用于化学气相沉积反应的供气系统技术方案

本申请提供了一种用于化学气相沉积反应的供气系统，该供气系统包括：液态源储存设备，用于存储液态源；汽化设备，与液态源储存设备可切断地连通，汽化设备用于对液态源汽化；气体存储设备，与汽化设备可切断地连通，气体存储设备用于储存汽化设备汽化形成的气体；化学气相沉积反应设备，与气体存储设备连通。该系统将汽化形成的气体先储存在气体存储设备中，这样当气体存储设备中的气体达到预定的压力后，再向化学气相沉积反应设备供气，避免了供气过程受到汽化过程的影响，从而提高了气体供应的稳定性，解决了现有技术中的供气方式供气不稳定的问题。

Gas supply system for chemical vapor deposition reaction

【技术实现步骤摘要】
用于化学气相沉积反应的供气系统
本申请涉及化工领域，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积反应的供气系统。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)是向保持特定压力、特定温度条件下的工艺腔室内通入两种以上气体，气体混合后发生反应从而在目标基片上沉积薄膜的工艺，由于其具有绕镀性好以及可沉积复杂化合物等特性，在半导体行业有广泛应用。目前，液态源主要是通过载气携带或者加热蒸发两种方式实现汽化并向CVD设备的反应腔室供气。载气携带的方式是指向液态源通入某种气体作为载气，载气在液态源内部形成起泡，气泡溢出的过程会携带出气态的源，经过稀释后通入腔室参与反应，如图1所示，液态源保存在源瓶100内，源瓶100中插设有进气管线200和出气管线300，其中，进气管线200上设置有第一进气控制阀400和第二进气控制阀500，出气管线300上设置有第一出气控制阀600和第二出气控制阀700，载气经过第一进气控制阀400和第二进气控制阀500进入到源瓶100内，携带气态源后分别经过第一出气控制阀600和第二出气控制阀700以混合气体的形式进入到工艺系统参与反应，这种方式受载气气流稳定性以及温度等因素影响无法精确控制携带出的前驱气体量，且供气不稳定。加热蒸发的方式是通过加热液态源使之挥发成气态后通入反应室从而参与反应，如图2所示，液态源保存在源瓶100’内，源瓶100’中插设有进气管线200’和出气管线300’，源瓶100’、进气管线200’和出气管线300’均包裹有电伴热设备400’，进气管线200’上设置有进气控制阀500’，出气管线300’上设置有第一出气控制阀600’和第二出气控制阀700’，通过电伴热设备给源瓶加热使内部的液态源受热蒸发成气体后经过第一出气控制阀和第二出气控制阀进入到工艺系统参与反应，供气过程中进气控制阀500’处于关闭状态，此种方式受饱和蒸气压等因素限制，蒸发效率有限，大气量供应时容易出现供气不稳定等问题。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种用于化学气相沉积反应的供气系统，以解决现有技术中的供气方式供气不稳定的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种用于化学气相沉积反应的供气系统，该供气系统包括：液态源储存设备，用于存储液态源；汽化设备，与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备用于对液态源汽化；气体存储设备，与所述汽化设备可切断地连通，所述气体存储设备用于储存所述汽化设备汽化形成的气体；化学气相沉积反应设备，与所述气体存储设备连通。进一步地，所述汽化设备包括进液口，所述进液口的一端与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备还包括：第一壳体，具有第一容纳腔；雾化喷头，位于所述第一容纳腔内，所述雾化喷头与所述进液口的另一端连通，所述雾化喷头用于将所述液态源雾化为液滴；至少一个加热器，所述加热器设置在所述第一容纳腔内和/或设置在所述第一容纳腔外，所述加热器用于将所述液滴加热为气态。进一步地，所述加热器包括加热棒和/或第一电热伴设备。进一步地，所述汽化设备还包括穿设在所述第一壳体底部的漏液传感器。进一步地，所述汽化设备还包括吹扫管路接口，所述吹扫管路接口设置在所述汽化设备的靠近进液口的一端。进一步地，所述气体存储设备包括：第一本体，具有第二容纳腔；第一压力表，与所述第二容纳腔连通，用于测量所述第二容纳腔内的压力。进一步地，所述用于化学气相沉积反应的供气系统还包括第二电伴热设备和第二管线，所述第二管线为可切断地连通所述汽化设备和所述气体存储设备的管线，所述第二电伴热设备至少设置在所述汽化设备的外表面、所述气体存储设备的外表面以及所述第二管线的外表面。