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本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底包括存储单元区域和外围区域，存储单元区域形成有第一栅极，外围区域形成有第二栅极，第一栅极的顶端形成有硬掩模层，第一栅极的高度大于第二栅极的高度；在衬底上涂布BARC，使BARC覆盖...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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