【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法本申请要求2017年10月4日提交的美国临时申请号62/567,840和2018年9月20日提交的美国专利申请号16/137,399的权益。
本专利技术涉及非易失性存储器阵列。
技术介绍
分裂栅极非易失性存储器单元和此类单元阵列是熟知的。例如，美国专利5,029,130(“’130专利”)公开了一种分裂栅极非易失性存储器单元阵列，并且出于所有目的将该专利以引用方式并入本文。存储器单元在图1中示出。每个存储器单元10包括形成于半导体衬底12中的源极区14和漏极区16，其间具有沟道区18。浮栅20形成在沟道区18的第一部分上方并且与其绝缘(并控制其电导率)，并且形成在漏极区16的一部分上方。控制栅极22具有第一部分22a和第二部分22b，该第一部分设置在沟道区18的第二部分上方并且与其绝缘(并且控制其电导率)，该第二部分22b沿着浮栅20向上并且在浮栅上方延伸。浮栅20和控制栅极22通过栅极氧化物26与衬底12绝缘。通过将高的正电压置于控制栅极22上，擦除存储器单元(...
【技术保护点】
1.一种形成存储器设备的方法，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储区域、第一外围区域和第二外围区域；/n在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述衬底的表面上形成第一绝缘层；/n在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层；/n从所述第一外围区域和第二外围区域移除所述第一多晶硅层，并且从所述存储区域移除所述第一多晶硅层的多个部分，从而在所述存储区域留下所述第一多晶硅层的第一多晶硅块，其中所述第一多晶硅块具有第一端部和第二相对端部；/n移除所述第一绝缘层的不是设置在所述第一多晶硅块下方的多个部分；/n邻接所述存储区域中所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171004 US 62/567,840;20180920 US 16/137,3991.一种形成存储器设备的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储区域、第一外围区域和第二外围区域；
在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述衬底的表面上形成第一绝缘层；
在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层；
从所述第一外围区域和第二外围区域移除所述第一多晶硅层，并且从所述存储区域移除所述第一多晶硅层的多个部分，从而在所述存储区域留下所述第一多晶硅层的第一多晶硅块，其中所述第一多晶硅块具有第一端部和第二相对端部；
移除所述第一绝缘层的不是设置在所述第一多晶硅块下方的多个部分；
邻接所述存储区域中所述第一多晶硅块的所述第一端部在所述衬底中形成源极区；
在所述第二外围区域中的所述衬底的所述表面上形成第二绝缘层；
形成包裹所述第一多晶硅块的所述第一端部处的上边缘的第三绝缘层；
在所述存储区域中所述源极区上方的所述衬底的所述表面上形成第四绝缘层；
邻接所述第一多晶硅块的所述第二端部在所述存储区域中的所述衬底的所述表面上以及在所述第一外围区域中的所述衬底的所述表面上形成第五绝缘层；
在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层上形成第二多晶硅层；
移除所述第二多晶硅层的多个部分，从而在所述第四绝缘层上和所述源极区上方留下所述第二多晶硅层的第二多晶硅块，横向邻接所述第一多晶硅块的所述第二端部在所述存储区域中的所述第五绝缘层上留下所述第二多晶硅层的第三多晶硅块，在所述第一外围区域中的所述第五绝缘层上留下所述第二多晶硅层的第四多晶硅块，以及在所述第二外围区域中的所述第二绝缘层上留下所述第二多晶硅层的第五多晶硅块；
邻接所述存储区域中所述第三多晶硅块在所述衬底中形成漏极区；
邻接所述第四多晶硅块的第一侧在所述衬底中形成第二源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：JW·杨，CM·陈，MT·吴，CC·范，N·多，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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