半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件。半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及发光结构。发光结构位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构。多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，阱层及阻障层组成一对半导体叠层。阻障层的厚度小于阱层的厚度。

Semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术涉及一种半导体元件，特别是涉及一种包含发光结构的半导体光电元件。
技术介绍
在信息传输及能量转换领域中，半导体元件扮演着非常重要的角色，相关材料的研究开发也持续进行。举例而言，包含三族及五族元素的三五族半导体材料可应用于各种光电元件，如发光二极管(Lightemittingdiode，LED)、激光二极管(Laserdiode，LD)、太阳能电池(Solarcell)等，近年来此些光电元件也大量被应用于照明、显示、通讯、感测、电源系统等领域。发光二极管适用于固态照明光源且具有耗电量低以及寿命长等优点，已逐渐取代传统光源而大量被应用于交通号志、显示器的背光模块、各式照明及医疗装置中。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体元件。半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及发光结构。发光结构位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构。多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，阱层及阻障层组成一对半导体叠层。阻障层的厚度小于阱层的厚度。附图说明图1A为本专利技术一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：/n第一半导体结构；/n第二半导体结构；以及/n发光结构，位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构；/n其中该多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，该阱层及该阻障层组成一对半导体叠层，且该阻障层的厚度小于该阱层的厚度。/n

【技术特征摘要】
20190828 TW 108130803;20181112 US 62/759,9731.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：
第一半导体结构；
第二半导体结构；以及
发光结构，位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构；
其中该多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，该阱层及该阻障层组成一对半导体叠层，且该阻障层的厚度小于该阱层的厚度。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻障层与该阱层间晶格不匹配。


3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多重量子阱结构包含AlGaInAs。


4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻障层包含Alx1Gay1In1-x1-y1As，其中0&l...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孟扬，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71