一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统和方法技术方案

本发明专利技术公开了一种少数载流子寿命的纵向分布的测试系统和方法。该方法至少包括：照射激发部11，包含用于照射样品产生光致载流子的不同波长的光源14和产生对半导体材料照射的微波产生器15；经过加工的待测样品12；检测部13，用于检测穿透半导体材料的微波强度，检测部根据检测到的微波信号强度，转换为电信号，计算出样品材料的少数载流子寿命。为了实现少数载流子寿命的纵向分布的测试，待检测样品12需要进行特别处理，通过表面加工处理成梯形，依据上表面斜率计算得出不同测试点处对应的深度的少数载流子寿命，从而得出SiC厚外延少数载流子寿命的纵向分布。

A longitudinal distribution test system and method for minority carrier lifetime

【技术实现步骤摘要】
一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统和方法
本专利技术属于半导体材料及工艺测试领域，具体为一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统和方法。
技术介绍
第三代半导体碳化硅材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，也是未来我国半导体技术的战略方向。随着第三代半导体材料的不断普及与发展，在电力电子、航天航空，新能源、智能电网、电动汽车等行业都发挥了关键作用。光照在半导体的表面，会有吸收。光子吸收同时产生一个多数载流子和一个少数载流子，称为非平衡载流子。在诸多半导体材料中，光生非平衡载流子的数目远少于材料本来就存在的由于掺杂而产生的多数载流子。因此光照时半导体中的多数载流子数目基本不变，而少数载流子却显著增加。非平衡载流子从产生到复合的平均时间称为非平衡载流子寿命(少子寿命)，用τ表示。它反映了少子浓度的衰减快慢。相对于非平衡多数载流子，非平衡少数载流子的影响处于主导地位，所以非平衡载流子的寿命常称为少数载流子寿命，简称少子寿命r>少数载流子寿命是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统，其特征在于：至少包括/n激发部和检测部；/n所述激发部包括光源和微波产生器，所述光源用于照射半导体样品斜面不同测试点位置以产生不同波长的少数载流子,所述微波产生器用于照射所述半导体样品表面；/n所述检测部用于检测所述波长和穿透半导体样品的信号强度。/n

【技术特征摘要】
1.一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统，其特征在于：至少包括
激发部和检测部；
所述激发部包括光源和微波产生器，所述光源用于照射半导体样品斜面不同测试点位置以产生不同波长的少数载流子,所述微波产生器用于照射所述半导体样品表面；
所述检测部用于检测所述波长和穿透半导体样品的信号强度。


2.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于：所述半导体样品为厚度≥80微米的碳化硅外延材料。


3.一种少数载流子寿命的纵向分布测试方法，其特征在于：包括
光源照射半导体样品的斜面产生少数载流子；
微波产生器照...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新河，杨安丽，陈施施，温正欣，高博，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44