静态随机存取存储器单元结构制造技术

本发明专利技术公开一种静态随机存取存储器单元结构，其包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。

SRAM cell structure

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器单元结构
本专利技术涉及一种存储器单元结构，尤其是涉及一种静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，SRAM)单元结构。
技术介绍
在半导体制造领域中，集成电路中的元件尺寸不断地微缩以提升芯片效能。在使用绝缘层覆硅(silicononinsulator，SOI)基底的半导体装置中，若不使用体接触(body-tied)的设计，体区(bodyregion)会呈现电性浮置(floating)状态，浮置体区效应(floatingbodyeffect)对于半导体装置的电性表现与可靠度可能产生负面影响。然而，一般的体接触设计会使得半导体装置的整体所占据的区域变大，对于微缩化以及集成度(integration)的提升产生阻碍。
技术实现思路
本专利技术提供了一种静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，SRAM)单元结构，利用于连接至第一电压源的第一源极中设置导电型态互补的第一掺杂区与第二掺杂区，由此对体区形成电荷释放路径，故可在不增加静态随机存取存储器单元结构所占区域大小的状况下改善浮置体区效应(floatingbodyeffect)对静态随机存取存储器单元结构的电性表现与可靠度的负面影响。本专利技术的一实施例提供一种静态随机存取存储器单元结构，包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。本专利技术另一实施例提供一种静态随机存取存储器单元结构，包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第二掺杂区将第一掺杂区分开成两个分离的部分设置于第二掺杂区的相对两侧。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。附图说明图1为本专利技术第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的电路示意图；图2为本专利技术第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的上视示意图；图3为本专利技术第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的第一晶体管与第二晶体管的剖面示意图；图4为本专利技术第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的第三晶体管与第四晶体管的剖面示意图；图5与图6为本专利技术第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的制作方法示意图，其中图6绘示了图5之后的状况示意图；图7为本专利技术第二实施例的静态随机存取存储器单元结构的电路示意图；图8为本专利技术第三实施例的静态随机存取存储器单元结构的第一晶体管与第二晶体管的剖面示意图。主要元件符号说明10基底11埋入式绝缘层20隔离结构30半导体层31第一主动(有源)区32第二主动区33第三主动区34第四主动区40栅极介电层51A第一导电层51B第一漏极导电层52A第二导电层52B第二漏极导电层53A第三导电层53B第三漏极导电层54A第四导电层54B第四漏极导电层55第一背部导电层56第二背部导电层61第一栅极线62第二栅极线63第三栅极线64第四栅极线70接触结构81第一图案化掩模层82第二图案化掩模层83介电层91第一掺杂制作工艺92第二掺杂制作工艺101-103静态随机存取存储器单元结构B1第一体区B2第二体区B3第三体区B4第四体区BC1第一背部接触结构BC2第二背部接触结构BL1第一位线BL2第二位线D11第一掺杂区D12第二掺杂区D13第一漏极掺杂区D21第三掺杂区D22第四掺杂区D23第二漏极掺杂区D31第五掺杂区D32第六掺杂区D33第三漏极掺杂区D41第七掺杂区D42第八掺杂区D43第四漏极掺杂区DE1第一漏极DE2第二漏极DE3第三漏极DE4第四漏极GE1第一栅极GE2第二栅极GE3第三栅极GE4第四栅极N1第一存储节点N2第二存储节点PG1第一通闸晶体管PG2第二通闸晶体管S1第一电压源S2第二电压源SE1第一源极SE2第二源极SE3第三源极SE4第四源极T1第一晶体管T2第二晶体管T3第三晶体管T4第四晶体管V1第一逆变器V2第二逆变器WL字符线具体实施方式以下本专利技术的详细描述已披露足够的细节以使本领域的技术人员能够实践本专利技术。以下阐述的实施例应被认为是说明性的而非限制性的。对于本领域的一般技术人员而言显而易见的是，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以进行形式及细节上的各种改变与修改。在进一步的描述各实施例之前，以下先针对全文中使用的特定用语进行说明。用语“在…上”、“在…上方”和“在…之上”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在…上”不仅表示“直接在”某物上而且还包括在某物上且其间有其他居间特征或层的含义，并且“在…上方”或“在…之上”不仅表示在某物“上方”或“之上”的含义，而且还可以包括其在某物“上方”或“之上”且其间没有其他居间特征或层(即，直接在某物上)的含义。用语“底部”、“下方”、“上方”、“顶部”等是用以描述附图中不同组成元件的相对位置。然而，当将附图翻转使其上下颠倒时，前述的“上方”即成为“下方”。由此可知，本专利技术中所使用的相对性描述用语是可依据设备或设备的方位而定。在下文中使用术语“形成”或“设置”来描述将材料层施加到基底的行为。这些术语旨在描述任何可行的层形成技术，包括但不限于热生长、溅射、蒸发、化学气相沉积、外延生长、电镀等。请参阅图1至图4。图1所绘示为本专利技术第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的电路示意图。图2所绘示为本实施例的静态随机存取存储器单元结构的上视示意图。图3所绘示为本实施例的静态随机存取存储器单元结构的第一晶体管与第二晶体管的剖面示意图。图4所绘示为本实施例的静态随机存取存储器单元结构的第三晶体管与第四晶体管的剖面示意图。图3的右半部可被视为沿图2中A-A’剖线所绘示的剖面示意图，而图3的左半部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，包括：/n第一逆变器，包括：/n第一晶体管，包括：/n第一源极，连接至第一电压源，其中该第一源极包括第一掺杂区以及第二掺杂区，该第二掺杂区设置于该第一掺杂区中，且该第二掺杂区的导电型态与该第一掺杂区的导电型态互补；以及/n第一漏极，连接至第一存储节点；以及/n第二晶体管，包括：/n第二源极，连接至第二电压源；以及/n第二漏极，连接至该第一存储节点。/n

