加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备制造方法及图纸

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备。所述加热装置包括用于承载衬底的承载部及安装于所述承载部的加热器，所述加热器用于加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；其中，加热装置的调节方法包括：获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度，从而能够缓解形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况。

Adjustment method of heating device, heating device and chemical vapor deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备
本申请涉及集成电路制造
，具体而言，涉及一种加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(英文名称：ChemicalVaporDeposition，简称：CVD)是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体地，化学气相沉积设备中包括反应室及设置在反应室内的加热装置，该加热装置安装于用于承载衬底的承载部，工作时向反应室内充入反应气体，同时加热装置对承载部和承载部上的衬底进行加热，使反应气体沉积于衬底上形成薄膜。但相关技术中，加热装置仅包括一个加热元件，因此，导致加热装置无法对承载部的不同区域的温度进行调控，从而无法改变衬底上与不同区域相对应的部位的薄膜的厚度，这样导致形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中容易出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备，能够缓解形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况，改善蚀刻均匀性。本申请第一方面提供了一种加热装置的调节方法，所述加热装置包括用于承载衬底的承载部及安装于所述承载部的加热器，所述加热器用于加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；其中，所述调节方法包括：获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度。在本申请的一示例性实施例中，所述根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度，包括：根据所述蚀刻条件确定与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系；基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度。在本申请的一示例性实施例中，所述不同区域包括中心区域和边缘区域，所述多个加热元件包括与所述中心区域相对应的第一加热元件和与所述边缘区域相对应的第二加热元件。在本申请的一示例性实施例中，所述基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度，包括：在与所述中心区域相对应的蚀刻速率等于与所述边缘区域相对应的蚀刻速率时，对所述第一加热元件及所述第二加热元件的加热功率进行独立调整，以使所述边缘区域与所述中心区域之间的温度差值为第一温度差值。在本申请的一示例性实施例中，所述第一温度差值为0～8℃。在本申请的一示例性实施例中，所述基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度，包括：在与所述中心区域相对应的蚀刻速率大于与所述边缘区域相对应的蚀刻速率时，对所述第一加热元件及所述第二加热元件的加热功率进行独立调整，以使所述中心区域与所述边缘区域之间的温度差值为第二温度差值。在本申请的一示例性实施例中，所述第二温度差值为0～15℃。在本申请的一示例性实施例中，所述基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度，包括：在与所述中心区域相对应的蚀刻速率小于与所述边缘区域相对应的蚀刻速率时，对所述第一加热元件及所述第二加热元件的加热功率进行独立调整，以使所述边缘区域与所述中心区域之间的温度差值为第三温度差值。在本申请的一示例性实施例中，所述第三温度差值为8℃～15℃。本申请第二方面提供了一种加热装置，其包括：承载部，能够承载衬底；加热器，安装于所述承载部，所述加热器能够加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；调节器，所述调节器包括获取元件及连接所述获取元件及各所述加热元件的调整元件，所述获取元件能够获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；所述调整元件能够根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度。在本申请的一示例性实施例中，所述调整元件包括：确定单元，与所述获取元件连接，并能够根据所述蚀刻条件确定与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系；调整单元，与所述确定单元连接，所述调整单元能够基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度。在本申请的一示例性实施例中，所述不同区域包括中心区域和边缘区域，所述多个加热元件包括与所述中心区域相对应的第一加热元件和与所述边缘区域相对应的第二加热元件。在本申请的一示例性实施例中，在垂直于所述承载部的承载面的方向上得到的投影中，所述承载面的投影面能够与所述衬底的投影面重合。在本申请的一示例性实施例中，所述加热器内嵌在所述承载部内。本申请第三方面提供了一种化学气相沉积设备，其包括上述任一项所述的加热装置。本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：本申请所提供的加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备，通过获取在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件，然后根据蚀刻条件对与承载部的不同区域相对应的各加热元件的加热功率进行独立调整，以调整承载部的不同区域的温度，即：调整衬底上与不同区域相对应的部位的温度，从而使得形成在衬底的薄膜的厚度轮廓符合蚀刻条件，以缓解形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况，提高了蚀刻均匀性。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术中加热装置的结构示意图；图2为相关技术中加热装置在加热过程中，承载部的温度分布示意图；图3为经包括图1中的加热装置的化学气相沉积设备加工后的衬底的剖视结构示意图；图4和图5分别为图3中所示的衬底在不同蚀刻条件下被蚀刻后的剖视结构示意图；图6为本申请一实施例所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热装置的调节方法，其特征在于，所述加热装置包括用于承载衬底的承载部及安装于所述承载部的加热器，所述加热器用于加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；其中，所述调节方法包括：/n获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；/n根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种加热装置的调节方法，其特征在于，所述加热装置包括用于承载衬底的承载部及安装于所述承载部的加热器，所述加热器用于加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；其中，所述调节方法包括：
获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；
根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度。


2.根据权利要求1所述的调节方法，其特征在于，
所述根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度，包括：
根据所述蚀刻条件确定与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系；
基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度。


3.根据权利要求2所述的调节方法，其特征在于，
所述不同区域包括中心区域和边缘区域，所述多个加热元件包括与所述中心区域相对应的第一加热元件和与所述边缘区域相对应的第二加热元件。


4.根据权利要求3所述的调节方法，其特征在于，所述基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度，包括：
在与所述中心区域相对应的蚀刻速率等于与所述边缘区域相对应的蚀刻速率时，对所述第一加热元件及所述第二加热元件的加热功率进行独立调整，以使所述边缘区域与所述中心区域之间的温度差值为第一温度差值。


5.根据权利要求4所述的调节方法，其特征在于，
所述第一温度差值为0～8℃。


6.根据权利要求3所述的调节方法，其特征在于，所述基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度，包括：
在与所述中心区域相对应的蚀刻速率大于与所述边缘区域相对应的蚀刻速率时，对所述第一加热元件及所述第二加热元件的加热功率进行独立调整，以使所述中心区域与所述边缘区域之间的温度差值为第二温度差值。


7.根据权利要求6所述的调节方法，其特征在于，
所述第二温度差值为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴子见，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34