IC结构、操作IC制造系统的方法和IC布局图生成系统技术方案

操作IC制造系统的方法包括：基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是单元的p型有源区域是第一有源区域，在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位第一有源区域，第一有源区域具有在垂直于单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍。该方法还包括沿单元高度方向在单元中定位第二有源区域，第二有源区域是与第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且具有小于第一的总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在该方向上延伸，并且将所述单元的IC布局图存储在单元库中。本发明专利技术的实施例还涉及IC结构和IC布局图生成系统。

IC structure, method of operating IC manufacturing system and IC layout generation system

【技术实现步骤摘要】
IC结构、操作IC制造系统的方法和IC布局图生成系统
本专利技术的实施例涉及IC结构、操作IC制造系统的方法和IC布局图生成系统。
技术介绍
集成电路(IC)通常包括多个半导体器件，有时称为IC器件。表示IC器件的一种方法是使用称为布局图的平面图或IC布局图。IC布局图是分层的，并且包含根据IC器件的设计规范执行高级功能的模块。这些模块通常由单元的组合构建而成，这些单元可以包括标准单元和定制单元，每个单元代表一个或多个半导体结构。单元被配置为提供常见的低级功能，通常由基于与有源区域(有时称为氧化物限定(OD)区域)相交的栅极区域的晶体管实施。单元的元件布置在单元边界内，并且通过互连结构与其它单元电连接。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种操作集成电路(IC)制造系统的方法，所述方法包括：基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是所述单元的p型有源区域是第一有源区域；在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位所述第一有源区域，所述第一有源区域具有在垂直于所述单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍；沿所述单元高度方向在所述单元中定位第二有源区域，所述第二有源区域是与所述第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且包括小于第一总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在所述单元高度方向上延伸；以及将所述单元的IC布局图存储在单元库中。本专利技术的另一实施例提供了一种集成电路(IC)布局图生成系统，包括：处理器；以及非暂时性计算机可读存储介质，包括用于一个或多个程序的计算机程序代码，所述非暂时性计算机可读存储介质和所述计算机程序代码被配置为与所述处理器一起使所述集成电路布局图生成系统：将第一多个鳍轨道布置成包括对应于n型或p型的第一类型的第一总数量的鳍轨道的第一子集和包括对应于n型或p型的第二类型的第二总数量的鳍轨道的第二子集，其中所述第一多个鳍轨道在第一方向上延伸，并且第一总数量大于所述第二总数量；将在所述第一方向上延伸的第二多个鳍轨道布置成包括对应于第二类型的所述第一总数量的鳍轨道的第一子集和包括对应于第一类型的所述第二总数量的鳍轨道的第二子集；沿垂直于所述第一方向的第二方向使所述第一多个鳍轨道的第二子集与所述第二多个鳍轨道的第一子集邻接；以及基于所述第一多个鳍轨道和所述第二多个鳍轨道生成IC布局图。本专利技术的又一实施例提供了一种集成电路(IC)结构，包括：n型或p型的第一类型的第一多个鳍；n型或p型的第二类型的第二多个鳍，所述第二多个鳍与所述第一多个鳍平行且相邻；第二类型的第三多个鳍，所述第三多个鳍与所述第二多个鳍平行且相邻；以及第一类型的第四多个鳍，所述第四多个鳍与所述第三多个鳍平行且相邻，其中所述第一多个鳍和所述第三多个鳍具有相同的第一数量的鳍，所述第二多个鳍和所述第四多个鳍具有相同的第二数量的鳍，并且所述第一数量大于所述第二数量。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据一些实施例的操作IC制造系统的方法的流程图。图2示出了根据一些实施例的IC布局图。图3示出了根据一些实施例的IC布局图。图4是根据一些实施例的操作IC制造系统的方法的流程图。图5示出了根据一些实施例的IC布局图。图6示出了根据一些实施例的IC布局图。图7示出了根据一些实施例的IC布局图。图8示出了根据一些实施例的IC布局图。图9是根据一些实施例的IC结构的图。图10是根据一些实施例的制造IC结构的方法的流程图。图11是根据一些实施例的IC布局图生成系统的框图。图12是根据一些实施例的IC制造系统以及与其相关联的IC制造流程的框图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。为了简化本专利技术，下面描述组件、值、操作、材料、布置等的特定实例。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。可以预期其它组件、值、操作、材料、布置等。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。在各个实施例中，方法，系统和结构对应于单元的IC布局图，该单元包括具有不同数量的鳍的鳍式场效应晶体管(FinFET)。对于给定的单元高度，与其中单元的每个FinFET包括相同数量的鳍的方法相比，包括具有比至少一个其它FinFET更大数量的鳍的至少一个FinFET提高了相关IC器件的驱动能力。在一些实施例中，IC布局图包括鳍轨道布置，其被配置为支持各种单元的放置，包括具有不同数量的鳍的FinFET的那些单元，从而与不包括被配置为使用具有不同数量的鳍的FinFET来支持单元放置的鳍轨道布置的方法相比，能够提高多个单元的驱动能力。图1是根据一些实施例的操作IC制造系统的方法100的流程图。在一些实施例中，操作IC制造系统包括生成对应于IC结构(例如，下面参考图9讨论的IC结构900)的IC布局图(例如，下面参考图2和图3讨论的IC布局图200或300)，IC结构基于生成的IC布局图制造为IC器件的一部分。IC器件的非限制性实例包括存储电路、逻辑器件、处理器件、信号处理电路等。在一些实施例中，方法100中的一些或全部由计算机的处理器执行。在一些实施例中，方法100的一些或全部由IC布局图生成系统1100的处理器1102执行，下面参考图11讨论。方法100的一些或全部操作能够实施为在设计室(例如，下面参考图12讨论的设计室1220)中实施的设计程序的一部分。在一些实施例中，方法100的操作以图1中示出的顺序实施。在一些实施例中，方法100的操作同时和/或以不同于图1中示出的顺序的顺序实施。在一些实施例中，在实施方法100的一个或多个操作之前、之间、之中和/或之后实施一个或多个操作。图2和图3是在一些实施例中通过执行如下所述的方法100的一个或多个操作而生成的相应IC布局图200和300的非限制性实例的示出。为了说明的目的，简化了IC布局图200和300。在各个实施例中，IC布局图200和300中的一个或多个包括除图2和图3中所示出的那些之外的部件，例如，一个或多个晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作集成电路(IC)制造系统的方法，所述方法包括：/n基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是所述单元的p型有源区域是第一有源区域；/n在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位所述第一有源区域，所述第一有源区域具有在垂直于所述单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍；/n沿所述单元高度方向在所述单元中定位第二有源区域，所述第二有源区域是与所述第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且包括小于第一总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在所述单元高度方向上延伸；以及/n将所述单元的IC布局图存储在单元库中。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,259;20191011 US 16/599,5521.一种操作集成电路(IC)制造系统的方法，所述方法包括：
基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是所述单元的p型有源区域是第一有源区域；
在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位所述第一有源区域，所述第一有源区域具有在垂直于所述单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍；
沿所述单元高度方向在所述单元中定位第二有源区域，所述第二有源区域是与所述第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且包括小于第一总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在所述单元高度方向上延伸；以及
将所述单元的IC布局图存储在单元库中。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述n型有源区域还是所述p型有源区域是所述第一有源区域包括基于对应于所述单元的所述IC布局图的布局设计执行电路仿真。


