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本发明提供一种形成存储器设备的方法，其中存储器单元位于存储区域，并且逻辑器件位于第一外围区域和第二外围区域。每个存储器单元包括浮栅、字线栅极和擦除栅极，并且每个逻辑器件包括一个栅极。字线栅极下方的氧化物与浮栅和擦除栅极之间的隧道氧化物分开形...
该专利属于硅存储技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术股份有限公司授权不得商用。

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