一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制造方法。阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，阵列基板包括衬底基板、低温多晶硅薄膜晶体管单元、金属氧化物晶体管单元、第一电容以及第二电容；所述低温多晶硅薄膜晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；所述第一电容与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相对应设置；所述金属氧化物晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元间隔设置；所述第二电容与所述金属氧化物晶体管单元相对应设置。本发明专利技术通过在一个阵列基板的显示区内采用低温多晶硅薄膜晶体管单元电路结构，实现了超窄边框，并且简化了工艺、生产成本低。

An array substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
有机电致发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)显示器是一种新兴的平板显示器，其具备自发光，对比度高，厚度薄，视角广，反应速度快，可用于柔性显示面板等优异的特性，因此具有非常好的发展前景。薄膜晶体管分为非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)、低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管、及金属氧化物(metaloxide)薄膜晶体管。其中非晶硅薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管为硅基薄膜晶体管，具有开关速度快及驱动电流大的优点，可用于OLED显示像素驱动及LCD栅极驱动；金属氧化物薄膜晶体管具有均一性良好及漏电流低的优点，可用于OLED显示像素驱动及LCD显示像素驱动和外围驱动电路。OLED作为一种自发光显示，目前，较为成熟的技术是采用低温多晶硅(LTPS，lowtemperaturepolysilicon)分别制备CMOS电路中PMOS区域和NMOS区域的半导体层来驱动OELD显示。其中，在利用LTPS工艺制备CMOS电路的过程中，需要使用至少9次以上的光刻胶掩膜板和至少4次以上的掺杂工艺(p型离子掺杂，n型离子掺杂，LDD掺杂及Ch掺杂)，制作流程复杂，生产成本较高，边框较宽。因此，如何实现一种制程简单、生产成本低、实现窄边框的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种阵列基板及其制造方法，通过在一个阵列基板的显示区采用低温多晶硅薄膜晶体管单元电路结构，在阵列基板行驱动区采用单独驱动的低温多晶硅薄膜晶体管单元和金属氧化物薄膜晶体管单元构成的CMOS电路结构，实现了超窄边框，并且简化了工艺、生产成本低。为了实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，设有显示区和阵列基板行驱动区，所述阵列基板包括衬底基板、低温多晶硅薄膜晶体管单元、金属氧化物晶体管单元、第一电容以及第二电容；具体地讲，所述低温多晶硅薄膜晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；所述第一电容位于所述低温多晶硅薄膜晶体管单元内；所述金属氧化物晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相间隔地设置；所述第二电容位于所述金属氧化物晶体管单元内。进一步地，所述阵列基板还包括间隔的多晶硅层和半导体氧化层、第一栅极绝缘层、第一金属层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层以及第二金属层；具体地讲，所述多晶硅层和所述半导体氧化层均位于所述衬底基板上；所述第一栅极绝缘层位于所述多晶硅层和所述半导体氧化层上；所述第一金属层位于所述第一栅极绝缘层上；所述第一金属层包括间隔设置的第一栅极、第二栅极，其中，所述第一栅极位于所述多晶硅层的上方，所述第二栅极位于所述半导体氧化层的上方；所述第二栅极绝缘层位于所述第一金属层上；所述层间绝缘层位于所述第二栅极绝缘层上；所述第二金属层位于所述层间绝缘层上；所述第二金属层包括间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和第一漏极分别与所述多晶硅层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述半导体氧化层电连接；其中，所述多晶硅层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极、所述第二栅极绝缘层、所述第一源极和所述第一漏极形成所述硅薄膜晶体管单元；所述半导体氧化层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极、第二栅极绝缘层、所述第二源极和所述第二漏极形成所述金属氧化物晶体管单元。进一步地，所述阵列基板还包括第三金属层，所述第三金属层位于所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间；所述第三金属层包括间隔设置的第一电容极板、第二电容极板，所述第一电容极板与所述第一栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方，所述第二电容极板与所述第二栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方；其中，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层和所述第一电容极板形成所述第一电容，所述第二栅极、所述第一栅极绝缘层和所述第二电容极板形成所述第二电容。进一步地，所述第一金属层还包括换线层，所述换线层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述换线层与所述第一漏极电连接。进一步地，所述阵列基板还包括钝化层、平坦层、阳极层、像素定义层以及发光层；具体地讲，所述钝化层位于所述第二金属层上；所述平坦层位于所述钝化层上；所述阳极层位于所述平坦层上且与所述第二漏极电连接；所述像素定义层位于所述阳极层上；所述发光层位于所述像素定义层上且与所述阳极层电连接。本专利技术还提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，其包括以下步骤：制作衬底基板；制作低温多晶硅薄膜晶体管单元，在所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内制作低温多晶硅薄膜晶体管单元；制作第一电容，在与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元重叠区域制作第一电容；制作金属氧化物晶体管单元，在所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内制作金属氧化物晶体管单元，所述金属氧化物晶体管单元与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元间隔设置；以及制作第二电容，在与所述金属氧化物晶体管单元重叠区域制作第二电容。