3.根据权利要求1所述的方法，其中
定位所述第一有源区域包括沿所述单元高度方向距离第一单元边界段第一距离定位所述第一有源区域；
定位所述第二有源区域包括沿所述单元高度方向距离与所述第一边界段相对的第二边界段所述第一距离定位所述第二有源区域，以及
所述第一距离对应于第一最小间隔规则。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，定位所述第一有源区域或定位所述第二有源区域中的一个或两个包括沿所述单元高度方向将所述第一有源区域和所述第二有源区域分隔开第二距离，所述第二距离大于或等于第二最小间隔规则。


5.根据权利要求4所述的方法，其中
定位所述第一有源区域包括在所述单元高度方向上定位具有第一高度的所述第一有源区域，所述第一高度对应于所述第一总数量的鳍，
定位所述第二有源区域包括在所述单元高度方向上定位具有第二高度的所述第二有源区域，所述第二高度对应于所述第二总数量的鳍，以及
所述第一最小间距规则和所述第二最小间距规则、所述第一高度和所述第二高度、所述单元在所述单元高度方向上的高度以及所述第一距离和所述第二距离相关，从而使得所述鳍的所述第一总数量和所述第二总数量的总和是能够包括在所述单元的IC布局图中定位的所述第一有源区域和所述第二有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄博祥，陈胜雄，柯志欣，张丰愿，万幸仁，田丽钧，许家铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71