具有垂直结构的晶体管以及电子装置。一种电子装置，该电子装置可包括：面板；驱动电路，配置为驱动面板；以及晶体管，设置在面板中，晶体管包括：栅极，设置在基板上；第一绝缘膜，设置在栅极上；有源层，设置在第一绝缘膜上，有源层包括：有源层的第一部分，与栅极的顶表面交叠，有源层的第二部分，从第一部分延伸，沿栅极的侧表面设置并且包括沟道区域，以及有源层的第三部分，从有源层的第二部分延伸，有源层的第三部分设置在第一绝缘膜不与栅极交叠的一部分上；第二绝缘膜，设置在有源层上；第一电极，设置在第二绝缘膜上，第一电极电连接到有源层的第一部分；以及第二电极，设置在第二绝缘膜上，第二电极电连接到有源层的第三部分。
Transistors and electronic devices with vertical structure
【技术实现步骤摘要】
具有垂直结构的晶体管以及电子装置
本专利技术涉及一种具有垂直结构的晶体管和电子装置。
技术介绍
响应于信息社会的发展，对诸如显示装置和照明装置的一系列电子装置的各种需求正在增加。这种电子装置可以包括其中设置有数据线和选通线的面板、驱动数据线的数据驱动器、以及驱动选通线的选通驱动器。面板，作为电子装置的关键组件可以包括大量具有各种功能的晶体管以驱动面板。因此，面板制造过程可能不可避免地变得复杂和困难。然而，如果追求简化过程，则晶体管的性能可能降低，这是有问题的。此外，晶体管应具有高水平的集成度，以实现电子装置诸如高分辨率的优越特性。然而，由于与工艺、设计等相关的问题，晶体管的尺寸不能无限地减小。因此，期望调整晶体管占据的面积而不降低晶体管的特性。
技术实现思路
本公开的各个方面提供了一种具有垂直结构的晶体管和电子装置，其中有源层没有断裂，例如，电路中没有间断。还提供了一种具有垂直结构的晶体管和电子装置，其中降低了源极/漏极和有源层之间的接触电阻。还提供了一种具有垂直结构的晶体管和电子装置，其中可以实现短沟道和集成。还提供了一种具有垂直结构的晶体管和电子装置，其中减少了不必要的寄生电容。还提供了一种具有垂直结构的晶体管和电子装置，其中可以实现优异的工艺便利性、沟道损坏保护、短沟道以及器件小型化。根据本公开的一方面，电子装置可包括面板和驱动面板的驱动电路。在电子装置中，晶体管可以被设置在面板中。晶体管可以包括：栅极，该栅极设置在基板上；第一绝缘膜，该第一绝缘膜设置为覆盖栅极；以及有源层，该有源层设置在所述第一绝缘膜上。有源层可以包括：第一部分，该第一部分与栅极的顶表面交叠；第二部分，该第二部分从第一部分延伸，位于栅极的侧表面上，并包括沟道区域；以及第三部分，该第三部分从第二部分延伸并位于第一绝缘膜未设置栅极的部分上。。晶体管还可以包括：第二绝缘膜，该第二绝缘膜设置在有源层上；第一电极，该第一电极设置在第二绝缘膜上并电连接到有源层的第一部分；以及第二电极，第二电极设置在第二绝缘膜上并电连接到有源层的第三部分。栅极的侧表面可以在与有源层的第二部分对应的区域上具有倒锥形形状或一个或更多个台阶部分。绝缘图案可以在与栅极的至少一个侧表面对应的区域中被设置在有源层和第二绝缘膜之间。绝缘图案可以与有源层的沟道区域交叠。绝缘图案的宽度可以比有源层的沟道区域的宽度宽。栅极可以具有单层结构或多层结构。在栅极具有单层结构的情况下，栅极的宽度可以在远离基板的方向上增加。在栅极具有双层结构的情况下，栅极可以包括设置在第一栅极上的第一栅极和第二栅极，第一栅极的宽度比第二栅极的宽度窄。有源层的沟道区域可以被设置为与第一栅极的侧表面的一部分对应。在栅极具有三层结构的情况下，栅极还可以包括设置在第一栅极下方的第三栅极，第一栅极的宽度比第三栅极的宽度窄。有源层的沟道区域可以被设置为与第一栅极的侧表面的一部分对应。第一电极和第二电极中的一个可以与栅极交叠，而第一电极和第二电极彼此不交叠。第一电极和第二电极中的一个可以是源极，第一电极和第二电极中的另一个可以是漏极。晶体管可以被设置在面板的显示区域中的多个子像素的每一个区域中。另外，晶体管可以被包括在设置在面板的非显示区域中的选通驱动电路中，非显示区域位于显示区域的外围。根据示例性实施方式，在具有垂直结构的晶体管和电子装置中，有源层没有断裂，例如，电路中没有间断。根据示例性实施方式，在具有垂直结构的晶体管和电子装置中，降低了源极/漏极和有源层之间的接触电阻。根据示例性实施方式，在具有垂直结构的晶体管和电子装置中，可以实现短沟道和集成。根据示例性实施方式，在具有垂直结构的晶体管和电子装置中，减少了不必要的寄生电容。根据示例性实施方式，在具有垂直结构和电子装置的晶体管中，可以实现优异的工艺便利性、沟道损坏保护、短沟道和器件小型化。附记1.一种电子装置，该电子装置包括：面板；驱动电路，该驱动电路被配置为驱动所述面板；以及晶体管，该晶体管设置在所述面板中，所述晶体管包括：基板；栅极，该栅极设置在所述基板上；第一绝缘膜，该第一绝缘膜设置在所述栅极上；有源层，该有源层设置在所述第一绝缘膜上，所述有源层包括：所述有源层的第一部分，所述有源层的所述第一部分与所述栅极的顶表面交叠；所述有源层的第二部分，所述有源层的所述第二部分从所述第一部分延伸，沿所述栅极的侧表面设置并且包括沟道区域，其中，所述沟道区域设置为与所述基板不平行；以及所述有源层的第三部分，所述有源层的所述第三部分从所述有源层的所述第二部分延伸，所述有源层的所述第三部分设置在所述第一绝缘膜的不与所述栅极交叠的一部分上；第二绝缘膜，该第二绝缘膜设置在所述有源层上；第一电极，该第一电极设置在所述第二绝缘膜上，所述第一电极与所述有源层的所述第一部分电连接；以及第二电极，该第二电极设置在所述第二绝缘膜上，所述第二电极与所述有源层的所述第三部分电连接。