阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

技术编号:23988883 阅读:49 留言:0更新日期:2020-04-29 14:58
本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置,该阵列基板包括衬底基板、第一晶体管、第二晶体管以及金属连接部;第一晶体管包括第一有源层,第二晶体管包括第二有源层,第一有源层与第二有源层通过金属连接部电连接;第一有源层和第二有源层在垂直于衬底基板的方向上具有交叠部,在垂直于衬底基板的方向上,交叠部与金属连接部至少部分交叠。这种设置方式,在保证了第一晶体管能够与第二晶体管电连接的基础上,有效减少了第一晶体管和第二晶体管占用的空间。

Fabrication method, display panel and display device of array base plate and array base plate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其是涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置。
技术介绍
随着科技的进步,各种显示面板被广泛运用,阵列基板作为显示面板基础结构应用逐渐普及。有机发光显示面板因其厚度薄、重量轻、功耗低或响应速度快等优点而受到关注。有机发光显示面板中,阵列基板包括多个薄膜晶体管,通常一个像素对应的驱动电路会包括多个晶体管,多个晶体管之间相互连接为像素发光提供信号,因此阵列基板中晶体管的阵列密度与显示面板中像素密度息息相关。为了提高显示面板的分辨率,提高阵列基板中的晶体管阵列密度成为丞待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板,在保证了第一晶体管能够与第二晶体管电连接的基础上,有效减少了第一晶体管和第二晶体管占用的空间,从而提升了阵列基板上晶体管的阵列密度。为达到上述目的,本专利技术提供以下技术方案:一种阵列基板,包括衬底基板、第一晶体管、第二晶体管以及金属连接部;第一晶体管包括第一有源层,第二晶体管包括第二有源层,第二有源层位于第一有源层远离衬底基板的一侧,金属连接部位于第一有源层靠近衬底基板的一侧,第一有源层与第二有源层通过金属连接部电连接;第一有源层和第二有源层在垂直于衬底基板的方向上具有交叠部,在垂直于衬底基板的方向上,交叠部与金属连接部至少部分交叠。本专利技术提供的阵列基板,首先,在垂直于衬底基板的方向上,第一有源层和第二有源层具有交叠部,即,第一有源层和第二有源层在衬底基板上的正投影具有互相重合的部分;另外,第一有源层与第二有源层通过金属连接部电连接。因此,这种设置方式,在保证了第一晶体管能够与第二晶体管电连接的基础上,有效减少了第一有源层和第二有源层占用的空间,从而可以提升了阵列基板上晶体管的阵列密度。可选的,金属连接部与第一有源层直接接触。可选的,第一有源层包括第一过孔,第一过孔暴露出金属连接部,第二有源层通过第一过孔与金属连接部电连接。可选的,第一有源层与第二有源层之间包括绝缘层,绝缘层包括第二过孔,第二过孔在第一有源层上的正投影位于第一过孔内,第二过孔暴露出金属连接部,第二有源层通过填充第二过孔的方式与金属连接部接触;第二有源层通过绝缘层与第一有源层绝缘。可选的,第二晶体管包括遮光层,遮光层与金属连接部位于相同膜层。可选的,第一有源层包括低温多晶硅半导体。可选的,第二有源层包括金属氧化物半导体。可选的,金属连接部为第一晶体管的源极和漏极中的一个;且金属连接部为第二晶体管的源极和漏极中的一个。一种如上述技术方案中提到的任意一种阵列基板的制作方法,包括以下步骤:提供衬底基板;在衬底基板的一侧制作金属连接部;在金属连接部远离衬底基板的一侧制作第一有源层;在第一有源层上形成第一过孔,第一过孔暴露出金属连接部;在第一有源层远离衬底基板一侧制作绝缘层;在绝缘层上制作第二过孔,第二过孔在第一有源层上的正投影位于第一过孔内,第二过孔暴露出金属连接部;在绝缘层远离衬底基板的一侧制作第二有源层,第二有源层填充第二过孔,并通过第二过孔与金属连接部接触。一种显示面板,包括如上述技术方案中提到的任意一种阵列基板。一种显示装置,包括如上述技术方案中提供的显示面板。附图说明图1为现有技术的阵列基板的结构示意图;图2为现有技术的阵列基板中第一有源层和第二有源层与金属连接部的连接关系示意图;图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的当阵列基板的缓冲层设置有第一凹槽时的结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的交叠部与金属连接部的位置关系示意图;图6为本专利技术实施例提供的交叠部与金属连接部的另一种位置关系示意图;图7为本专利技术实施例提供的交叠部与金属连接部的又一种位置关系示意图;图8为本专利技术另一实施例提供的阵列基板的结构示意图;图9为本专利技术实施例提供的当阵列基板的缓冲层设置有第一凹槽时的结构示意图;图10为本专利技术实施例提供的又一阵列基板的结构示意图;图11本专利技术实施例提供的再一阵列基板的结构示意图;图12为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法流程图;图13-图19为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法对应的各步骤的结构示意图;图20为本专利技术实施例提供的显示面板的局部结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然地,具体实施方式中所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而不是本专利技术的全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例,都属于本专利技术保护的范围。