用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台内且与筒状基片载台连接，加热装置包括：第一加热组件，包括多个与筒状基片载台连接的第一加热结构；第二加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第二加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第二加热结构；和/或第三加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第三加热组件位于第一加热组件的另一侧，第三加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第三加热结构；其中，第一加热组件和/或第二加热组件和/或第三加热组件同步运行。本实用新型专利技术解决了现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。

Heating device for MOCVD reaction chamber and MOCVD reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室
本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。
技术介绍
目前，在砷化镓太阳能电池生产过程中，需要使用MOCVD反应室在电池基片上形成金属聚合物膜层。然而，在现有技术中，MOCVD反应室的加热器为一体结构，筒状基片载台的中间区域和外缘区域存在温差，导致电池基片的中间区域和外缘区域的沉积效果存在差异，影响电池性能。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室，以解决现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置，加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台内且与筒状基片载台连接，加热装置包括：第一加热组件，包括多个第一加热结构，多个第一加热结构与筒状基片载台的内表面连接；第二加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第二加热组件包括多个第二加热结构，多个第二加热结构与筒状基片载台的内表面连接；和/或第三加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第三加热组件位于第一加热组件的另一侧，第三加热组件包括多个第三加热结构，多个第三加热结构与筒状基片载台的内表面连接；其中，第一加热组件和/或第二加热组件和/或第三加热组件同步运行，以对筒状基片载台进行加热。进一步地，多个第一加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置；和/或多个第一加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置。进一步地，当多个第一加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置时，各第一加热结构的延伸方向与筒状基片载台的轴线方向平行设置。进一步地，多个第二加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置；和/或多个第二加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置。进一步地，当多个第二加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置时，各第二加热结构为环状结构且与筒状基片载台同轴设置。进一步地，多个第三加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置；和/或多个第三加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置。进一步地，当多个第三加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置时，各第三加热结构为环状结构且与筒状基片载台同轴设置。进一步地，加热装置还包括：第一检测模块，与第一加热组件连接，第一检测模块用于检测第一加热组件的加热温度；第一控制模块，与第一检测模块和第一加热组件均连接，第一检测模块将检测温度值传输给第一控制模块，第一控制模块根据检测温度值控制第一加热组件的加热温度或加热功率。进一步地，加热装置还包括：第二检测模块，与第二加热组件连接，第二检测模块用于检测第二加热组件的加热温度；第二控制模块，与第二检测模块和第二加热组件均连接，第二检测模块将检测温度值传输给第二控制模块，第二控制模块根据检测温度值控制第二加热组件的加热温度或加热功率；和/或第三检测模块，与第三加热组件连接，第三检测模块用于检测第三加热组件的加热温度；第三控制模块，与第三检测模块和第三加热组件均连接，第三检测模块将检测温度值传输给第三控制模块，第三控制模块根据检测温度值控制第三加热组件的加热温度或加热功率。根据本技术的另一方面，提供了一种MOCVD反应室，包括罩体、气体喷淋结构、筒状基片载台及加热装置，气体喷淋结构、筒状基片载台及加热装置均位于罩体内，筒状基片载台位于气体喷淋结构内且与气体喷淋结构之间具有用于安装电池基片的安装腔；其中，加热装置为上述的用于MOCVD反应室的加热装置。应用本技术的技术方案，加热装置包括第一加热组件、第二加热组件和/或第三加热组件。沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第三加热组件位于位于第一加热组件的另一侧。筒状基片载台的中间区域的温度通过第一加热组件调整，筒状基片载台的外缘区域的温度通过第二加热组件和/或第三加热组件调整，进而能够实现筒状基片载台的中间区域与外缘区域温度的分别控制，以减小中间区域与外缘区域的温差，以使中间区域和外缘区域的温度分布更加均匀一致，进而提升了电池基片的沉积效果，解决了现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1示出了根据本技术的用于MOCVD反应室的加热装置的实施例的立体结构示意图；图2示出了图1中的用于MOCVD反应室的加热装置的第一加热组件的立体结构示意图；图3示出了根据本技术的MOCVD反应室的实施例的剖视图；以及图4示出了图3中的MOCVD反应室的立体结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、筒状基片载台；20、第一加热组件；21、第一加热结构；30、第二加热组件；31、第二加热结构；40、第三加热组件；41、第三加热结构；50、气体喷淋结构；60、罩体；61、进气管道。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。