闪存器件的制造方法技术

本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底包括存储单元区域和外围区域，存储单元区域形成有第一栅极，外围区域形成有第二栅极，第一栅极的顶端形成有硬掩模层，第一栅极的高度大于第二栅极的高度；在衬底上涂布BARC，使BARC覆盖第一栅极和第二栅极；对BARC进行刻蚀，使第一栅极暴露在外，使第二栅极被BARC覆盖；对硬掩模层进行去除处理；对BARC进行去除处理。本申请通过对BARC进行刻蚀，使存储单元区域的第一栅极暴露在外，外围区域的第二栅极覆盖在BARC中，对硬掩模层进行去除处理，由于在对硬掩模层进行去除处理时，BARC覆盖第一栅极顶端以下的部分以及第二栅极，因此能够生成较厚的硬掩模层的同时，避免了逻辑隔离层底部的削弱现象。

Manufacturing method of flash memory device

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的制造方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种闪存器件的制造方法。
技术介绍
快闪存储器(Nand-flash，以下简称“闪存”)是一种采用非易失性存储(Non-volatileMemory，NVM)技术的存储器，目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(UniversalSerialBusFlashDisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。闪存的主要特点在于：容量相对较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，断电后仍能保存数据，因此其得到了越来越广泛的应用。闪存器件包括字线(WordLine，WL)和位线(BitLine，BL)，在闪存器件的制造过程中，字线的栅极表面会形成硬掩模层，通过该硬掩模层在控制栅(ControlGrid，CG)和通孔(Contact，CT)刻蚀过程中保护栅极。然而，相关技术中提供的闪存器件的制造方法，当硬掩模层的厚度较薄时，对栅极的保护力度不足，容易造成栅极的损坏；当硬掩模层的厚度较厚时，会导致逻辑隔离层(LogicSpacer，即栅极底部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围区域，所述存储单元区域形成有第一栅极，所述外围区域形成有第二栅极，所述第一栅极的顶端形成有硬掩模层，所述第一栅极的高度大于所述第二栅极的高度；/n在所述衬底上涂布BARC，使所述BARC覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；/n对所述BARC进行刻蚀，使所述第一栅极暴露在外，使所述第二栅极被所述BARC覆盖；/n对所述硬掩模层进行去除处理；/n对所述BARC进行去除处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围区域，所述存储单元区域形成有第一栅极，所述外围区域形成有第二栅极，所述第一栅极的顶端形成有硬掩模层，所述第一栅极的高度大于所述第二栅极的高度；
在所述衬底上涂布BARC，使所述BARC覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；
对所述BARC进行刻蚀，使所述第一栅极暴露在外，使所述第二栅极被所述BARC覆盖；
对所述硬掩模层进行去除处理；
对所述BARC进行去除处理。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述BARC进行刻蚀，包括：
通过干法刻蚀工艺对所述BARC进行刻蚀。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为灰化工艺。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氧化硅硬掩模层。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述硬掩模层进行去除处理，包括：
通过湿法刻蚀工艺对所述氧化硅硬掩模层进行去除处理。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的反应溶液包括氢氟酸，或者，BOE。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极包括字线，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐杰，李志国，陈广龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32