【技术实现步骤摘要】
一种用于测量集成电路芯片温度的装置
本技术涉及的是纳米材料、光学传感器、图像处理领域，提供一种具有很高空间分辨率的温度测量方法，用来快速、准确得到集成电路芯片表面局域范围内的温度分布，为集成电路芯片的制造、检测、应用过程提供依据。
技术介绍
集成电路芯片是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件中的一种或几种以及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路已经在各行各业中发挥着非常重要的作用，是现代信息社会的基石。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如电视机、计算机、智能家居等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。集成电路芯片通电工作的时候会发出热量，其内部的不同元器件、...
【技术保护点】
1.一种用于测量集成电路芯片温度的装置，其特征是：包括发出近红外激光束的近红外激光源，反射近红外激光束的半反半透镜，覆盖在集成电路芯片表面的PDMS薄膜，薄膜中有上转换纳米颗粒；收集上转换纳米颗粒发出光线的物镜，拍照成像的相机；所述的近红外激光源、半反半透镜、相机、物镜均设置在不透明的外壳内，物镜、半反半透镜、相机在同一垂直线上，在半反半透镜和相机之间设置滤光片组，近红外激光源与半反半透镜在同一水平线上，在外壳内还设置有用于调节近红外激光束角度的调节机构。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于测量集成电路芯片温度的装置，其特征是：包括发出近红外激光束的近红外激光源，反射近红外激光束的半反半透镜，覆盖在集成电路芯片表面的PDMS薄膜，薄膜中有上转换纳米颗粒；收集上转换纳米颗粒发出光线的物镜，拍照成像的相机；所述的近红外激光源、半反半透镜、相机、物镜均设置在不透明的外壳内，物镜、半反半透镜、相机在同一垂直线上，在半反半透镜和相机之间设置滤光片组，近红外激光源与半反半透镜在同一水平线上，在外壳内还设置有用于调节近红外激光束角度的调节机构。
2.根据权利要求1所述的用于测量集成电路芯片温度的装置，其特征是：所述的近红外激光源的激光束所在直线与半反半透镜所在平面的夹角为45度。
3.根据权利要求1所述的用于测量集成电路芯片温度的装置，其特征是：所述的上转换纳米颗粒为镱...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉国，王瑀，潘桂建，
申请(专利权)人：镇江国裕纳米新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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