进一步地所述用于化学气相沉积反应的供气系统还包括：第三管线，用于可切断地连通所述气体存储设备与所述化学气相沉积反应设备；质量流量计，设置在所述第三管线上。进一步地，所述液态源储存设备包括：第二本体，具有第三容纳腔；第二压力表，与所述第三容纳腔连通，所述第二压力表用于测量所述第三容纳腔内的压力。进一步地，所述液态源储存设备还包括液位传感器，所述液位传感器用于测量所述液态源储存设备中的所述液态源的液面高度。应用本申请的技术方案，上述用于化学气相沉积反应的供气系统中，液态源储存设备中的液态源通入汽化设备进行汽化，气体存储设备储存汽化形成的气体，并将汽化形成的气体通入化学气相沉积反应设备中进行化学气相沉积。该用于化学气相沉积反应的供气系统将汽化形成的气体先储存在气体存储设备中，这样当气体存储设备中的气体达到预定的压力后，再向化学气相沉积反应设备供气，避免了供气过程受到汽化过程的影响，从而提高了气体供应的稳定性，解决了现有技术中的供气方式供气不稳定的问题。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了现有技术中的一种用于化学气相沉积反应的供气系统的结构示意图；图2示出了现有技术中的另一种用于化学气相沉积反应的供气系统的结构示意图；图3示出了根据本申请的实施例的用于化学气相沉积反应的供气系统的结构示意图；图4示出了图3中的汽化设备的结构示意图；以及图5示出了图4中的汽化设备的剖面示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：100、源瓶；200、进气管线；300、出气管线；400、第一进气控制阀；500、第二进气控制阀；600、第一出气控制阀；700、第二出气控制阀；100’、源瓶；200’、进气管线；300’、出气管线；400’、电伴热设备；500’、进气控制阀；600’、第一出气控制阀；700’、第二出气控制阀；01、第一管线；02、第二管线；03、第三管线；04、第四管线；05、第五管线；06、第六管线；07、控制阀；10、液态源储存设备；101、第二本体；102、第二压力表；103、液位传感器；20、汽化设备；201、第一壳体；202、雾化喷头；203、加热器；204、进液口；205、出气口；206、安装孔；207、固定件；208、漏液传感器；209、连接部；210、吹扫管路接口；30、气体存储设备；301、第一本体；302、第一压力表；40、化学气相沉积反应设备；50、第二电伴热设备；60、质量流量计；70、充气泵；80、真空泵。具体实施方式应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积反应的供气系统，其特征在于，包括：/n液态源储存设备，用于存储液态源；/n汽化设备，与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备用于对液态源汽化；/n气体存储设备，与所述汽化设备可切断地连通，所述气体存储设备用于储存所述汽化设备汽化形成的气体；/n化学气相沉积反应设备，与所述气体存储设备连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积反应的供气系统，其特征在于，包括：
液态源储存设备，用于存储液态源；
汽化设备，与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备用于对液态源汽化；
气体存储设备，与所述汽化设备可切断地连通，所述气体存储设备用于储存所述汽化设备汽化形成的气体；
化学气相沉积反应设备，与所述气体存储设备连通。


2.根据权利要求1所述的供气系统，其特征在于，所述汽化设备包括进液口，所述进液口的一端与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备还包括：
第一壳体，具有第一容纳腔；
雾化喷头，位于所述第一容纳腔内，所述雾化喷头与所述进液口的另一端连通，所述雾化喷头用于将所述液态源雾化为液滴；
至少一个加热器，所述加热器设置在所述第一容纳腔内和/或设置在所述第一容纳腔外，所述加热器用于将所述液滴加热为气态。


3.根据权利要求2所述的供气系统，其特征在于，所述加热器包括加热棒和/或第一电热伴设备。


4.根据权利要求2所述的供气系统，其特征在于，所述汽化设备还包括穿设在所述第一壳体底部的漏液传感器。


5.根据权利要求4所述的供气系统，其特征在于，所述汽化设备还包括吹扫管路接口，所述吹扫管路接口设置在所述汽化设备的靠近进液口的一端。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少雷，屈丰超，王世举，杨文涛，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11