包含铁电材料的凹陷晶体管制造技术

本申请涉及包含铁电材料的凹陷晶体管。一些实施例含括晶体管构造，其具有内衬在基底内的凹槽中的第一绝缘结构。第一导电结构内衬在所述第一绝缘结构的内部中，且铁电结构内衬在所述第一导电结构的内部中。第二导电结构位于所述铁电结构的下部区域内，且所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面。第二绝缘结构位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内。一对源极/漏极区域相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。

Concave transistor containing ferroelectric material

【技术实现步骤摘要】
包含铁电材料的凹陷晶体管本申请为专利技术名称为“包含铁电材料的凹陷晶体管”、申请号为201580054326.5、申请日为2015年7月8日的中国专利技术专利申请的分案申请。
本申请涉及包含铁电材料的凹陷晶体管。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路，且用于计算机系统中以存储数据。可将存储器制造成一或多个个别存储器单元阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及访问线(其也可称为字线)而使存储器单元被写入或被读取。数字线可沿着阵列的列导电性地互连存储器单元，且访问线可沿着阵列的行导电性地互连存储器单元。可透过数字线与访问线的组合唯一地寻址每一存储器单元。存储器单元可为易失性或非易失性。非易失性存储器单元可长期(含括计算机断电时)存储数据。易失性存储器具耗散性且因此需要被刷新/重新写入，在许多例项中，每秒刷新/重新写入多次。然而，存储器单元经配置以在至少两种不同可选状态中保存或存储记忆。在二进制系统中，将所述状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的多于两种层次或状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成构造，其包括：/n第一导电结构，其包括相对的侧壁结构和位于所述相对的侧壁结构之间的开口，所述开口从所述第一导电结构的最上表面延伸并且具有内部基底；/n铁电材料，其内衬在所述开口的内部，所述铁电材料具有位于其中的凹槽；/n第二导电结构，其位于所述凹槽的下部区域内；具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面；及/n一对源极/漏极区域，其位于所述第一导电结构的彼此对置侧上。/n

【技术特征摘要】
20141007 US 14/508,9121.一种集成构造，其包括：
第一导电结构，其包括相对的侧壁结构和位于所述相对的侧壁结构之间的开口，所述开口从所述第一导电结构的最上表面延伸并且具有内部基底；
铁电材料，其内衬在所述开口的内部，所述铁电材料具有位于其中的凹槽；
第二导电结构，其位于所述凹槽的下部区域内；具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面；及
一对源极/漏极区域，其位于所述第一导电结构的彼此对置侧上。


2.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述第一导电结构包括金属。


3.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述第一导电结构包括金属氮化物。


4.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述第一导电结构包括氮化钛及氮化钽中的一者或两者。


5.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述铁电结构包括金属氧化物。


6.根据权利要求5所述的集成构造，其中所述铁电结构含括铝、钡、钙、铒、铪、镧、铅、镁、铌、锶、钛、钇及锆中的一者或多者。


7.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述第二导电结构包括金属。


8.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述第二导电结构包括钨及氮化钛中的一者或两者。


9.根据权利要求1所述的集成构造，其中所述基底包括单晶硅；其中所述源极/漏极区域是所述基底的所述单晶硅的n型掺杂区域；且其中所述源极/漏极区域之间的沟道区域是所述基底的所述单晶硅的p型掺杂区域。


10.一种集成构造，其包括：
第一导电材料，其具有包括相对的侧壁、上表面和基底表面的外周长；
铁电材料，其抵靠所述基底表面并且抵靠所述相对的侧壁；
第二导电材料，延着所述基底表面和所述相对的侧壁、并且通过所述铁电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·N·拉马斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US