需要指出的是，除非另有指明，本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是针对附图所示的方向而言的，或者是针对竖直、垂直或重力方向上而言的；同样地，为便于理解和描述，“左、右”通常是针对附图所示的左、右；“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外，但上述方位词并不用于限制本技术。为了解决现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题，本申请提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。如图1至图4所示，用于MOCVD反应室的加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台10内且与筒状基片载台10连接，加热装置包括第一加热组件20、第二加热组件30和第三加热组件40。其中，第一加热组件20包括多个第一加热结构21，多个第一加热结构21与筒状基片载台10的内表面连接。第二加热组件30沿筒状基片载台10的轴线方向，第二加热组件30位于第一加热组件20的一侧，第二加热组件30包括多个第二加热结构31，多个第二加热结构31与筒状基片载台10的内表面连接。第三加热组件40沿筒状基片载台10的轴线方向，第三加热组件40位于第一加热组件20的另一侧，第三加热组件40包括多个第三加热结构41，多个第三加热结构41与筒状基片载台10的内表面连接。其中，第一加热组件20、第二加热组件30及第三加热组件40同步运行，以对筒状基片载台10进行加热。应用本实施例的技术方案，加热装置包括第一加热组件20、第二加热组件30和第三加热组件40。沿筒状基片载台10的轴线方向，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于MOCVD反应室的加热装置，所述加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台(10)内且与所述筒状基片载台(10)连接，其特征在于，所述加热装置包括：/n第一加热组件(20)，包括多个第一加热结构(21)，多个所述第一加热结构(21)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；/n第二加热组件(30)，沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向，所述第二加热组件(30)位于所述第一加热组件(20)的一侧，所述第二加热组件(30)包括多个第二加热结构(31)，多个所述第二加热结构(31)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；和/或/n第三加热组件(40)，沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向，所述第三加热组件(40)位于所述第一加热组件(20)的另一侧，所述第三加热组件(40)包括多个第三加热结构(41)，多个所述第三加热结构(41)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；/n其中，所述第一加热组件(20)和/或所述第二加热组件(30)和/或所述第三加热组件(40)同步运行，以对所述筒状基片载台(10)进行加热。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD反应室的加热装置，所述加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台(10)内且与所述筒状基片载台(10)连接，其特征在于，所述加热装置包括：
第一加热组件(20)，包括多个第一加热结构(21)，多个所述第一加热结构(21)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；
第二加热组件(30)，沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向，所述第二加热组件(30)位于所述第一加热组件(20)的一侧，所述第二加热组件(30)包括多个第二加热结构(31)，多个所述第二加热结构(31)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；和/或
第三加热组件(40)，沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向，所述第三加热组件(40)位于所述第一加热组件(20)的另一侧，所述第三加热组件(40)包括多个第三加热结构(41)，多个所述第三加热结构(41)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；
其中，所述第一加热组件(20)和/或所述第二加热组件(30)和/或所述第三加热组件(40)同步运行，以对所述筒状基片载台(10)进行加热。


2.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，
多个所述第一加热结构(21)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置；和/或
多个所述第一加热结构(21)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置。


3.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，当多个所述第一加热结构(21)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置时，各所述第一加热结构(21)的延伸方向与所述筒状基片载台(10)的轴线方向平行设置。


4.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，
多个所述第二加热结构(31)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置；和/或
多个所述第二加热结构(31)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置。


5.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，当多个所述第二加热结构(31)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置时，各所述第二加热结构(31)为环状结构且与所述筒状基片载台(10)同轴设置。


6.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志升，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11