【技术实现步骤摘要】
一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法
本专利技术涉及一种测量方法，尤其涉及一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法。
技术介绍
8英寸（200mm）硅片背面处理使用CVD原理（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积），是硅片生产过程中的必要制程之一。在硅片制程中通过化学气相沉积的方法，在硅片表面先沉积一层多晶硅起到吸杂的作用，降低硅片内部的杂质和金属含量。然后在多晶硅表面沉积一层二氧化硅薄膜用于背封，其作用是防止掺杂剂外扩，降低后续外延工艺中的自掺杂效应。因此，监测硅片背面二氧化硅薄膜致密性的必要性不言而喻。
技术实现思路
本专利技术主要是解决现有技术中存在的不足，提供一种有利于长期高频率监控并且危险性较低的一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法。本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法，按以下步骤进行：第一步：准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为Bo，晶...
【技术保护点】
1.一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法，其特征在于按以下步骤进行：/n第一步：准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为Bo，晶向为100，电阻率为0.002～0.0033Ω·cm重掺产品；/n第二步：利用AMAYA-800V型常压CVD机台在单晶硅原料背面进行二氧化硅薄膜生长，成膜条件为：硅烷和氧气流量分别为51sccm和612sccm，硅烷和氮气载气流量分别为18slm和12slm；成膜时硅烷和氧气在作业开始时通过氮气被运送至反应腔内硅片表面参与反应；承载硅片表面托盘温度为430±5℃；/n第三步，使用F...
【技术特征摘要】
1.一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法，其特征在于按以下步骤进行：
第一步：准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为Bo，晶向为100，电阻率为0.002～0.0033Ω·cm重掺产品；
第二步：利用AMAYA-800V型常压CVD机台在单晶硅原料背面进行二氧化硅薄膜生长，成膜条件为：硅烷和氧气流量分别为51sccm和612sccm，硅烷和氮气载气流量分别为18slm和12slm；成膜时硅烷和氧气在作业开始时通过氮气被运送至反应腔内硅片表面参与反应；承载硅片表面托盘温度为430±5℃；
第三步，使用F-50膜厚测试仪测量单晶硅上所制备的二氧化硅薄膜厚度，经过测量后，在上述条件下的AMAYA-800V常压CVD机台生长二氧化硅薄膜厚度为5075Å；
第四步，将SCCH-1329清洗机4#清洗槽排空，清洗槽指氢氟...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁昌峰，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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