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本申请涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：水平层，其与下部结构间隔开以沿着平行于下部结构的方向延伸；第一导电线，其沿着垂直于下部结构的方向延伸并耦接至水平层的一端；数据储存元件，其耦接至水平层的另一端；以及第二导电线，其沿着...
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