显示背板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了显示背板和显示装置。该显示背板具有多个用于发光的开口区域，包括：衬底基板；设置在衬底基板的部分表面上的有源层；设置在有源层远离衬底基板的部分表面上的层间绝缘层；包括相对设置的第一电极和第二电极的存储电容器，第一电极设置在衬底基板的部分表面上，第二电极设置在第一电极远离衬底基板的一侧，存储电容器在所述衬底基板上的正投影与显示背板中的开口区域在衬底基板上的正投影至少部分重叠，层间绝缘层具有第一孔，第一电极设置在第一孔中。该显示背板中本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域，显著减小了非开口区域的面积，显著增大了该显示背板的开口率，使得其使用寿命长，信赖性好。

Display backplane and display device

【技术实现步骤摘要】
显示背板和显示装置
本技术涉及显示
，具体地，涉及显示背板和显示装置。
技术介绍
目前，主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)因高对比度，可视角度广以及响应速度快有望取缔液晶成为下一代显示装置的主流选择。然而，AMOLED显示背板的开口率仍然有待提高。因而，现有的显示背板的相关技术仍有待改进。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种非开口区域的面积小、开口率高、使用寿命长或者信赖性好的显示背板。在本技术的一个方面，本技术提供了一种显示背板。根据本技术的实施例，该显示背板具有多个用于发光的开口区域，包括：衬底基板；有源层，所述有源层设置在所述衬底基板的部分表面上；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的部分表面上；存储电容器，所述存储电容器包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述衬底基板的部分表面上，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，其中，所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述层间绝缘层具有第一孔，所述第一电极设置在所述第一孔中。该显示背板中由于使所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在衬底基板上的正投影至少部分重叠，故而使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域，显著减小了显示背板中非开口区域的面积，从而显著增大了该显示背板的开口率，进而使得该显示背板的使用寿命长，信赖性好。可选的，所述第一孔是通孔。可选的，所述第一孔是盲孔。可选的，所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影重叠。可选的，所述显示背板为底发射显示背板，所述第一电极和所述第二电极为透明电极，形成所述第一电极和所述第二电极中的至少之一的材料为氧化铟锡。可选的，所述存储电容器设置在显示背板的缓冲层和像素结构的阳极之间，所述第一电极和所述第二电极之间至少有一个绝缘层。可选的，所述显示背板还包括：平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的表面上；像素结构，所述像素结构包括阳极，所述像素结构设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二电极设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的表面上，且所述第二电极与所述阳极连接。可选的，所述显示背板还包括：第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二电极、所述阳极连接；遮光层，所述遮光层设置在所述衬底基板的部分表面上，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第三薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光层通过所述有源层中的第三过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极或漏极连接。可选的，所述显示背板包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第一扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述显示背板的数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一电极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第二扫描线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二电极、所述第三薄膜晶体管的漏极和所述显示背板的阳极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述显示背板的基准电压信号线连接；所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接。可选的，所述平坦化层上具有第一过孔，所述第二电极通过所述第一过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的漏极连接。在本技术的另一个方面，本技术提供了一种显示装置。根据本技术的实施例，该显示装置包括前面所述的显示背板。该显示装置的使用寿命长，信赖性好，且具有前面所述的显示背板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。附图说明图1显示了本技术的显示背板中像素电路的结构示意图。图2显示了本技术一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。图3显示了本技术另一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。图4显示了本技术又一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。图5显示了本技术再一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。图6显示了本技术再一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。图7显示了本技术一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。图8a、图8b、图8c、图8d、图8e、图8f、图8g、图8h、图8i显示了本技术又一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。图9显示了本技术实施例的制作显示背板的方法中形成第一电极之后的平面结构示意图。图10显示了本技术实施例的制作显示背板的方法中使用的半色调掩膜的平面结构示意图。图11显示了本技术实施例的制作显示背板的方法中形成第二电极之后的平面结构示意图。图12显示了本技术图5中实施例所示出的显示背板的单个子像素平面结构示意图。附图标记：2：本体3：镂空部10：显示背板100：衬底基板CST：存储电容器210：第一电极220：第二电极300：缓冲层310：遮光层400：阳极410：像素界定层EL：像素结构420：阴极430：发光层500：绝缘层510：层间绝缘层511：第一孔512：第二孔513：第三孔520：平坦化层521：第一过孔530：树脂层531：第二过孔541：第三过孔600：有源层610：沟道区700：栅极710：栅绝缘层800：源极900：漏极H：开口区域Vref：基准电压信号线T1：第一薄膜晶体管T2：第二薄膜晶体管T3：第三薄膜晶体管Scan1：第一扫描线Scan2：第二扫描线VDD：电源总线DL：数据线具体实施方式下面详细描述本技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。在本技术的一个方面，本技术提供了一种显示背板。根据本技术的实施例，参照图2、图5和图6(为更加清楚地示出开口区域H与第一电极210与第二电极220的位置关系，因此，在图2以及后文的图3和4中略去了显示背板10中的其他结构，显示背板10的详细结构可以参照图5和6)，该显示背板10具有多个用于发光的开口区域H，包括：衬底基板100；有源层600，所述有源层600设置在所述衬底基板100的部分表面上；层间绝缘层510，所述层间绝缘层510设置在所述有源层600远离所述衬底基板100的部分表面上；存储电容器，所述存储电容器包括相对设置的第一电极210和第二电极220，所述第一电极210设置在所述衬底基板100的部分表面上，所述第二电极220设置在所述第一电极210远离所述衬底基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示背板，具有多个用于发光的开口区域，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n有源层，所述有源层设置在所述衬底基板的部分表面上；/n层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的部分表面上；/n存储电容器，所述存储电容器包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述衬底基板的部分表面上，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，/n其中，所述存储电容器在所述显示背板的衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述层间绝缘层具有第一孔，所述第一电极设置在所述第一孔中。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示背板，具有多个用于发光的开口区域，其特征在于，包括：
衬底基板；
有源层，所述有源层设置在所述衬底基板的部分表面上；
层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的部分表面上；
存储电容器，所述存储电容器包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述衬底基板的部分表面上，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，
其中，所述存储电容器在所述显示背板的衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述层间绝缘层具有第一孔，所述第一电极设置在所述第一孔中。


2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一孔是通孔。


3.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一孔是盲孔。


4.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影重叠。


5.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述显示背板为底发射显示背板，所述第一电极和所述第二电极为透明电极，形成所述第一电极和所述第二电极中的至少之一的材料为氧化铟锡。


6.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述存储电容器设置在显示背板的缓冲层和像素结构的阳极之间，所述第一电极和所述第二电极之间至少有一个绝缘层。


7.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，还包括：
平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的表面上；
像素结构，所述像素结构包括阳极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志东，袁粲，李永谦，谢恩明，倪斌，刘志，
申请(专利权)人：合肥京东方卓印科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34