电子产品高温烧结炉制造技术

一种电子产品高温烧结炉，属于电子窑炉设施技术领域。包括炉体，炉体的中央有炉膛；硅钼棒左、右加热元件在对应于炉膛的左、右侧的位置自炉膛的前端分布至后端，特点：还包括左、右塞砖机构、左和右提取释放砖，左、右塞砖机构在对应硅钼棒左、右加热元件的位置砌筑在炉顶砖内，左、右提取释放砖位于炉体的顶部，硅钼棒左加热元件的下端穿过左塞砖机构并伸展到炉膛的底部，硅钼棒左加热元件的上端由下向上穿过左提取释放砖并探出左提取释放砖的上表面，硅钼棒右加热元件的下端穿过右塞砖机构并伸展到炉膛的底部，硅钼棒右加热元件的上端由下向上穿过右提取释放砖并探出右提取释放砖的上表面。降低更换硅钼棒的工程成本；提高烧结效率。

【技术实现步骤摘要】
电子产品高温烧结炉
本技术属于电子窑炉设施
，具体涉及一种电子产品高温烧结炉。
技术介绍
前述的电子产品主要包括各类电子元器件和电子粉体材料。如业界所知，不论是用于烧结各类电子元器件，还是用于烧结各种普通的以及特殊并且高端的电子粉体材料的烧结炉，炉体的炉膛结构以及加热部件及其设置方式系其十分重要的组成部分。对此可以由中国专利CN105783517A推荐的“电池材料烧结炉的炉膛结构”以及CN204934610U提供的“MIN烧结炉的炉膛加热装置”印证。进而如业界所知，有些电子材料如氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片等等的烧结温度相对较高，并且在1500-1600℃左右，于是如果使用传统的电热丝之类的加热元件，那么因极易氧化而无法满足业界期望的加热元件使用寿命，并且因停炉更换频繁而一方面影响产能，另一方面不利于节省能耗，再一方面设备管护人员的工作量大。仍如业界所知，硅钼棒实质上为二硅化钼电热组件，是一种以硅化钼为基础的电阻发热组件，在氧化气氛下加热至高温，表面生成的一层致密的石英玻璃膜能起到良好的保护作用，使硅钼棒不再氧化。因此鉴于硅钼棒具有拔萃的高温抗氧化性能，在氧化气氛下最高可达1800℃，并且其通常的适用温度为1500-1700℃左右，因而对于烧结前述氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片以及高端电子磁性材料、高档冶金材料、耐火材料等等能发挥良好的积极作用。前述硅钼棒的形状主要有W字形、一字形和U字形，由于W字形的硅钼棒通常为水平放置使用，例如由于电炉内发热端分布较多，热效率较高，因而为了节省成本，W字形的硅钼棒适合于炉膛高度较矮的电炉，并不适合作为长度相对冗长且炉膛高度相对较高的前述电子元器件及电子粉体材料的烧结炉的加热部件；一字形的硅钼棒主要用于结构相对简单且体积较小的加热炉如中国专利CN208382876U推荐的“利用硅钼棒加热的搪瓷加热炉”，此外由于一字形的硅钼棒是处于纵向状态使用的，因而固定相对困难；由于U字形的硅钼棒能将前述W字形以及一字形的硅钼棒的优势兼得，例如在使用状态下能像一字形的硅钼棒那样纵向悬置使用，而无需象W字形的硅钼棒那样卧置使用，又如能够满足长度相对冗长并且高度相对较高的前述犹如隧道式的烧结炉的使用要求，因而较受业界的器重。依然由业界所知，电子元器件烧结炉的炉膛通常由沿着炉体长度方向的两侧砌筑的炉壁砖、位于炉体底部的炉底砖以及位于炉体顶部的炉顶砖构建（即围合）而成，前述U字形的硅钼棒的上端被定位在对应于炉膛上方的炉顶砖上，而下端伸展到炉膛内，并且在炉膛的长度方向的两侧均以间隔状态设置硅钼棒。传统的方法是：在对应于炉膛顶部的炉顶砖上并且在对应于U字形的硅钼棒的位置预设有供U字形的硅钼棒的上部两端穿过的硅钼棒让位孔，并且使硅钼棒的上部两端伸展到位于最上部的炉顶砖的上方以满足与电源连接的要求，而硅钼棒的下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛底部。这种结构设置虽然能够满足使用要求，但是当使用了一个时期例如使用了一至两年而需要对硅钼棒更换时，只能将前述炉顶砖拆除，才得以将硅钼棒取出，更换后返回硅钼棒时，又需将炉顶砖重新砌筑，于是不仅更换硅钼棒的工程量大，造成更换硅钼棒的成本高，而且由于需要对炉顶砖进行较大程度的结构拆装，因而存在对炉体整体结构产生影响之虞，进而由于更换硅钼棒耗时长并且作为一个工程来对待并处理，因而烧结炉停用时间长，影响电子元器件和/或电子粉体材料的烧结效率，还由于每次更换硅钼棒需拆卸炉顶砖，因而难以保障初始时的密封效果，进而由于在高温下硅钼棒会在炉顶砖的前述钼棒让位孔的部位与炉顶砖胀合为趋于一体的结构，因而造成取离炉顶砖困难，因为需将由硅钼棒胀住的复数根炉顶炉一并拆除，因而操作者的作业强度大。鉴于并非限于前述的技术问题，有必要加以合理改进，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。
技术实现思路
