闪存器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种闪存器件的形成方法，通过形成图形化的光刻胶层，通过所述图形化的光刻胶层覆盖暴露出的半导体衬底、结构层和第一多晶硅层的部分；然后去除所述第一多晶硅层的部分和部分厚度的所述第二多晶硅层；进一步的，去除所述图形化的光刻胶层的部分，以暴露出所述结构层；以及，去除所述结构层的部分和剩余的所述第二多晶硅层。由此，通过两次去除的方法去除所述第二多晶硅层，从而避免所述第二多晶硅层的残留，进一步的避免残留的所述第二多晶硅层在后续的工艺中剥落，进而避免造成缺陷。

The forming method of flash memory device

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种闪存器件的形成方法。
技术介绍
目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个重要类型。而在存储器中，近年来快闪存储器(FlashMemory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息，且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因此，在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。在现有的闪存器件的形成方法中，容易在所述半导体衬底上残留的多晶硅，在后续的工艺中，残留的所述多晶硅容易剥落，由此会造成所述半导体衬底的缺陷，进而影响产品的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存器件的形成方法，以解决多晶硅剥落造成的缺陷问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种闪存器件的形成方法，所述闪存器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围区和存储区，所述存储区的所述半导体衬底上形成有结构层和氮化层，所述氮化层覆盖所述结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，所述闪存器件的形成方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围区和存储区，所述存储区的所述半导体衬底上形成有结构层和氮化层，所述氮化层覆盖所述结构层和所述存储区的所述半导体衬底；/n形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述氮化层和所述外围区的所述半导体衬底；/n去除所述多晶硅层的部分，以暴露出所述氮化层以及在所述外围区的所述多晶硅层中形成一开口，且所述开口将所述外围区的所述多晶硅层分为第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层较所述第一多晶硅层靠近所述氮化层；/n去除所述氮化层，以暴露出所述半导体衬底的部分和所述结构层；/n形成图形化的光刻胶层，所述...

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，所述闪存器件的形成方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围区和存储区，所述存储区的所述半导体衬底上形成有结构层和氮化层，所述氮化层覆盖所述结构层和所述存储区的所述半导体衬底；
形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述氮化层和所述外围区的所述半导体衬底；
去除所述多晶硅层的部分，以暴露出所述氮化层以及在所述外围区的所述多晶硅层中形成一开口，且所述开口将所述外围区的所述多晶硅层分为第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层较所述第一多晶硅层靠近所述氮化层；
去除所述氮化层，以暴露出所述半导体衬底的部分和所述结构层；
形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖暴露出的所述半导体衬底、所述结构层和所述第一多晶硅层的部分；
去除所述第一多晶硅层的部分和部分厚度的所述第二多晶硅层；
去除所述图形化的光刻胶层的部分，以暴露出所述结构层；以及，
去除所述结构层的部分和剩余的所述第二多晶硅层。


2.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括一基底和位于所述基底中的氧化硅层，所述氧化硅层的表面露出于所述基底的表面，所述结构层、所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层均位于所述氧化硅层上，且所述基底包括所述外围区和所述存储区。


3.如权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周海洋，沈思杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31