【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片间膜厚度匹配的通过随室堆积量变化调制沉积循环数量的厚度补偿相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月15日提交的美国临时专利申请No.62/559,434以及于2017年10月16日提交的美国专利申请No.15/785,093的优先权，通过引用将两者中的每一者的全部公开内容并入本文以用于所有目的。
技术介绍
集成电路的加工成形包括很多不同的处理步骤。常采用的操作中的一者是介电膜的沉积。该膜可沉积在相当平坦的衬底上，或其可沉积到在硅衬底上方或硅衬底内图案化的特征之间的间隙中。沉积此类膜的一种方法经过等离子体辅助原子层沉积(ALD)。在此类型的方法中，以循环方式进行数个操作，以沉积保形膜。典型地，ALD工艺包括以下步骤：(a)向反应室提供一定剂量的第一反应物，(b)清扫反应室，(c)使第二反应物流至该反应室，(d)点燃该反应室中的等离子体，以及(e)熄灭该等离子体并清扫该反应室。由于前体输送/吸附至该衬底表面上的本质，ALD工艺的单个循环通常沉积约单层材料。这些操作可重复多次，以沉积附加的单层来达到所期望的膜厚度。限定同时优...
【技术保护点】
1.一种在沉积室中执行原子层沉积的方法，所述方法包括：/n(a)确定当前在沉积室内部的至少内部区域上的沉积材料堆积量，其中所述沉积材料堆积量随批次衬底的处理过程改变；/n(b)将在(a)中所确定的所述沉积材料堆积量或由其导出的参数应用至下列两者之间的关系：(i)达到目标沉积厚度所需的ALD循环数量与(ii)代表沉积材料堆积量的变量，其中在已知当前在所述沉积室内部的所述内部区域上的所述沉积材料堆积量的情况下，所述应用返回补偿的ALD循环数量以产生所述目标沉积厚度；以及/n(c)在所述批次衬底中的一或多个衬底上执行所述补偿的ALD循环数量。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170915 US 62/559,434;20171016 US 15/785,0931.一种在沉积室中执行原子层沉积的方法，所述方法包括：
(a)确定当前在沉积室内部的至少内部区域上的沉积材料堆积量，其中所述沉积材料堆积量随批次衬底的处理过程改变；
(b)将在(a)中所确定的所述沉积材料堆积量或由其导出的参数应用至下列两者之间的关系：(i)达到目标沉积厚度所需的ALD循环数量与(ii)代表沉积材料堆积量的变量，其中在已知当前在所述沉积室内部的所述内部区域上的所述沉积材料堆积量的情况下，所述应用返回补偿的ALD循环数量以产生所述目标沉积厚度；以及
(c)在所述批次衬底中的一或多个衬底上执行所述补偿的ALD循环数量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述沉积材料堆积量包括：通过使用所执行的ALD循环数量和每ALD循环的预测沉积材料堆积量来计算所述沉积材料堆积量。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积材料堆积量随批次衬底的所述处理过程实质上线性地变动。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积材料堆积量随ALD循环数量而实质上线性地变动。
5.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述沉积材料堆积量包括：原位测量所述沉积材料堆积量。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述关系是至少部分地基于在处理批次衬底的所述过程中在该批次衬底中的衬底的厚度趋势。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述关系是至少部分地基于至少一个批次的经处理的衬底的数据，其中在所述批次的经处理的衬底中的每个衬底上已执行相同的沉积循环数量，且其中所述数据包括所述批次的经处理的衬底中的多个衬底的厚度和所述多个衬底中的每个衬底的对应的所述沉积材料堆积量。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述关系是所述数据的多项式拟合。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述关系是多项式关系，其中用于产生所述目标沉积厚度的补偿ALD循环数量是代表所述沉积材料堆积量的所述变量的函数，其中代表所述沉积材料堆积量的所述变量提升至乘幂。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述乘幂是三。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述多项式关系将达到目标沉积厚度所需的所述ALD循环数量表示为项的和的函数，其中所述项中的至少两项包含代表当前在所述沉积室内部的内部区域上的所述沉积堆积量提升至乘幂的变量。...
【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·菲利普斯，克洛伊·巴尔达赛罗尼，尼山斯·曼朱纳特，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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