【技术实现步骤摘要】
IC结构、操作IC制造系统的方法和IC布局图生成系统
本专利技术的实施例涉及IC结构、操作IC制造系统的方法和IC布局图生成系统。
技术介绍
集成电路(IC)通常包括多个半导体器件，有时称为IC器件。表示IC器件的一种方法是使用称为布局图的平面图或IC布局图。IC布局图是分层的，并且包含根据IC器件的设计规范执行高级功能的模块。这些模块通常由单元的组合构建而成，这些单元可以包括标准单元和定制单元，每个单元代表一个或多个半导体结构。单元被配置为提供常见的低级功能，通常由基于与有源区域(有时称为氧化物限定(OD)区域)相交的栅极区域的晶体管实施。单元的元件布置在单元边界内，并且通过互连结构与其它单元电连接。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种操作集成电路(IC)制造系统的方法，所述方法包括：基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是所述单元的p型有源区域是第一有源区域；在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位所述第一有源区域，所述第一有源区域具有在垂直于所述单元高度方向的方向上延伸的...
【技术保护点】
1.一种操作集成电路(IC)制造系统的方法，所述方法包括：/n基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是所述单元的p型有源区域是第一有源区域；/n在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位所述第一有源区域，所述第一有源区域具有在垂直于所述单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍；/n沿所述单元高度方向在所述单元中定位第二有源区域，所述第二有源区域是与所述第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且包括小于第一总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在所述单元高度方向上延伸；以及/n将所述单元的IC布局图存储在单元库中。/n
【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,259;20191011 US 16/599,5521.一种操作集成电路(IC)制造系统的方法，所述方法包括：
基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是所述单元的p型有源区域是第一有源区域；
在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位所述第一有源区域，所述第一有源区域具有在垂直于所述单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍；
沿所述单元高度方向在所述单元中定位第二有源区域，所述第二有源区域是与所述第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且包括小于第一总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在所述单元高度方向上延伸；以及
将所述单元的IC布局图存储在单元库中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述n型有源区域还是所述p型有源区域是所述第一有源区域包括基于对应于所述单元的所述IC布局图的布局设计执行电路仿真。
3.根据权利要求1所述的方法，其中
定位所述第一有源区域包括沿所述单元高度方向距离第一单元边界段第一距离定位所述第一有源区域；
定位所述第二有源区域包括沿所述单元高度方向距离与所述第一边界段相对的第二边界段所述第一距离定位所述第二有源区域，以及
所述第一距离对应于第一最小间隔规则。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，定位所述第一有源区域或定位所述第二有源区域中的一个或两个包括沿所述单元高度方向将所述第一有源区域和所述第二有源区域分隔开第二距离，所述第二距离大于或等于第二最小间隔规则。
5.根据权利要求4所述的方法，其中
定位所述第一有源区域包括在所述单元高度方向上定位具有第一高度的所述第一有源区域，所述第一高度对应于所述第一总数量的鳍，
定位所述第二有源区域包括在所述单元高度方向上定位具有第二高度的所述第二有源区域，所述第二高度对应于所述第二总数量的鳍，以及
所述第一最小间距规则和所述第二最小间距规则、所述第一高度和所述第二高度、所述单元在所述单元高度方向上的高度以及所述第一距离和所述第二距离相关，从而使得所述鳍的所述第一总数量和所述第二总数量的总和是能够包括在所述单元的IC布局图中定位的所述第一有源区域和所述第二有源...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄博祥，陈胜雄，柯志欣，张丰愿，万幸仁，田丽钧，许家铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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