附记2.根据附记1所述的电子装置，其中，在与所述有源层的所述第二部分对应的区域中，所述栅极的所述侧表面具有倒锥形形状或者所述栅极具有台阶部分。附记3.根据附记2所述的电子装置，其中，所述栅极具有单层结构，并且其中，所述栅极的宽度在远离所述基板的方向上增加。附记4.根据附记1所述的电子装置，该电子装置还包括：绝缘图案，该绝缘图案在与所述栅极的所述侧表面对应的区域中被设置在所述有源层与所述第二绝缘膜之间。附记5.根据附记4所述的电子装置，其中，所述绝缘图案与所述有源层的所述沟道区域交叠。附记6.根据附记4所述的电子装置，其中，所述绝缘图案的宽度比所述有源层的所述沟道区域的宽度宽。附记7.根据附记1所述的电子装置，其中，所述栅极具有多层结构。附记8.根据附记7所述的电子装置，其中，所述栅极包括第一栅极和设置在所述第一栅极上的第二栅极，并且其中，所述第一栅极的宽度比所述第二栅极的宽度窄。附记9.根据附记8所述的电子装置，其中，所述第一栅极的材料与所述第二栅极的材料不同。附记10.根据附记8所述的电子装置，其中，所述有源层的所述沟道区域设置为与所述第一栅极的侧表面的一部分对应。附记11.根据附记8所述的电子装置，其中，所述栅极还包括设置在所述第一栅极下方的第三栅极，并且其中，所述第一栅极的宽度比所述第三栅极的宽度窄。附记12.根据附记11所述的电子装置，其中，所述第一栅极的材料与所述第二栅极的材料和所述第三栅极的材料这二者不同。附记13.根据附记1所述的电子装置，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一个电极与所述栅极的顶表面交叠。附记14.根据附记1所述的电子装置，其中，所述第一电极和所述第二电极彼此不交叠。附本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子装置，该电子装置包括：/n面板；/n驱动电路，该驱动电路被配置为驱动所述面板；以及/n晶体管，该晶体管设置在所述面板中，所述晶体管包括：/n基板；/n栅极，该栅极设置在所述基板上；/n第一绝缘膜，该第一绝缘膜设置在所述栅极上；/n有源层，该有源层设置在所述第一绝缘膜上，所述有源层包括：/n所述有源层的第一部分，所述有源层的所述第一部分与所述栅极的顶表面交叠；/n所述有源层的第二部分，所述有源层的所述第二部分从所述第一部分延伸，沿所述栅极的侧表面设置并且包括沟道区域，其中，所述沟道区域设置为与所述基板不平行；以及/n所述有源层的第三部分，所述有源层的所述第三部分从所述有源层的所述第二部分延伸，所述有源层的所述第三部分设置在所述第一绝缘膜的不与所述栅极交叠的一部分上；/n第二绝缘膜，该第二绝缘膜设置在所述有源层上；/n第一电极，该第一电极设置在所述第二绝缘膜上，所述第一电极与所述有源层的所述第一部分电连接；以及/n第二电极，该第二电极设置在所述第二绝缘膜上，所述第二电极与所述有源层的所述第三部分电连接。/n
【技术特征摘要】
20181116 KR 10-2018-01412981.一种电子装置，该电子装置包括：
面板；
驱动电路，该驱动电路被配置为驱动所述面板；以及
晶体管，该晶体管设置在所述面板中，所述晶体管包括：
基板；
栅极，该栅极设置在所述基板上；
第一绝缘膜，该第一绝缘膜设置在所述栅极上；
有源层，该有源层设置在所述第一绝缘膜上，所述有源层包括：
所述有源层的第一部分，所述有源层的所述第一部分与所述栅极的顶表面交叠；
所述有源层的第二部分，所述有源层的所述第二部分从所述第一部分延伸，沿所述栅极的侧表面设置并且包括沟道区域，其中，所述沟道区域设置为与所述基板不平行；以及
所述有源层的第三部分，所述有源层的所述第三部分从所述有源层的所述第二部分延伸，所述有源层的所述第三部分设置在所述第一绝缘膜的不与所述栅极交叠的一部分上；
第二绝缘膜，该第二绝缘膜设置在所述有源层上；
第一电极，该第一电极设置在所述第二绝缘膜上，所述第一电极与所述有源层的所述第一部分电连接；以及
第二电极，该第二电极设置在所述第二绝缘膜上，所述第二电极与所述有源层的所述第三部分电连接。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在与所述有源层的所述第二部分对应的区域中，所述栅极的所述侧表面具有倒锥形形状或者所述栅极具有台阶部分。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述栅极具有单层结构，并且
其中，所述栅极的宽度在远离所述基板的方向上增加。
4.根据权利要求1所述的电子装置，该电子装置还包括：
绝缘图案，该绝缘图案在与所述栅极的所述侧表面对应的区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：成相润，朴世熙，卢智龙，赵寅晫，尹弼相，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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