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，包括：
第一逆变器，包括：
第一晶体管，包括：
第一源极，连接至第一电压源，其中该第一源极包括第一掺杂区以及第二掺杂区，该第二掺杂区设置于该第一掺杂区中，且该第二掺杂区的导电型态与该第一掺杂区的导电型态互补；以及
第一漏极，连接至第一存储节点；以及
第二晶体管，包括：
第二源极，连接至第二电压源；以及
第二漏极，连接至该第一存储节点。


2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，还包括：
第一导电层，设置于该第一掺杂区以及该第二掺杂区上，且该第一导电层与该第一掺杂区以及该第二掺杂区电连接。


3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，其中该第一晶体管还包括：
第一栅极；以及
第一体区，设置于该第一栅极之下且设置于该第一源极与该第一漏极之间，其中该第一掺杂区的一部分设置于该第一体区与该第二掺杂区之间。


4.如权利要求3所述的静态随机存取存储器单元结构，还包括：
第一背部导电层，设置于该第一体区、该第一掺杂区以及该第二掺杂区上，且该第一背部导电层与该第一体区、该第一掺杂区以及该第二掺杂区电连接。


5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，其中该第二源极包括第三掺杂区以及第四掺杂区，该第四掺杂区设置于该第三掺杂区中，且该第四掺杂区的导电型态与该第三掺杂区的导电型态互补。


6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器单元结构，其中该第一掺杂区的该导电型态与该第四掺杂区的该导电型态相同，且该第二掺杂区的该导电型态与该第三掺杂区的该导电型态相同。


7.如权利要求5所述的静态随机存取存储器单元结构，还包括：
第二导电层，设置于该第三掺杂区以及该第四掺杂区上，且该第二导电层与该第三掺杂区以及该第四掺杂区电连接。


8.如权利要求5所述的静态随机存取存储器单元结构，其中该第二晶体管还包括：
第二栅极；以及
第二体区，设置于该第二栅极之下且设置于该第二源极与该第二漏极之间，其中该第三掺杂区的一部分设置于该第二体区与该第四掺杂区之间。


9.如权利要求8所述的静态随机存取存储器单元结构，还包括：
第二背部导电层，设置于该第二体区、该第三掺杂区以及该第四掺杂区上，且该第二背部导电层与该第二体区、该第三掺杂区以及该第四掺杂区电连接。


10.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，其中该第一电压源为接地电压，该第二电压源为供应电压，该第一晶体管为下拉晶体管，而该第二晶体管为上拉晶体管。


11.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，其中该第一电压源为供应电压，该第二电压源为接地电压，该第一晶体管为上拉晶体管，而该第二晶体管为下拉晶体管。


12.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，还包括：
第二逆变器，包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢溯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71