显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，沿垂直于显示面板出光方向，显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层；第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源膜和第二有源膜设置于第一有源层，第一栅极设置于第一金属层，第一源极和第一漏极设置于源漏极金属层；过渡金属层包括第一过渡金属膜；第二金属层包括第一金属膜，第一过渡金属膜和第一金属膜之间形成存储电容，且第一金属膜和第一过渡金属膜在衬底基板上的正投影重合，第一金属膜和第一有源膜、第二有源膜在衬底基板上的正投影不重合，从而避免了存储电容漏流增大的问题。

Display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着近来移动通信终端和笔记本电脑之类的各种便携式电子器械的发展，对于可应用于便携式电子器械的平板显示装置的需求日益增加。在常规的显示装置中，被形成在显示面板中的像素电路一般仅设置LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)结构的薄膜晶体管，且存储电容的设置在层叠结构上往往会和有源层的设置相交叠，或者与层叠结构中存在的连接两个膜层结构的过孔相交叠，如此设置会导致存储的电容的漏流增大，不利于存储电容的正常工作，从而也会对显示面板的显示效果造成影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板中所设置的薄膜晶体管和存储电容的形成会导致存储的电容的漏流增大的问题。第一方面，本申请提供一种显示面板，沿垂直于所述显示面板的出光面的方向，所述显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层；所述第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源膜和所述第二有源膜均设置于所述第一有源层，所述第一栅极设置于所述第一金属层，所述第一源极和所述第一漏极均设置于所述源漏极金属层；所述过渡金属层包括第一过渡金属膜；所述第二金属层包括第一金属膜，所述第一过渡金属膜和所述第一金属膜之间形成存储电容，且所述第一金属膜和所述第一过渡金属膜在所述衬底基板上的正投影重合，所述第一金属膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述衬底基板上的正投影不重合。第二方面，本申请提供一种显示模组，所述显示模组包括显示面板。与现有技术相比，本专利技术提供的一种显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：本申请所提供的显示面板中包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，且通过在低温多晶硅薄膜晶体管所在的膜层层叠位置形成的存储电容不与低温多晶硅薄膜晶体管的第一有源膜在层叠方向上交叠，从而避免了存储电容漏流增大的问题，有利于显示面板的显示效果的提升；且本申请显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管、存储电容和氧化物薄膜晶体管三者的制程都是相互独立的，有利于工艺调试的方便性。当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1所示为本申请实施例提供的显示面板的一种示意图；图2所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构示意图；图3所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的另一种结构示意图；图4所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的再一种结构示意图；图5所示为本申请实施例提供的图4的另一种结构示意图；图6所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构和制程区分示意图；图7所示为本申请实施例提供的图6的另一种结构示意图；图8所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的又一种结构示意图；图9所示为本申请实施例提供的显示装置的一种示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。在常规的显示装置中，被形成在显示面板中的像素电路一般仅设置LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)结构的薄膜晶体管，且存储电容的设置在层叠结构上往往会和有源层的设置相交叠，或者与层叠结构中存在的连接两个膜层结构的过孔相交叠，如此设置会导致存储的电容的漏流增大，不利于存储电容的正常工作，从而也会对显示面板的显示效果造成影响。有鉴于此，本专利技术提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板中所设置的薄膜晶体管和存储电容的形成会导致存储的电容的漏流增大的问题。图1所示为本申请实施例提供的显示面板的一种示意图，图2所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构示意图，请参照图1和图2，本申请提供了一种显示面板100，沿垂直于显示面板100的出光面的方向，显示面板100包括衬底基板10、第一有源层11、第一金属层12、过渡金属层13、第二金属层14、第二有源层15和源漏极金属层17；第一晶体管20包括第一有源膜111、第二有源膜112、第一栅极121、第一源极171和第一漏极172，第一有源膜111和第二有源膜112均设置于第一有源层11，第一栅极121设置于第一金属层12，第一源极171和第一漏极172均设置于源漏极金属层17；过渡金属层13包括第一过渡金属膜131；第二金属层14包括第一金属膜141，第一过渡金属膜131和第一金属膜141之间形成存储电容40，且第一金属膜141和第一过渡金属膜131在衬底基板10上的正投影重合，第一金属膜141和第一有源膜111、第二有源膜112在衬底基板10上的正投影不重合。具体地，本申请提供了一种显示面板100，显示面板100包括显示区8和围绕显示区8的非显示区9，显示区8中包括若干阵列排布的子像素，PP’为显示面板100中沿任一子像素所在位置的截面图；显示面板100包括衬底基板10，以及位于衬底基板10朝向显示面板100，即朝向显示面板100出光面的方向设置的第一有源层11、第一金属层12、过渡金属层13、第二金属层14、第二有源层15和源漏极金属层17，各膜层之间设置有绝缘层，以避免膜层之间的电性干扰，有利于保障各膜层结构所组成的器件结构能够正常工作。该显示面板100中包括第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20包括：设置于第一有源层11的第一有源膜111和第二有源膜112，设置于第一金属层12中的第一栅极121，设置于源漏极金属层17中的第一源极171和第一漏极172。过渡金属层13还设置有第一过渡金属膜131，第二金属层14设置有第一金属膜141，第一金属膜141和第一过渡金属膜131在衬底基板10上的正投影存在重合的部分，重合部分的第一过渡金属膜131和第一金属膜141之间形成存储电容40。特别的是，本申请显示面板100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板的出光面的方向，所述显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层；/n所述第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源膜和所述第二有源膜均设置于所述第一有源层，所述第一栅极设置于所述第一金属层，所述第一源极和所述第一漏极均设置于所述源漏极金属层；所述过渡金属层包括第一过渡金属膜；/n所述第二金属层包括第一金属膜，所述第一过渡金属膜和所述第一金属膜之间形成存储电容，且所述第一金属膜和所述第一过渡金属膜在所述衬底基板上的正投影重合，所述第一金属膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述衬底基板上的正投影不重合。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板的出光面的方向，所述显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层；
所述第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源膜和所述第二有源膜均设置于所述第一有源层，所述第一栅极设置于所述第一金属层，所述第一源极和所述第一漏极均设置于所述源漏极金属层；所述过渡金属层包括第一过渡金属膜；
所述第二金属层包括第一金属膜，所述第一过渡金属膜和所述第一金属膜之间形成存储电容，且所述第一金属膜和所述第一过渡金属膜在所述衬底基板上的正投影重合，所述第一金属膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述衬底基板上的正投影不重合。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过渡金属膜和所述第一栅极通过过孔电连接；所述过渡金属层还包括甲过渡金属膜和乙过渡金属膜，所述甲过渡金属膜通过过孔分别与所述第一有源膜和所述第一源极电连接，所述乙过渡金属膜通过过孔分别与所述第二有源膜和所述第一漏极电连接；所述第一金属膜在所述衬底基板上的正投影与所有所述过孔在衬底基板上的正投影均不重合。


3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二栅极、第三有源膜、第二源极和第二漏极，所述第三有源膜设置于所述第二有源层，所述第二源极和所述第二漏极均设置于所述源漏极金属层，且所述第一漏极和所述第二源极在所述源漏极金属层电连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰良，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35