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本发明涉及一种测量方法，尤其涉及一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法。准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为Bo，晶向为100，电阻率为0.002～0.0033Ω·cm重掺...该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种测量方法，尤其涉及一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法。准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为Bo，晶向为100，电阻率为0.002～0.0033Ω·cm重掺...