【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器阵列重置读取操作交叉参考本专利申请案主张Binfet等人于2017年8月28日申请的名为“存储器阵列重置读取操作(MemoryArrayResetReadOperation)”的第15/688,645号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给本受让人且其全文是以引用的方式明确地并入。
技术介绍
下文大体上涉及一种系统及存储器装置，且更特定地说，涉及一种三维(three-dimensional，3D)与非(Not-AND，NAND)存储器上的重置读取操作。系统可包含经由一或多个总线耦合以在例如计算机、无线通信装置、物联网、相机、数字显示器等等的多个电子装置中管理信息的各种种类的存储器装置及控制器。存储器装置广泛地用以在此类电子装置中存储信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元具有两个状态，通常被表示为逻辑“1”或逻辑“0”。多于两个状态可存储于存储器单元中。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n识别用于将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分；/n至少部分地基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分；及/n至少部分地基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170828 US 15/688,6451.一种方法，其包括：
识别用于将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分；
至少部分地基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分；及
至少部分地基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述读取命令的所述部分包括：
执行读取操作的读取恢复部分，其中所述读取操作包括所述读取恢复部分及数据感测部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的电压增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压；
将施加至所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极的电压增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压；及
将施加至所述至少一个部分的源极、漏极、位线或其组合的电压设置为第三电压。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于达到所述第一电压而将施加至所有字线的所述电压从所述第一电压减小至第四电压；及
至少部分地基于减小施加至所有字线的所述电压而将施加至所述至少一个选择栅极装置的所述至少一个栅极的所述电压从所述第二电压减小至低于所述第二阈值电压。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述临时状态包括：
所述至少一个部分的存储器单元的瞬时状态，其包含在执行所述读取命令的所述部分之后将所述存储器单元的字线与沟道电位差保持在低于所述存储器单元的源极、漏极、位线或其组合的电压的电平下。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定自所述至少一个部分的最后读取操作以来的持续时间，其中识别所述存储器阵列的所述至少一个部分是至少部分地基于确定所述持续时间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个部分对应于所述存储器阵列的单个块。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定执行所述读取命令的所述部分的模式，其中执行所述读取命令的所述部分是至少部分地基于确定所述模式。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
识别所述存储器阵列的产品设计识别，其中确定所述模式包括确定所述存储器阵列的数个部分，将至少部分地基于所述产品设计识别而对所述数个部分执行所述读取命令的所述部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于确定所述数个部分而对所述存储器阵列的多个部分同时执行所述读取命令的所述部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个部分包括所述存储器阵列的总数目个块。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器阵列包括：
至少一个三维与非NAND存储器单元。
13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
接收执行所述读取命令的请求；及
至少部分地基于接收到所述请求而起始所述读取命令的所述部分。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：
识别与所述读取命令的所述部分相关联的设置特征及修整条件；及
至少部分地基于识别所述设置特征及所述修整条件而确定用于执行所述读取命令的所述部分的配置，其中执行所述读取命令的所述部分是至少部分地基于确定所述配置。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述设置特征及所述修整条件包括对单个块进行的所述读取命令的所述部分的执行。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述设置特征及所述修整条件包括对由所述修整条件定义的最大数目个块进行的所述读取命令的所述部分的执行。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述设置特征及所述修整条件包括对所述读取命令的所述部分的自动执行。
18.一种方法，其包括：
起始将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的重置读取命令；
至少部分地基于所述起始而向与所述至少一个部分相关联的所有字线施加增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压的电压；
至少部分地基于所述起始而向所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极施加增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压的电压；及
至少部分地基于所述起始而将所述至少一个部分的节点设置为第三电压。
19.根据权利要求18所述的方法，其中将所述存储器阵列的所述至少一个部分设置为所述临时状态的所述重置读取命令包括：
起始所述至少一个部分至所述临时状态的转变。
20.根据权利要求18所述的方法，其中将所述存储器阵列的所述至少一个部分设置为所述临时状态的所述重置读取命令包括：
使所述至少一个部分维持在所述临时状态下。
21.根据权利要求18所述的方法，其中所述节点包括源极、漏极、位线或其组合。
22.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于达到所述第一电压而将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的所述电压从所述第一电压减小至第四电压；及
至少部分地基于减小施加至所有字线的所述电压而将施加至所述至少一个部分的所述至少一个选择栅极装置的所述至少一个栅极的所述电压从所述第二电压减小至低于所述第二阈值电压。
23.根据权利要求22所述的方法，其中：
所述第一电压高于所述第二电压；
所述第二电压高于所述第三电压；且
所述第三电压是接地电位。
24.根据权利要求18所述的方法，
其中所述重置读取命令包括读取操作的读取恢复部分，
其中所述读取操作包括所述读取恢复部分及数据感测与传送部分，且
其中所述读取恢复部分包括施加增大至高于所述存储器单元的所述阈值电压的所述第一电压的所述电压、施加增大至高于所述至少一个选择栅极装置的所述第二阈值电压的所述第二电压的所述电压，及将所述至少一个部分的所述节点设置为所述第三电压。
25.一种设备，其包括：
存储器阵列；
处理器；
控制器，其与所述存储器阵列及所述处理器耦合，所述控制器可操作以：
识别用于将所述存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分；
至少部分地基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分；及
至少部分地基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分。
26.根据权利要求25所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以：
确定数个部分，将至少部分地基于所述存储器阵列的产品设计识别而同时对所述数个部分执行所述读取命令的所述部分，其中执行所述读取命令的所述部分是至少部分地基于确定所述数个部分。
27.根据权利要求25所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以：
从所述处理器接收执行所述读取命令的所述部分的请求，其中识别所述读取命令的所述部分是至少部分地基于接收到的所述请求。
28.一种设备，其包括：
存储器阵列；
处理器；
控制器，其与所述存储器阵列及所述处理器耦合，所述控制器可操作以：
起始将所述存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的重置读取命令；
至少部分地基于所述起始而将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的电压增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压；
至少部分地基于所述起始而将施加至所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极的电压增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压；及
至少部分地基于所述起始而将所述至少一个部分的节点设置为第三电压。
29.根据权利要求28所述的设备，其中将所述存储器阵列的所述至少一个部分设置为所述临时状态的所述重置读取命令包括：
起始所述至少一个部分至所述临时状态的转变或使所述至少一个部分维持在所述临时状态下。
30.根据权利要求28所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以：
至少部分地基于达到所述第一电压而将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的所述电压从所述第一电压减小至第四电压；
至少部分地基于减小施加至所有字线的所述电压而将施加至所述至少一个部分的所述至少一个选择栅极装置的所述至少一个栅极的所述电压从所述第二电压减小至低于所述第二阈值电压；且
其中所述节点包括源极、漏极、位线或其组合。
31.根据权利要求28所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以：
识别与所述重置读取命令相关联的设置特征及修整条件，其中所述设置特征及所述修整条件由所述处理器设置；及
至少部分地基于识别所述设置特征及所述修整条件而确定用于执行所述重置读取命令的配置。
32.一种方法，其包括：
接收对存储器阵列执行读取命令的部分的请求；
至少部分地基于接收到的所述请求而识别所述存储器阵列的多个部分；及
至少部分地基于识别所述多个部分而对所述多个部分同时执行截断读取操...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·宾福特，M·赫尔姆，W·菲利皮亚克，M·霍斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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