本技术的任务在于提供一种有助于显著减少更换硅钼棒的工程量而得以降低更换硅钼棒的成本、有利于显著缩短更换硅钼棒的时间而得以保障对电子元器件及电子粉体材料等的烧结效率、有益于避免因更换硅钼棒对炉膛顶部的密封产生影响而得以保障炉体初始的密封效果、有便于避免硅钼棒与砖体胀结为一体而得以方便更换硅钼棒并且得以显著降低更换硅钼棒的作业强度的电子产品高温烧结炉。本技术的任务是这样来完成的，一种电子产品高温烧结炉，包括炉体，该炉体的中央位置构成有一自炉体的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛，该炉膛由沿着炉体的长度方向的内侧底部水平砌筑的炉底砖、沿着炉体的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以所述炉底砖为基础纵向砌筑的炉壁砖以及沿着炉体的长度方向的顶部并且以所述炉壁砖为基础水平砌筑的炉顶砖围设而成；硅钼棒左加热元件和硅钼棒右加热元件，硅钼棒左加热元件在对应于所述炉膛的左侧的位置以间隔状态自炉膛的长度方向的前端分布至炉膛的后端，硅钼棒右加热元件在对应于炉膛的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛的长度方向的前端分布至炉膛的后端，该硅钼棒左加热元件以及硅钼棒右加热元件的形状呈U字形并且下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛的底部，特征在于还包括有左塞砖机构、右塞砖机构、左提取释放砖和右提取释放砖，左塞砖机构的数量与所述硅钼棒左加热元件的数量相等并且在对应于硅钼棒左加热元件的位置砌筑在所述炉顶砖内，右塞砖机构的数量与所述硅钼棒右加热元件的数量相等并且在对应于硅钼棒右加热元件的位置同样砌筑在所述炉顶砖内，左提取释放砖位于所述炉体的顶部并且与所述左塞砖机构的上部插拔配合，右提取释放砖位于所述炉体的顶部并且与所述右塞砖机构的上部插拔配合，所述硅钼棒左加热元件的下端穿过所述左塞砖机构并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛的底部，而硅钼棒左加热元件的上端由下向上穿过所述左提取释放砖并且探出左提取释放砖的上表面，所述硅钼棒右加热元件的下端穿过所述右塞砖机构并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛的底部，而硅钼棒右加热元件的上端由下向上穿过右提取释放砖并且探出右提取释放砖的上表面。在本技术的一个具体的实施例中，在所述的炉顶砖中，位于底层的并且与所述炉膛的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖，与炉膛顶壁砖的左侧接壤的并且与所述左塞砖机构的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖，而与炉膛顶壁砖的右侧接壤的并且与所述右塞砖机构的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖；在位于所述炉膛的底部的所述炉底砖上并且在对应于所述硅钼棒左加热元件的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽，而在对应于硅钼棒右加热元件的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽；所述的硅钼棒左加热元件的下端在依次穿过所述左塞砖机构以及硅钼棒左加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽内，所述的硅钼棒右加热元件的下端在依次穿过所述右塞砖机构以及硅钼棒右加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入硅钼棒右加热元件下端探入槽内。在本技术的另一个具体的实施例中，所述左塞砖机构包括左下塞砖、左中间塞砖和左上塞砖，左下塞砖支承在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖朝向上的一侧，左本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子产品高温烧结炉，包括炉体(1)，该炉体(1)的中央位置构成有一自炉体(1)的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛(11)，该炉膛(11)由沿着炉体(1)的长度方向的内侧底部水平砌筑的炉底砖(12)、沿着炉体(1)的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以所述炉底砖(12)为基础纵向砌筑的炉壁砖(13)以及沿着炉体(1)的长度方向的顶部并且以所述炉壁砖(13)为基础水平砌筑的炉顶砖(14)围设而成；硅钼棒左加热元件(2)和硅钼棒右加热元件(3)，硅钼棒左加热元件(2)在对应于所述炉膛(11)的左侧的位置以间隔状态自炉膛(11)的长度方向的前端分布至炉膛(11)的后端，硅钼棒右加热元件(3)在对应于炉膛(11)的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛(11)的长度方向的前端分布至炉膛(11)的后端，该硅钼棒左加热元件(2)以及硅钼棒右加热元件(3)的形状呈U字形并且下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛(11)的底部，其特征在于还包括有左塞砖机构(4)、右塞砖机构(5)、左提取释放砖(6)和右提取释放砖(7)，左塞砖机构(4)的数量与所述硅钼棒左加热元件(2)的数量相等并且在对应于硅钼棒左加热元件(2)的位置砌筑在所述炉顶砖(14)内，右塞砖机构(5)的数量与所述硅钼棒右加热元件(3)的数量相等并且在对应于硅钼棒右加热元件(3)的位置同样砌筑在所述炉顶砖(14)内，左提取释放砖(6)位于所述炉体(1)的顶部并且与所述左塞砖机构(4)的上部插拔配合，右提取释放砖(7)位于所述炉体(1)的顶部并且与所述右塞砖机构(5)的上部插拔配合，所述硅钼棒左加热元件(2)的下端穿过所述左塞砖机构(4)并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛(11)的底部，而硅钼棒左加热元件(2)的上端由下向上穿过所述左提取释放砖(6)并且探出左提取释放砖(6)的上表面，所述硅钼棒右加热元件(3)的下端穿过所述右塞砖机构(5)并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛(11)的底部，而硅钼棒右加热元件(3)的上端由下向上穿过右提取释放砖(7)并且探出右提取释放砖(7)的上表面。