写入辅助电路和将位线电压负升压的方法技术

提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明专利技术的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。

The method of writing auxiliary circuit and increasing bit line voltage negative

【技术实现步骤摘要】
写入辅助电路和将位线电压负升压的方法
本专利技术的实施例涉及写入辅助电路和将位线电压负升压的方法。
技术介绍
集成电路存储器的常见类型是静态随机存取存储器(SRAM)器件。典型的SRAM存储器器件包括位单元的阵列，每个位单元具有连接在较高参考电位和较低参考电位之间的六个晶体管。每个位单元具有可以存储信息的两个存储节点。第一节点存储期望的信息，而互补信息存储在第二存储节点。SRAM单元具有无需刷新即可保存数据的优点。SRAM位单元可以起作用的最低VDD电压(正电源电压)称为Vccmin。在Vccmin附近具有低单元VDD可以减少泄漏电流，并且还可以减小读取翻转的发生率。但是具有较高的单元VDD提高成功写入操作的可能性。因此，Vccmin受写入操作的限制。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种写入辅助电路，包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间；反相器，用于响应于写入使能信号而接收升压信号，其中，所述反相器的输出耦合至所述晶体管开关的栅极；以及金属电容器，具有耦合至所述位线电压节点的第一端和耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种写入辅助电路，包括：/n晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间；/n反相器，用于响应于写入使能信号而接收升压信号，其中，所述反相器的输出耦合至所述晶体管开关的栅极；以及/n金属电容器，具有耦合至所述位线电压节点的第一端和耦合至所述晶体管开关的所述栅极的第二端，其中，所述金属电容器用于响应于所述升压信号将所述位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,760;20191024 US 16/662,4331.一种写入辅助电路，包括：
晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间；
反相器，用于响应于写入使能信号而接收升压信号，其中，所述反相器的输出耦合至所述晶体管开关的栅极；以及
金属电容器，具有耦合至所述位线电压节点的第一端和耦合至所述晶体管开关的所述栅极的第二端，其中，所述金属电容器用于响应于所述升压信号将所述位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。


2.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述升压信号用于关闭所述晶体管开关，引起所述金属电容器的放电。


3.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述金属电容器包括第一金属板和平行于所述第一金属板的第二金属板。


4.根据权利要求3所述的写入辅助电路，其中，所述第一金属板位于第一金属层中，并且所述第二金属板位于第二金属层中，并且其中，所述第一金属层不同于所述第二金属层。


5.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述金属电容器包括扣手金属电容器。


6.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述金属电容器包括栅格型金属电容器。


7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢维哲，郑基廷，林洋绪，吴尚锜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71