进一步地，所述制作低温多晶硅薄膜晶体管单元步骤以及所述制作金属氧化物晶体管单元步骤具体包括步骤：制作间隔的多晶硅层和半导体氧化层，在所述衬底基板上制作间隔的多晶硅层和半导体氧化层；制作第一栅极绝缘层，在所述多晶硅层和所述半导体氧化层上制作第一栅极绝缘层；制作第一金属层，在所述第一栅极绝缘层上制作第一金属层；所述第一金属层图案化形成间隔设置的第一栅极、第二栅极，其中，所述第一栅极位于所述多晶硅层的上方，所述第二栅极位于所述半导体氧化层的上方；制作第二栅极绝缘层，在所述第一金属层上制作第二栅极绝缘层；制作层间绝缘层，在所述第二栅极绝缘层上制作层间绝缘层；以及制作第二金属层，在所述层间绝缘层上制作第二金属层；所述第二金属层图案化形成间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和第一漏极分别与所述多晶硅层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述半导体氧化层电连接；其中，所述多晶硅层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极、所述第二栅极绝缘层、所述第一源极和所述第一漏极形成所述硅薄膜晶体管单元；所述半导体氧化层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极、第二栅极绝缘层、所述第二源极和所述第二漏极形成所述金属氧化物晶体管单元。进一步地，所述制作第一电容步骤以及所述制作第二电容步骤具体包括步骤：制作第三金属层，在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间制作第三金属层；以及所述第三金属层图案化形成间隔设置的第一电容极板、第二电容极板，所述第一电容极板与所述第一栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方，所述第二电容极板与所述第二栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方；其中，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，设有显示区和阵列基板行驱动区，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n低温多晶硅薄膜晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；/n第一电容，位于所述低温多晶硅薄膜晶体管单元内；/n金属氧化物晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相间隔地设置；以及/n第二电容，位于所述金属氧化物晶体管单元内。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，设有显示区和阵列基板行驱动区，其特征在于，包括：
衬底基板；
低温多晶硅薄膜晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；
第一电容，位于所述低温多晶硅薄膜晶体管单元内；
金属氧化物晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相间隔地设置；以及
第二电容，位于所述金属氧化物晶体管单元内。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
间隔设置的多晶硅层和半导体氧化层，均位于所述衬底基板上；
第一栅极绝缘层，位于所述多晶硅层和所述半导体氧化层上；
第一金属层，位于所述第一栅极绝缘层上；所述第一金属层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极位于所述多晶硅层的上方，所述第二栅极位于所述半导体氧化层的上方；
第二栅极绝缘层，位于所述第一金属层上；
层间绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层上；以及
第二金属层，位于所述层间绝缘层上；所述第二金属层包括间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和第一漏极分别与所述多晶硅层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述半导体氧化层电连接；
其中，所述多晶硅层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极、所述第二栅极绝缘层、所述第一源极和所述第一漏极形成所述硅薄膜晶体管单元；所述半导体氧化层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极、第二栅极绝缘层、所述第二源极和所述第二漏极形成所述金属氧化物晶体管单元。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第三金属层，位于所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间；所述第三金属层包括间隔设置的第一电容极板、第二电容极板，所述第一电容极板与所述第一栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方，所述第二电容极板与所述第二栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方；
其中，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层和所述第一电容极板形成所述第一电容，所述第二栅极、所述第一栅极绝缘层和所述第二电容极板形成所述第二电容。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括换线层，所述换线层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述换线层与所述第一漏极电连接。


5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
钝化层，位于所述第二金属层上；
平坦层，位于所述钝化层上；
阳极层，位于所述平坦层上且与所述第二漏极电连接；
像素定义层，位于所述阳极层上；以及
发光层，位于所述像素定义层上且与所述阳极层电连接。


6.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，其特征在于，包括步骤：
制作衬底基板；
制作低温多晶硅薄膜晶体管单元，在所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内制作低温多晶硅薄膜晶体管单元；
制作第一电容，在与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元重叠区域制作第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王选芸，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42