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电子产品高温烧结炉，包括炉体(1)，该炉体(1)的中央位置构成有一自炉体(1)的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛(11)，该炉膛(11)由沿着炉体(1)的长度方向的内侧底部水平砌筑的炉底砖(12)、沿着炉体(1)的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以所述炉底砖(12)为基础纵向砌筑的炉壁砖(13)以及沿着炉体(1)的长度方向的顶部并且以所述炉壁砖(13)为基础水平砌筑的炉顶砖(14)围设而成；硅钼棒左加热元件(2)和硅钼棒右加热元件(3)，硅钼棒左加热元件(2)在对应于所述炉膛(11)的左侧的位置以间隔状态自炉膛(11)的长度方向的前端分布至炉膛(11)的后端，硅钼棒右加热元件(3)在对应于炉膛(11)的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛(11)的长度方向的前端分布至炉膛(11)的后端，该硅钼棒左加热元件(2)以及硅钼棒右加热元件(3)的形状呈U字形并且下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛(11)的底部，其特征在于还包括有左塞砖机构(4)、右塞砖机构(5)、左提取释放砖(6)和右提取释放砖(7)，左塞砖机构(4)的数量与所述硅钼棒左加热元件(2)的数量相等并且在对应于硅钼棒左加热元件(2)的位置砌筑在所述炉顶砖(14)内，右塞砖机构(5)的数量与所述硅钼棒右加热元件(3)的数量相等并且在对应于硅钼棒右加热元件(3)的位置同样砌筑在所述炉顶砖(14)内，左提取释放砖(6)位于所述炉体(1)的顶部并且与所述左塞砖机构(4)的上部插拔配合，右提取释放砖(7)位于所述炉体(1)的顶部并且与所述右塞砖机构(5)的上部插拔配合，所述硅钼棒左加热元件(2)的下端穿过所述左塞砖机构(4)并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛(11)的底部，而硅钼棒左加热元件(2)的上端由下向上穿过所述左提取释放砖(6)并且探出左提取释放砖(6)的上表面，所述硅钼棒右加热元件(3)的下端穿过所述右塞砖机构(5)并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛(11)的底部，而硅钼棒右加热元件(3)的上端由下向上穿过右提取释放砖(7)并且探出右提取释放砖(7)的上表面。


2.根据权利要求1所述的电子产品高温烧结炉，其特征在于在所述的炉顶砖(14)中，位于底层的并且与所述炉膛(11)的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖(141)，与炉膛顶壁砖(141)的左侧接壤的并且与所述左塞砖机构(4)的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖(142)，而与炉膛顶壁砖(141)的右侧接壤的并且与所述右塞砖机构(5)的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖(143)；在位于所述炉膛(11)的底部的所述炉底砖(12)上并且在对应于所述硅钼棒左加热元件(2)的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)，而在对应于硅钼棒右加热元件(3)的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽(122)；所述的硅钼棒左加热元件(2)的下端在依次穿过所述左塞砖机构(4)以及硅钼棒左加热元件让位孔砖(142)后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛(11)的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)内，所述的硅钼棒右加热元件(3)的下端在依次穿过所述右塞砖机构(5)以及硅钼棒右加热元件让位孔砖(143)后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛(11)的底部伸展并且探入硅钼棒右加热元件下端探入槽(122)内。