图1为现有技术的阵列基板的结构示意图,图2为现有技术的阵列基板中第一有源层和第二有源层与金属连接部的连接关系示意图;如图1和图2所示,目前,阵列基板具有的第一晶体管的第一有源层3和第二晶体管的第二有源层4之间通过金属连接走线2连接时,第一有源层3靠近金属连接走线2的一端设置有一个过孔,金属连接走线2通过该过孔与第一有源层3电连接。第二有源层4靠近金属连接走线2的一端也设置有一个过孔,金属连接部2通过该过孔与第二有源层4电连接。这种情况下,上述的两个过孔之间的距离为L;一般情况下,L为5μm;进一步的,由于显示面板制程中的对位偏差,过孔位置的有源层会比走线设计得更宽,从而走线2跨接需要预留的空间增大,进而导致晶体管占用空间增大。为了解决上述问题,本专利技术实施例提供一种阵列基板,请参考图3,图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图,如图3所示,本专利技术实施例提供的阵列基板,包括衬底基板1、第一晶体管、第二晶体管以及金属连接部2;第一晶体管包括第一有源层3,第二晶体管包括第二有源层4,第二有源层4位于第一有源层3远离衬底基板1的一侧,金属连接部2位于第一有源层3靠近衬底基板1的一侧,第一有源层3与第二有源层4通过金属连接部2电连接;第一有源层3和第二有源层4在垂直于衬底基板1的方向上具有交叠部5,在垂直于衬底基板1的方向上,交叠部5与金属连接部2至少部分交叠。本专利技术实施例提供的阵列基板,首先,在垂直于衬底基板1的方向上,第一有源层3和第二有源层4具有交叠部,即,第一有源层3在衬底基板1上的正投影与第二有源层4在衬底基板1上的正投影具有互相重合的部分;另外,第一有源层3与第二有源层4通过金属连接部2电连接。由图3可以看出,由于第一有源层3在衬底基板1上的正投影与第二有源层4在衬底基板1上的正投影具有互相重合的部分,也就不会存在像现有技术中的,第一有源层3上的过孔和第二有源层4上的过孔之间具有一个长度为L的间隔;并且本专利技术实施例中,第一有源层3和第二有源层4通过交叠的过孔实现电连接,进一步减小了制作过程中对位预留的空间,因此本专利技术实施例有效减少了第一有源层3和第二有源层4实现电连接所占用的空间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板、第一晶体管、第二晶体管以及金属连接部;/n所述第一晶体管包括第一有源层,所述第二晶体管包括第二有源层,所述第二有源层位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧,所述金属连接部位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧,所述第一有源层与所述第二有源层通过所述金属连接部电连接;/n所述第一有源层和所述第二有源层在垂直于所述衬底基板的方向上具有交叠部,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述交叠部与所述金属连接部至少部分交叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板、第一晶体管、第二晶体管以及金属连接部;
所述第一晶体管包括第一有源层,所述第二晶体管包括第二有源层,所述第二有源层位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧,所述金属连接部位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧,所述第一有源层与所述第二有源层通过所述金属连接部电连接;
所述第一有源层和所述第二有源层在垂直于所述衬底基板的方向上具有交叠部,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述交叠部与所述金属连接部至少部分交叠。


2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属连接部与所述第一有源层直接接触。


3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源层包括第一过孔,所述第一过孔暴露出所述金属连接部,所述第二有源层通过所述第一过孔与所述金属连接部电连接。


4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源层与所述第二有源层之间包括绝缘层,所述绝缘层包括第二过孔,所述第二过孔在所述第一有源层上的正投影位于所述第一过孔内,所述第二过孔暴露出所述金属连接部,所述第二有源层通过填充所述第二过孔的方式与所述金属连接部接触;
所述第二有源层通过所述绝缘层与所述第一有源层绝缘。


5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二晶体管包括遮光...

【专利技术属性】
技术研发人员:何水李晓
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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