【技术实现步骤摘要】
实施例涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括三维(3d)存储单元的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、最近，为了应对存储器件的容量增加和小型化，已经提出了一种提供其中堆叠多个存储单元的三维(3-d)存储器件的技术。目前，广泛的研究和开发工作致力于提高三维半导体装置的可靠性和性能。
技术实现思路
1、本公开的各种实施例旨在提供一种包括高度集成的存储单元的3-d半导体装置(以下简称为半导体装置)及其制造方法。
2、根据本公开的实施例的半导体装置可以包括：水平层，其与下部结构间隔开以沿着平行于所述下部结构的方向延伸；第一导电线，其沿着垂直于所述下部结构的方向延伸并耦接至所述水平层的一端；数据储存元件，其耦接至所述水平层的另一端；以及第二导电线，其沿着横跨所述水平层的方向延伸，其中，所述第二导电线包括高功函数电极；以及低功函数电极，其具有横向取向的杯形并且设置为邻近于所述第一导电线，并且具有比所述高功函数电极低的功函数。
3、根据本公开的实施例的用于制造半导体装置的方法...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述低功函数电极包括与所述高功函数电极相对的外表面和与所述第一导电线相对的弯曲内表面。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述低功函数电极包括N型掺杂剂掺杂的多晶硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述高功函数电极包括金属、金属氮化物或其组合。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述低功函数电极包括与所述高功函数电极相对的外表面和与所述第一导电线相对的弯曲内表面。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述低功函数电极包括n型掺杂剂掺杂的多晶硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述高功函数电极包括金属、金属氮化物或其组合。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平层包括单晶半导体材料、多晶半导体材料或氧化物半导体材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平层包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二导电线包括双重结构并且彼此相对，所述水平层介于所述双重结构之间。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据储存元件包括电容器，并且所述电容器包括筒状的第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的电介质层。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
13.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
14.一种半导体装置，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，进一步包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述第二阻挡层部分地围绕所述高功函数电极。
17.根据权利要求14所述的半导体装置，进一步包括：
18.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第一杯形低功函数电极和所述第二杯形低功函数电极各自具有比硅的中间间隙功函数低的功函数，并且所述高功函数电极具有比所述硅的中间间隙功函数高的功函数。
19.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第一杯形低功函数电极和第二杯形低功函数电极各自包括n型掺杂剂掺杂的多晶硅。
20.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述高功函数电极包括金属基材料。
21.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述高功函数电极包括金属、金属氮化物或其组合。
22.根据权利要求14所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：金一道，吕丞美，金承范，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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