3.根据权利要求2所述的电子产品高温烧结炉，其特征在于所述左塞砖机构(4)包括左下塞砖(41)、左中间塞砖(42)和左上塞砖(43)，左下塞砖(41)支承在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖(142)朝向上的一侧，左中间塞砖(42)叠置在左下塞砖(41)的上部，左上塞砖(43)叠置在左中间塞砖(42)的上部，所述的左提取释放砖(6)在位于所述炉体(1)的顶部的位置与所述左上塞砖(43)的顶部插拔配合，所述左下塞砖(41)、左中间塞砖(42)以及左上塞砖(43)由所述炉顶砖(14)砌筑固定，所述硅钼棒左加热元件(2)的下端在依次穿过左上塞砖(43)、左中间塞砖(42)、左下塞砖(41)和硅钼棒左加热元件让位孔砖(142)后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛(11)的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)内，而硅钼棒左加热元件(2)的上端在自所述左提取释放砖(6)的下方向上穿过左提取释放砖(6)后探出左提取释放砖(6)的上表面后并且固定有硅钼棒电源左连接电缆连接夹(61)；所述的炉膛顶壁砖(141)的左侧上部与所述左下塞砖(41)的下部右侧相配合。


4.根据权利要求3所述的电子产品高温烧结炉，其特征在于在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖(142)上开设有一贯穿硅钼棒左加热元件让位孔砖(142)的厚度方向的硅钼棒左加热元件让位贯通孔(1421)，在所述左下塞砖(41)上并且在对应于硅钼棒左加热元件让位贯通孔(1421)的位置开设有一自左下塞砖(41)的顶部贯通至底部的左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(411)，在所述左中间塞砖(42)上并且在对应于左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(411)的位置开设有一自左中间塞砖(42)的顶部贯通至底部的左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(421)，在所述左上塞砖(43)上并且在对应于左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(421)的位置开设有一自左上塞砖(43)的顶部贯通至底部的左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(431)，在所述左提取释放砖(6)上并且在对应于左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(431)的两端的位置各开设有一左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔(62)，其中，所述硅钼棒左加热元件让位贯通孔(1421)、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(411)、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(421)以及左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(431)的形状是相同的并且均呈哑铃状孔，所述的左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔(62)为圆形孔，所述硅钼棒左加热元件(2)的下端在由上向下依次穿过所述左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(431)、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(421)、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔(411)和硅钼棒左加热元件让位贯通孔(1421)后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛(11)的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)内，硅钼棒左加热元件(2)的上端在对应于所述左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔(62)的位置自左提取释放砖(6)的下方向上穿过左提取释放砖(6)并且探出左提取释放砖(6)的上表面，固定在所述硅钼棒左加热元件(2)的上端的所述硅钼棒电源左连接电缆连接夹(61)的底面与左提取释放砖(6)的顶表面接触。


5.根据权利要求3所述的电子产品高温烧结炉，其特征在于在所述左下塞砖(41)的高度方向的中部并且围绕左下塞砖(41)的四周构成有一左下塞砖砌固台阶腔(412)，左下塞砖(41)的上端构成为左下塞砖凸台(413)，在左下塞砖(41)的右侧下部构成有一左下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔(414)，所述的炉顶砖(14)与左下塞砖砌固台阶腔(412)砌配，所述炉膛顶壁砖(141)的左侧上部与所述左下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔(414)砌配；在所述左中间塞砖(42...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙豪，张文俊，钱虞清，戴羽，
申请(专利权)人：苏州汇科机电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32