专利技术不限于这些实施方式中的任何一个。而是，本专利技术涵盖不脱离本公开的精神和技术范围的所有变型、等同物、替代物和其他实施方式。应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”和/或“第二”来标识各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开，否则这些元件具有相同或相似的名称。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，在一个实例中的第一元件在另一实例中可以被称为第二元件。应当理解，当元件被称为“联接”或“连接”到另一元件时，它可以直接联接或连接到另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个中间元件。相反，应该理解，当元件被称为“直接联接”或“直接连接”到另一元件时，不存在中间元件。解释元件之间关系的其他表述(诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“与……直接相邻”)应以相同方式解释。本文使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在是限制性的。在本公开中，除非上下文另有明确说明，否则单数形式旨在包括复数形式，反之亦然。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”等指示所提及的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。除非另有定义，否则本文使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，本文使用的术语应被解释为具有与其在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不以理想化或过于形式的含义来解释。省略了对本领域技术人员公知的功能和结构的详细描述，以避免模糊本公开的主题。这旨在使本公开的主题清楚。下面参照附图更全面地描述本公开的各种实施方式，附图中例示了本公开的优选实施方式，使得本领域技术人员能够实践本专利技术。在整个说明书中，对“实施方式”、“另一实施方式”等的引用并非必然指代仅一个实施方式，并且对任何这种短语的不同引用并非必然是相同实施方式。图1是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的框图。参照图1，存储器系统1000包括半导体存储器装置100和存储器控制器1100。半导体存储器装置100可以在存储器控制器1100的控制下执行读取操作、写入操作、擦除操作和后台操作。半导体存储器装置100可以包括多个存储器块，每个存储器块包括状态单元区域。在存储器系统1000的引导操作期间，半导体存储器装置100可以搜索在执行引导操作之前最后完成编程操作(即，最后完成的编程操作)的页，并且可以搜索随后要被编程的下一个擦除页，并将找到的擦除页输出给存储器控制器1100。此外，当存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，该存储器系统包括：/n半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括存储器块；以及/n加扰器和ECC块，该加扰器和ECC块被配置为：在写入操作期间，使用从主机接收的数据生成编程数据，使用所述编程数据和页信息数据生成一个或更多个数据集，并输出所述一个或更多个数据集；以及/n存储器控制器，该存储器控制器被配置为将所述一个或更多个数据集输出到所述半导体存储器装置并控制所述半导体存储器装置以使得所述半导体存储器装置执行所述写入操作，/n其中，所述半导体存储器装置被配置为在所述写入操作期间将从所述存储器控制器接收的所述一个或更多个数据集编程到所述存储器块中的多个页，并且被配置为在引导操作期间读取所述多个页中的每一个页中所存储的所述页信息数据并从所述多个页当中检测擦除页或已发生突然断电SPO的编程中断页。/n

【技术特征摘要】
20181126 KR 10-2018-01478491.一种存储器系统，该存储器系统包括：
半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括存储器块；以及
加扰器和ECC块，该加扰器和ECC块被配置为：在写入操作期间，使用从主机接收的数据生成编程数据，使用所述编程数据和页信息数据生成一个或更多个数据集，并输出所述一个或更多个数据集；以及
存储器控制器，该存储器控制器被配置为将所述一个或更多个数据集输出到所述半导体存储器装置并控制所述半导体存储器装置以使得所述半导体存储器装置执行所述写入操作，
其中，所述半导体存储器装置被配置为在所述写入操作期间将从所述存储器控制器接收的所述一个或更多个数据集编程到所述存储器块中的多个页，并且被配置为在引导操作期间读取所述多个页中的每一个页中所存储的所述页信息数据并从所述多个页当中检测擦除页或已发生突然断电SPO的编程中断页。


2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述页信息数据包括关于要存储相应数据集的相应页的基本信息、擦除/编程循环的数量、以及用于确定所述相应页的编程状态的多条状态检查数据。


3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述多条状态检查数据具有分别与所述编程数据要被编程到所述多个页中的存储器单元的多个编程状态对应的数据值，并且被设置为与所述存储器单元的编程单元状态对应的第一数据值。


4.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述存储器块包括第一块区域和第二块区域，其中，所述第一块区域包括状态单元区域。


5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，当在所述引导操作期间读取所述多个页时，所述半导体存储器装置使用半页感测仅从所述存储器块中读取所述第一块区域。


6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述半导体存储器装置在所述写入操作期间将所述状态检查数据编程到所述状态单元区域。


7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中，所述状态检查数据的列地址在所述状态单元区域中是固定的。


8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述半导体存储器装置在所述引导操作期间通过基于二分搜索算法读取所述存储器块的所述多个页来检测所述擦除页或所述编程中断页。


9.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述半导体存储器装置被配置为：当在所述引导操作期间读取的所述多条状态检查数据全部对应于所述编程单元状态时，确定所述相应页是编程完成页；当所述多条状态检查数据全部对应于擦除单元状态时，确定所述相应页是所述擦除页；并且当所述多条状态检查数据中的至少一条对应于所述编程单元状态并且所述多条状态检查数据中的至少一条对应于所述擦除单元状态时，确定所述相应页是所述编程中断页。


10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，所述半导体存储器装置包括：
存储器块，该存储器块包括状态单元区域；
页缓冲器组，该页缓冲器组联接到所述存储器块的位线，并被配置为读取编程到所述状态单元区域的所述多条状态检查数据；
页信息检测电路，该页信息检测电路被配置为响应于所读取的状态检查数据生成输出数据信号，并且基于所述输出数据信号生成并输出用于确定所述相应页的状态的页信息检测信号；以及
控制电路，该控制电路被配置为基于所述页信息检测信号确定所述相应页是否为所述擦除页，并当确定出所述相应页不是所述擦除页时，基于所述输出数据信号确定所述相应页是所述编程完成页还是所述编程中断页。


11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，所述页信息检测电路包括：
寄存器电路，该寄存器电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳晟，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR