半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置及其制造方法，装置包含绝缘体上覆硅基底、第一和第二主动元件、以及内连线结构。绝缘体上覆硅基底包含半导体层，半导体层包含被隔离结构隔开的第一和第二半导体区块。第一和第二主动元件分别设置于第一和第二半导体区块上。第一主动元件的源极/漏极区通过内连线结构提供的第一路径电连接至第二主动元件的栅极结构。第一半导体区块通过内连线结构提供的第二路径电连接至第二半导体区块。第二路径包含接触件，接触件接触第二半导体区块的上表面。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术是有关于半导体装置，且特别是有关于采用绝缘体上覆硅基底的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数位相机、和其他电子装置。通常，通过在半导体基底上依序沉积绝缘层或介电层、导电层材料、和半导体层材料，然后通过使用光微影工艺将各种不同材料层图案化，来制造半导体装置。因此，电路装置和组件形成于半导体基底上。使用绝缘体上覆硅(silicononinsulator，SOI)基底的半导体装置具有各种潜在优点，例如快速操作、低功率损耗、高崩溃电压、抗闩锁性(latch-upimmumity)、简化的制造流程、以及小尺寸等。虽然现今的绝缘体上覆硅(SOI)基底技术已大致符合需求，但并非在各方面皆令人满意。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供半导体装置，此半导体装置包含绝缘体上覆硅(SOI)基底、第一主动元件和第二主动元件、以及内连线结构。绝缘体上覆硅基底包含半导体基底、半导体层、和设置于半导体基底与半导体层之间的埋藏氧化层。半导体层包含第一半导体区块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：/n一绝缘体上覆硅基底，包含一半导体基底、一半导体层、和设置于所述半导体基底与所述半导体层之间的一埋藏氧化层，其中所述半导体层包含一第一半导体区块和一第二半导体区块，所述第一半导体区块和第二半导体区块被设置于所述半导体层中的一隔离结构隔开；/n一第一主动元件和一第二主动元件，分别设置于所述第一半导体区块和所述第二半导体区块上；以及/n一内连线结构，设置于所述半导体层之上，其中所述内连线结构包含多个接触件、和依序排列于所述接触件之上的多层级的金属导线，以提供一第一路径和一第二路径；/n其中所述第一主动元件的一源极/漏极区通过所述第一路径电连接...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：
一绝缘体上覆硅基底，包含一半导体基底、一半导体层、和设置于所述半导体基底与所述半导体层之间的一埋藏氧化层，其中所述半导体层包含一第一半导体区块和一第二半导体区块，所述第一半导体区块和第二半导体区块被设置于所述半导体层中的一隔离结构隔开；
一第一主动元件和一第二主动元件，分别设置于所述第一半导体区块和所述第二半导体区块上；以及
一内连线结构，设置于所述半导体层之上，其中所述内连线结构包含多个接触件、和依序排列于所述接触件之上的多层级的金属导线，以提供一第一路径和一第二路径；
其中所述第一主动元件的一源极/漏极区通过所述第一路径电连接至所述第二主动元件的一栅极结构；
其中所述第一半导体区块通过所述第二路径电连接至所述第二半导体区块，所述第二路径包含所述接触件的一第一接触件，所述第一接触件接触所述第二半导体区块的上表面。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二路径包含所述金属导线的第X层级，且所述第一路径包含所述金属导线的第Y层级，其中X小于或等于Y。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径与所述第二路径没有共用所述接触件且没有共用所述金属导线。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二路径包含所述接触件的一第二接触件，所述第二接触件接触所述第一半导体区块的上表面。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触件接触所述第二半导体区块中的非源极/漏极区的一掺杂区，且所述第二接触件接触所述第一半导体区块中的非源极/漏极区的一掺杂区。


6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二路径包含所述金属导线的第1层级，且所述金属导线的所述第1层级与所述第一接触件和所述第二接触件接触。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径与所述第二路径共用所述接触件或所述金属导线。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径和所述第二路径两者皆包含所述接触件的一第二接触件，所述第二接触件接触所述第一主动元件的所述源极/漏极区。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从上视角度观之，所述第一半导体区块的一第一面积大于所述第二半导体区块的一第二面积。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层还包含多个第三半导体区块，且所述半导体装置还包括：分别设置于所述第三半导体区块上的多个第三主动元件；
其中所述第三主动元件的各自源极/漏极区与所述第一主动元件的所述源极/漏极区电连接；
其中从上视角度观之，所述第一半导体区块和所述第三半导体区块的面积总和为一第一面积，且所述第一面积大于所述第二半导体区块的一第二面积。


11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，从上视角度观之，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：许家铭，刘旭正，陈佳麟，李建兴，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71