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本发明提供一种闪存器件的形成方法，通过形成图形化的光刻胶层，通过所述图形化的光刻胶层覆盖暴露出的半导体衬底、结构层和第一多晶硅层的部分；然后去除所述第一多晶硅层的部分和部分厚度的所述第二多晶硅层；进一步的，去除所述图形化的光刻胶层的部分，以...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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