【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0145938的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开的专利技术构思涉及一种半导体装置及其操作方法。
技术介绍
时间相关的介电击穿(TDDB)可以解释当诸如栅极氧化物层的电介质长时间接收相对低的电场时可能发生的击穿。为了测试诸如晶体管的半导体元件的TDDB特性，可以通过向栅极氧化物层施加高应力电压直到栅极氧化物层击穿为止，来测量栅极氧化物层的击穿时间。然后，可以基于测量的击穿时间来估计在用户电压下操作的半导体装置的击穿时间。如果用于测试TDDB特性的测试晶体管击穿，则芯片的主电路可能会损坏。因此，可以不在裸片上形成测试晶体管。相反，测试晶体管可以形成在晶片中没有形成裸片的标签区域上，然后针对TDDB特性进行测试。在该方法中，由于仅在标签区域中执行TDDB特性测试，因此可获得的数据的数量是有限的。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施例提供一...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n测试电路，其包括：/n测试晶体管，其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性；/n输入开关，其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间；以及/n保护开关，其位于所述输入节点与接地节点之间。/n
【技术特征摘要】
20181123 KR 10-2018-01459381.一种半导体装置，包括：
测试电路，其包括：
测试晶体管，其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性；
输入开关，其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间；以及
保护开关，其位于所述输入节点与接地节点之间。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述输入开关包括被输入开关使能信号门控的第一晶体管，
所述保护开关包括被保护开关使能信号门控的第二晶体管，并且
所述保护开关使能信号是所述输入开关使能信号的反相信号。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述输入开关包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述保护开关包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。
5.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
控制电路，其位于所述测试电路外部的外围区域中，所述控制电路被配置为提供所述输入开关使能信号和所述保护开关使能信号。
6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
电压发生器电路，其被配置为将所述应力电压施加到所述电压施加节点，其中，所述测试电路还包括设置在所述电压发生器电路与所述电压施加节点之间的第一开关。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一开关包括晶体管，该晶体管包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。
8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
芯片焊盘，其被配置为将从外部源接收到的用户应力电压施加到所述电压施加节点，其中，所述测试电路还包括位于所述芯片焊盘与所述电压施加节点之间的第二开关。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二开关包括晶体管，该晶体管包括第一栅极氧化物层，所述第一栅极氧化物层比所述测试晶体管的第二栅极氧化物层厚。
10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
主电路，其被设置在裸片上，其中，所述测试电路被设置在所述裸片上并且与所述主电路电隔离。
11.一种半导体装置，包括：
测试电路，其包括：
测试晶体管，其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性，以及
输入开关，其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间；以...
【专利技术属性】
技术研发人员：李贞九，金大汉，金智允，李真烨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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